具有納米壓印的圖案的存儲(chǔ)器裝置及其制造方法制造方法及圖紙

本公開的實(shí)施例總體上涉及一種存儲(chǔ)器裝置及其制造方法，所述存儲(chǔ)器裝置具有互聯(lián)于常規(guī)加工的電路的納米壓印的圖案。存儲(chǔ)器裝置包含多個(gè)導(dǎo)電跡線、具有多個(gè)導(dǎo)電墊的基板、以及多個(gè)導(dǎo)電柱。每個(gè)導(dǎo)電墊被尺寸化為考慮到納米壓印工藝中固有的對(duì)準(zhǔn)誤差。每個(gè)導(dǎo)電柱聯(lián)接在導(dǎo)電跡線與導(dǎo)電墊之間，所述導(dǎo)電跡線與導(dǎo)電墊允許納米壓印光刻法的非常微小的特征構(gòu)造與常規(guī)的晶片的更大特征構(gòu)造的互聯(lián)。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
具有納米壓印的圖案的存儲(chǔ)器裝置及其制造方法
本公開的實(shí)施例總體上涉及一種半導(dǎo)體制造的存儲(chǔ)器裝置，并且更特別地，涉及一種具有互聯(lián)到常規(guī)加工的電路的納米壓印的圖案的存儲(chǔ)器裝置。
技術(shù)介紹
存儲(chǔ)器裝置的半導(dǎo)體制造允許通過在非常微小的幾何尺寸上構(gòu)造數(shù)據(jù)位的陣列來實(shí)現(xiàn)高密度。傳統(tǒng)地，光刻法已經(jīng)被用來構(gòu)造這些陣列。然而，光刻法具有其缺點(diǎn)。光刻法工具造價(jià)昂貴，每個(gè)工具經(jīng)常耗費(fèi)數(shù)千萬美元。已經(jīng)提出光刻法的替換方案。一個(gè)這樣的替換方案是納米壓印光刻法。納米壓印光刻法允許小至10納米及以下的特征構(gòu)造的復(fù)制。納米壓印過程包含將圖案壓印到聚合物中，所述圖案然后可以用來將特征構(gòu)造圖案化在半導(dǎo)體晶片上。納米壓印光刻法具有相對(duì)低廉的成本。然而，由于聚合物的半流體性質(zhì)，對(duì)準(zhǔn)精度無法匹配壓印的特征構(gòu)造的微小尺寸，并且造成對(duì)準(zhǔn)誤差。因此，需要一種方法，其能夠允許納米壓印的益處，同時(shí)能夠成本高效地將這樣的納米壓印的圖案互聯(lián)到晶片中的傳統(tǒng)加工的電路。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本公開的實(shí)施例總體上涉及一種存儲(chǔ)器裝置及其制造方法，所述存儲(chǔ)器裝置具有互聯(lián)到常規(guī)加工的電路的納米壓印的圖案。存儲(chǔ)器裝置包含多個(gè)導(dǎo)電跡線，具有多個(gè)導(dǎo)電墊的基板、以及多個(gè)導(dǎo)電柱。每個(gè)導(dǎo)電墊尺寸化為考慮到納米壓印工藝中固有的對(duì)準(zhǔn)誤差。每個(gè)導(dǎo)電柱聯(lián)接到導(dǎo)電跡線與導(dǎo)電墊之間，所述導(dǎo)電跡線與導(dǎo)電墊允許將納米壓印光刻法的非常微小的特征構(gòu)造互聯(lián)到常規(guī)圖案化的晶片的更大的特征構(gòu)造。在一個(gè)實(shí)施例中，公開了一種存儲(chǔ)器裝置。存儲(chǔ)器裝置包含多個(gè)導(dǎo)電跡線。多個(gè)導(dǎo)電跡線設(shè)置在公共平面中。多個(gè)導(dǎo)電跡線中的第一導(dǎo)電跡線具有第一長度。多個(gè)導(dǎo)電跡線中的第二導(dǎo)電跡線具有第二長度，并且第二長度小于第一長度。存儲(chǔ)器裝置還包含基板，所述基板具有形成在其中的多個(gè)導(dǎo)電墊。存儲(chǔ)器裝置還包含多個(gè)導(dǎo)電柱。多個(gè)導(dǎo)電柱中的第一導(dǎo)電柱聯(lián)接在第一導(dǎo)電跡線與多個(gè)導(dǎo)電墊中的第一導(dǎo)電墊之間。多個(gè)導(dǎo)電柱中的第二導(dǎo)電柱聯(lián)接在第二導(dǎo)電跡線與多個(gè)導(dǎo)電墊中的第二導(dǎo)電墊之間。在另一實(shí)施例中，公開了一種存儲(chǔ)器裝置。存儲(chǔ)器裝置包含設(shè)置在公共平面中的多個(gè)導(dǎo)電跡線。存儲(chǔ)器裝置還包含基板，所述基板具有形成在其中的多個(gè)導(dǎo)電墊。多個(gè)導(dǎo)電墊中的第一導(dǎo)電墊與多個(gè)導(dǎo)電墊中的第二導(dǎo)電墊在X維度上和Y維度上都間隔開。存儲(chǔ)器裝置還包含多個(gè)導(dǎo)電柱。