一種G+G結構手機觸摸屏制造技術

本實用新型專利技術公開了一種G+G結構手機觸摸屏，包括TP結構（觸摸屏結構）和TFT結構（薄膜場效應晶體管結構），所述TP結構為G+G結構，最上層為外屏蔽層（GLASS?LENS），在外屏蔽層下設置感應層（GLASS?SENSOR），在TP結構下面設置TFT結構，所述TFT結構包括三層，上下兩層分別為上偏光層和下偏光層，在上偏光層和下偏光層中間設置為液晶層。該G+G結構手機觸摸屏，通過設置TP結構和TFT結構，并將TP結構為G+G結構，TFT結構設置為三層結構，從而使得其更換TP時不易損壞TFT屏，總體維修成本較In?Cell屏低，其產(chǎn)品制作成本較In?Cell低，并且其清晰度及觸摸效果與In?Cell相當。

G+G structure mobile phone touch screen

The utility model discloses a G+G mobile phone touch screen, including the TP structure (touch screen structure) and TFT structure (thin film field effect transistor structure), the TP structure of G+G structure, the upper outer shielding layer (GLASS LENS), induction layer is arranged in the outer shield layer (GLASS SENSOR), TFT structure set up in the TP structure, the TFT structure includes three layers, the upper and the lower two layers respectively on the polarizing layer and the lower polarizing layer, in the middle of the upper layer and the lower polarizing polarizing layer is arranged for liquid crystal layer. The structure of G+G mobile phone touch screen, by setting the TP and TFT structure, and TP structure for the G+G structure, TFT structure is divided into three layers, which is not easy to damage the TFT screen to replace the TP, the overall maintenance cost compared with In Cell screen is low, the production cost is low and the Cell In. And the definition and effect of In and Cell touch.

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
一種G+G結構手機觸摸屏
本技術涉及電子
，尤其是一種手機觸摸屏新型G+G結構技術。
技術介紹
手機與人之間的交互離不開手機的屏幕，觸摸屏是手機的主要構成部分之一。電容式觸摸屏的構造主要是在玻璃屏幕上鍍一層透明的薄膜導體層，再在導體層外加上一塊保護玻璃，雙玻璃設計能徹底保護導體層及感應器。傳統(tǒng)電容式觸摸屏結構主要包括感應層（Sensor）和蓋板，顯示屏、感應層（Sensor）和蓋板由上至下依次設置，但其需要掩膜層尺寸較寬及屏體尺寸較厚。另外，目前市場上還存在In-cell方式觸摸屏，但是其存在以下的不足：生產(chǎn)技術難度高，生產(chǎn)良率是普通TFT屏的1/2；其制作成本較高；液晶玻璃太薄，維修難度大，易損壞液晶屏體，總體維修成本高。
技術實現(xiàn)思路
本技術目的在于解決現(xiàn)有技術中存在的上述問題，提供一種結構合理、清晰度高且較易維修的G+G結構手機觸摸屏。為解決上述技術問題，本技術采用如下技術方案：一種G+G結構手機觸摸屏，包括TP結構（觸摸屏結構）和TFT結構（薄膜場效應晶體管結構），所述TP結構為G+G結構，最上層為外屏蔽層（GLASSLENS），在外屏蔽層下設置感應層（GLASSSENSOR），在TP結構下面設置TFT結構，所述TFT結構包括三層，上下兩層分別為上偏光層和下偏光層，在上偏光層和下偏光層中間設置為液晶層。作為優(yōu)選，所述上偏光層和下偏光層均為由碳納米管制成的偏光層。作為優(yōu)選，所述TP結構與TFT結構通過OCA光學膠層粘接，可脫膠而不損壞TFT結構。作為優(yōu)選，所述感應層左右兩側和外屏蔽層邊緣的間距為1.04mm，公差控制在±0.1mm以內。本技術采用了上述技術方案，具有以下有益效果：該G+G結構手機觸摸屏，通過設置TP結構和TFT結構，并將TP結構為G+G結構，TFT結構設置為三層結構，從而使得其更換TP時不易損壞TFT屏，總體維修成本較In-Cell屏低，其產(chǎn)品制作成本較In-Cell低，并且其清晰度及觸摸效果與In-Cell相當。附圖說明圖1為本技術一種G+G結構手機觸摸屏結構示意圖。圖2為G+G結構手機觸摸屏外觀效果示意圖。圖中：1.TP結構，2.TFT結構，3.外屏蔽層，4.感應層，5.OCA光學膠層，6.上偏光層，7.液晶層，8.下偏光層，9.G+G結構手機觸摸屏。具體實施方式如圖1及圖2所示，一種G+G結構手機觸摸屏9，包括TP結構1和TFT結構2，所述TP結構1為G+G結構，最上層為外屏蔽層（GLASSLENS）3，在外屏蔽層3下設置感應層（GLASSSENSOR）4，所述感應層4距離外屏蔽層3邊緣距離公差控制在±0.15mm以內，在TP結構1下面設置TFT結構2，所述TP結構1與TFT結構3通過OCA光學膠層5粘接，可脫膠而不損壞TFT結構，所述TFT結構2包括三層，上下兩層分別為上偏光層6和下偏光層8，在上偏光層6和下偏光層8中間設置為液晶層7；在本實施例中，所述上偏光層6和下偏光層8均為由碳納米管制成的偏光層，采用光配向基材將碳納米管層粘結到襯底上制成。以上所述，僅為本技術的具體實施方式，但本技術的保護范圍并不局限于此，任何不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動想到的變化或替換，都應涵蓋在本技術的保護范圍之內。因此，本技術的保護范圍應該以權利要求書所限定的保護范圍為準。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種G+G結構手機觸摸屏，包括TP結構和TFT結構，其特征在于：所述TP結構為G+G結構，最上層為外屏蔽層，在外屏蔽層下設置感應層，在TP結構下面設置TFT結構，所述TFT結構包括三層，上下兩層分別為上偏光層和下偏光層，在上偏光層和下偏光層中間設置為液晶層。

【技術特征摘要】
1.一種G+G結構手機觸摸屏，包括TP結構和TFT結構，其特征在于：所述TP結構為G+G結構，最上層為外屏蔽層，在外屏蔽層下設置感應層，在TP結構下面設置TFT結構，所述TFT結構包括三層，上下兩層分別為上偏光層和下偏光層，在上偏光層和下偏光層中間設置為液晶層。2.根據(jù)權利要求1所述的G+G結...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：楊紅，楊傳聰，趙洪海，
申請(專利權)人：河源力友通訊科技有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東,44