多個(gè)導(dǎo)電柱中的第一導(dǎo)電柱在第一導(dǎo)電墊與多個(gè)導(dǎo)電跡線中的第一導(dǎo)電跡線之間延伸。多個(gè)導(dǎo)電柱中的第二導(dǎo)電柱在第二導(dǎo)電墊與多個(gè)導(dǎo)電跡線中的第二導(dǎo)電跡線之間延伸。在另一實(shí)施例中，公開了一種方法。方法包含在第一層上形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電墊，在一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電墊之上沉積光致抗蝕劑，將代表第二層的壓印光刻法印模對(duì)準(zhǔn)到第一層，并且使用壓印光刻法同時(shí)在第二層中形成一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電柱以及一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電跡線。第二層到第一層的對(duì)準(zhǔn)包含X維度上的對(duì)準(zhǔn)誤差±ΔX以及Y維度上的對(duì)準(zhǔn)誤差±ΔY。每個(gè)導(dǎo)電柱具有X維度上的尺寸FX以及Y維度上的尺寸FY。導(dǎo)電墊中的每一個(gè)具有X維度上至少2ΔX-FX的尺寸以及Y維度上至少2ΔY-FY的尺寸。一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電柱中的每一個(gè)與導(dǎo)電墊和導(dǎo)電跡線兩者都接觸。附圖說明為了使得上面列舉的本公開的特征可以被更詳細(xì)地理解，將參考實(shí)施例(其中一些在附圖中被圖示)對(duì)上面簡要概括的本公開進(jìn)行更詳細(xì)的描述。然而，應(yīng)注意的是，附圖僅圖示了本公開的典型實(shí)施例，并且因此不應(yīng)認(rèn)為限制其范圍，因?yàn)楸竟_可以允許其他等效的實(shí)施例。圖1是根據(jù)本文描述的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器陣列的示意圖。圖2是根據(jù)本文描述的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器陣列的示意立體圖。圖3是根據(jù)本文描述的一個(gè)實(shí)施例的圖案的負(fù)像形貌圖，所述圖案可被用作印模，用于將具有自對(duì)準(zhǔn)的導(dǎo)電柱的多個(gè)導(dǎo)電跡線納米壓印到基板之上。圖4A至圖4E圖示了根據(jù)本文描述的一個(gè)實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電跡線的俯視圖，所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電跡線中的每一個(gè)具有互聯(lián)到基板上相應(yīng)的導(dǎo)電墊的自對(duì)準(zhǔn)的導(dǎo)電柱。圖5是根據(jù)本文描述的一個(gè)實(shí)施例的晶片的截面圖，所述晶片具有互聯(lián)到常規(guī)加工的晶體管電路的納米壓印的圖案。為便于理解，在可能的情況下使用了相同附圖標(biāo)記來指代附圖中共有的相同元素。應(yīng)預(yù)期的是，在沒有詳述的情況下，一個(gè)實(shí)施例中公開的元素可以有利地應(yīng)用在其他實(shí)施例中。具體實(shí)施方式下面，參考了本公開的實(shí)施例。然而，應(yīng)理解的是，本公開不受限于具體描述的實(shí)施例。相反，無論是否涉及不同的實(shí)施例，下面的特征和元素的任意組合應(yīng)預(yù)期為實(shí)施和實(shí)踐本公開。此外，盡管本公開的實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)相比于其他可能的方案和/或現(xiàn)有技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，特定的優(yōu)點(diǎn)是否通過給定的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)并不限制本公開。因此，下面的方面、特征、實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)僅為示例性的，并且不應(yīng)認(rèn)為是所附權(quán)利要求的元素或限制，除非在(一個(gè)或多個(gè))權(quán)利要求中明確地列舉。相似地，對(duì)于“本公開”的參考不應(yīng)解釋為本文所公開的任意創(chuàng)造性主題的普遍化，并且不應(yīng)認(rèn)為是所附權(quán)利為要求的元素或限制，除非在(一個(gè)或多個(gè))權(quán)利要求中明確列舉。本公開的實(shí)施例總體上涉及一種存儲(chǔ)器裝置及其制造方法，所述存儲(chǔ)器裝置具有互聯(lián)到常規(guī)加工的電路的納米壓印的圖案。存儲(chǔ)器裝置包含多個(gè)導(dǎo)電跡線，具有多個(gè)導(dǎo)電墊的基板、以及多個(gè)導(dǎo)電柱。每個(gè)導(dǎo)電墊尺寸化為考慮到納米壓印工藝中固有的對(duì)準(zhǔn)誤差。每個(gè)導(dǎo)電柱聯(lián)接在導(dǎo)電跡線與導(dǎo)電墊之間，所述導(dǎo)電跡線與導(dǎo)電墊允許將納米壓印光刻法的非常微小的特征構(gòu)造互聯(lián)到常規(guī)圖案化晶片的更大的特征構(gòu)造。圖1是根據(jù)本文描述的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器陣列100的示意圖。存儲(chǔ)器陣列100包含多個(gè)存儲(chǔ)器單元102、第一多個(gè)平行線104以及第二多個(gè)平行線106。第一多個(gè)平行線104正交于第二多個(gè)平行線106分布。第一多個(gè)平行線104代表位線。第二多個(gè)平行線106代表字線。每個(gè)存儲(chǔ)器單元102聯(lián)接到位線104和字線106。共線的存儲(chǔ)器單元102聯(lián)接到一個(gè)共同的線以及一個(gè)不與其他存儲(chǔ)器單元共有的線。圖2是根據(jù)本文描述的一個(gè)實(shí)施例的上述存儲(chǔ)器陣列100示意立體圖。第一多個(gè)平行線104設(shè)置在公共平面中。第二多個(gè)平行線106設(shè)置在間隔于第一多個(gè)平行線104上方的公共平面中。布置陣列100使得第一存儲(chǔ)器單元102A聯(lián)接到第一多個(gè)平行線104中的第一線104A。第一存儲(chǔ)器單元102A也聯(lián)接到第二多個(gè)平行線106中的第一線106A。第二存儲(chǔ)器單元102B聯(lián)接到第一線104A以及第二多個(gè)平行線106中的第二線106B。第三存儲(chǔ)器單元102C聯(lián)接到第一多個(gè)平行線104中的第二線104B。第三存儲(chǔ)器單元102C也聯(lián)接到第一線106A。第四存儲(chǔ)器單元102D聯(lián)接到第二線104B與第二線106B兩者。圖3是根據(jù)本文描述的一個(gè)實(shí)施例的圖案的負(fù)像形貌圖，所述圖案可以用作納米壓印印模300，用于將具有自對(duì)準(zhǔn)的導(dǎo)電柱的多個(gè)導(dǎo)電跡線納米壓印到基板之上。一經(jīng)印刷，多個(gè)導(dǎo)電跡線將被設(shè)置在公共平面中。印模300包含跡線部分302和柱部分304。跡線部分302用來壓印將設(shè)置導(dǎo)電跡線的位置。相似地，柱部分304用來壓印將形成導(dǎo)電柱的位置。跡線部分302和柱部分304被預(yù)對(duì)準(zhǔn)，使得在從基板移除印模300之后，將在基板上形成導(dǎo)電材料，使得跡線和柱將成為自對(duì)準(zhǔn)的。可以通過納米壓印光刻法領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的各種用于制造納米壓印印模的技術(shù)，來制造納米壓印印模300。在一個(gè)實(shí)施例中，可以通過光刻法并對(duì)反向圖案的形貌圖進(jìn)行蝕刻，來直接形成納米壓印印模3本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種存儲(chǔ)器裝置，包括:多個(gè)導(dǎo)電跡線，其中所述多個(gè)導(dǎo)電跡線設(shè)置在公共平面中，其中所述多個(gè)導(dǎo)電跡線中的第一導(dǎo)電跡線具有第一長度，其中所述多個(gè)導(dǎo)電跡線中的第二導(dǎo)電跡線具有第二長度，并且所述第二長度小于所述第一長度；基板，所述基板具有形成在其中的多個(gè)導(dǎo)電墊；以及多個(gè)導(dǎo)電柱，其中所述多個(gè)導(dǎo)電柱中的第一導(dǎo)電柱聯(lián)接在所述第一導(dǎo)電跡線與所述多個(gè)導(dǎo)電墊中的第一導(dǎo)電墊之間，其中所述多個(gè)導(dǎo)電柱中的第二導(dǎo)電柱聯(lián)接在所述第二導(dǎo)電跡線與所述多個(gè)導(dǎo)電墊中的第二導(dǎo)電墊之間。

【技術(shù)特征摘要】
2015.09.29 US 14/869,4621.一種存儲(chǔ)器裝置，包括:多個(gè)導(dǎo)電跡線，其中所述多個(gè)導(dǎo)電跡線設(shè)置在公共平面中，其中所述多個(gè)導(dǎo)電跡線中的第一導(dǎo)電跡線具有第一長度，其中所述多個(gè)導(dǎo)電跡線中的第二導(dǎo)電跡線具有第二長度，并且所述第二長度小于所述第一長度；基板，所述基板具有形成在其中的多個(gè)導(dǎo)電墊；以及多個(gè)導(dǎo)電柱，其中所述多個(gè)導(dǎo)電柱中的第一導(dǎo)電柱聯(lián)接在所述第一導(dǎo)電跡線與所述多個(gè)導(dǎo)電墊中的第一導(dǎo)電墊之間，其中所述多個(gè)導(dǎo)電柱中的第二導(dǎo)電柱聯(lián)接在所述第二導(dǎo)電跡線與所述多個(gè)導(dǎo)電墊中的第二導(dǎo)電墊之間。2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述多個(gè)導(dǎo)電跡線中的每個(gè)導(dǎo)電跡線具有長度、寬度以及高度，并且所述多個(gè)導(dǎo)電柱中的每個(gè)導(dǎo)電柱具有長度、寬度以及高度，其中所述多個(gè)導(dǎo)電柱中的每個(gè)導(dǎo)電柱的寬度約等于所述多個(gè)導(dǎo)電跡線中的每個(gè)跡線的寬度。3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述多個(gè)導(dǎo)電墊中的每個(gè)墊具有長度和寬度，其中多個(gè)導(dǎo)電墊中的每個(gè)墊的長度和寬度大于所述多個(gè)導(dǎo)電柱中的每個(gè)導(dǎo)電柱的長度和寬度。4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，還包括第三導(dǎo)電跡線，其中所述第三導(dǎo)電跡線具有第三長度，并且所述第三長度小于所述第二長度。5.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)裝置，還包括具有所述第一長度的第四導(dǎo)電跡線、具有所述第二長度的第五導(dǎo)電跡線以及具有所述第三長度的第六導(dǎo)電跡線。6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置，其中所述多個(gè)導(dǎo)電柱中的每一個(gè)自對(duì)準(zhǔn)到所述多個(gè)導(dǎo)電跡線中的導(dǎo)電跡線。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)導(dǎo)電柱中的每一個(gè)連接到所述多個(gè)導(dǎo)電跡線中的導(dǎo)電跡線的端部。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)導(dǎo)電柱中的每一個(gè)在沿所述導(dǎo)電跡線與端部間隔開的位置處連接到所述多個(gè)導(dǎo)電跡線中的導(dǎo)電跡線。9.一種存儲(chǔ)器裝置，包括:設(shè)置在公共平面中的多個(gè)導(dǎo)電跡線；基板，所述基板具有形成在其中的多個(gè)導(dǎo)電墊，其中所述多個(gè)導(dǎo)電墊中的第一導(dǎo)電墊與所述多個(gè)導(dǎo)電墊中的第二導(dǎo)電墊在X維度上和Y維度上都間隔開；以及多個(gè)導(dǎo)電柱，其中所述多個(gè)導(dǎo)電柱中的第一導(dǎo)電柱在所述第一導(dǎo)電墊與所述多個(gè)導(dǎo)電跡線中的第一導(dǎo)電跡線之間延伸，并且其中所述多個(gè)導(dǎo)電柱中的第二導(dǎo)電柱在所述第二導(dǎo)電墊與所述多個(gè)導(dǎo)電跡線中的第二導(dǎo)電跡線之間延伸。10.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：DR舍帕德，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：HGST荷蘭公司，
類型：發(fā)明
國別省市：荷蘭,NL