一種逆流式垂直流人工濕地制造技術

本發明專利技術屬于人工濕地領域，尤其涉及一種逆流式垂直流人工濕地，其特征在于：所述第一垂直流池的上部設置第一基質層，所述第一基質層的下部鋪設有第一碎石層，所述第一碎石層的底部鋪設有第一鵝卵石層，所述第一鵝卵石層的底部設置有第一儲水腔，所述折流管的插設于所述第一儲水腔的底部，所述第二垂直流池的上部設置第二基質層，所述第二基質層的下部鋪設有第二碎石層，所述第二碎石層的底部鋪設有第二鵝卵石層，所述第二鵝卵石層的底部設置有與第一儲水腔相連通的第二儲水腔，所述隔板貫通設置于第一鵝卵石層、第二鵝卵石層的下表面，所述進水管與沉淀池的中部一側連通，所述出水管的一端與沉淀池頂部連通并且其另一端位于所述第一基質層的上方。

A reverse flow vertical flow constructed wetland

The invention belongs to the field of artificial wetland, especially relates to a counterflow type vertical flow constructed wetland, which is characterized in that the upper part of the first vertical flow pool is provided with a first substrate layer, the lower part of the first substrate layer is provided with a first layer of gravel paved, gravel layer at the bottom of the first laying the first layer of the first pebbles. The pebble layer is arranged at the bottom of the first water storage chamber, wherein the baffle is inserted into the first water storage cavity at the bottom of the tube, the upper part of the second vertical flow tank second matrix layer, the lower part of the second substrate layer is paved with a second gravel layer, gravel layer at the bottom of the second laying second the pebble layer, the second layer of pebbles is arranged at the bottom of second water storage chamber is communicated with the first water storage chamber, wherein the diaphragms are arranged on the first surface layer, second pebbles under the pebble layer, the The water inlet pipe is communicated with one side of the middle part of the sedimentation tank, and one end of the water outlet pipe is communicated with the top of the sedimentation tank, and the other end is positioned above the first base layer.

【技術實現步驟摘要】
一種逆流式垂直流人工濕地
本專利技術專利屬于人工濕地領域，尤其涉及一種逆流式垂直流人工濕地。
技術介紹
人工濕地是由人工建造和控制運行的與沼澤地類似的地面，將污水、污泥有控制的投配到經人工建造的濕地上，污水與污泥在沿一定方向流動的過程中，主要利用土壤、人工介質、植物、微生物的物理、化學、生物三重協同作用，對污水、污泥進行處理的一種技術。其作用機理包括吸附、滯留、過濾、氧化還原、沉淀、微生物分解、轉化、植物遮蔽、殘留物積累、蒸騰水分和養分吸收及各類動物的作用。現有的人工濕地一般很多均為單一的垂直流人工濕地，形式比較單一，處理效率低。
技術實現思路
本專利技術專利針對上述技術問題，提供了一種處理效率高的逆流式垂直流人工濕地。本專利技術專利所采用的技術方案為：一種逆流式垂直流人工濕地，其特征在于：包括沉淀池、第一垂直流池、第二垂直流池、集水井、進水管、出水管、折流管、隔板、排水管，所述沉淀池、第一垂直流池、第二垂直流池、集水井依次設置，所述第一垂直流池的上部設置第一基質層，所述第一基質層的表面種植有第一水生植物，所述第一基質層的下部鋪設有第一碎石層，所述第一碎石層的底部鋪設有第一鵝卵石層，所述第一鵝卵石層的底部設置有第一儲水腔，所述折流管的一端與第一基質層上方的提升泵相連并且其另一端插設于所述第一儲水腔的底部，所述第二垂直流池的上部設置第二基質層，所述第二基質層的表面種植有第二水生植物，所述第二基質層的下部鋪設有第二碎石層，所述第二碎石層的底部鋪設有第二鵝卵石層，所述第二鵝卵石層的底部設置有與第一儲水腔相連通的第二儲水腔，所述隔板貫通設置于所述第一鵝卵石層、第二鵝卵石層的下表面，所述隔板上開設有隔板開孔，所述進水管與沉淀池的中部一側連通，所述出水管的一端與沉淀池頂部連通并且其另一端位于所述第一基質層的上方，所述排水管的一端與集水井連通并且其另一端位于所述第二基質層的上方。所述第二儲水腔的底部高于第一儲水腔的底部。所述第一基質層的上表面高于所述第二基質層的上表面。本專利技術專利的有益效果為：1、本專利技術專利中設置了兩個垂直流池，第一垂直流池的水流運動方向為從第一基質層到第一儲水腔，第二垂直流池的水流運動方向為從第二儲水腔到第二垂直流池，另外設置了折流管，能夠將第一儲水腔內的水提升到第一基質層表面進行循環處理，處理效率高；2、沉淀池起到初級沉淀的作用，上層清水進入第一垂直流池，第二垂直流池表面的清水流入集水井，沉淀池的設置，提高水體處理效率；3、碎石層、鵝卵石層的設置，過濾效果好；4、隔板既能阻隔鵝卵石層，又能保證水流順利下行，支撐力度強；5、第二儲水腔的底部高于第一儲水腔的底部，底部雜質易沉積在一儲水腔的底部，提高凈化效率。附圖說明圖1為本專利技術專利的結構示意圖。具體實施方式下面結合附圖對本專利技術專利作進一步說明：圖中，1-沉淀池，2-第一垂直流池，3-第二垂直流池，4-集水井，5-進水管，6-出水管，7-折流管，8-隔板，9-排水管，10-第一基質層，11-第一水生植物，12-第一碎石層，13-第一鵝卵石層，14-第一儲水腔，15-提升泵，16-第二基質層，17-第二水生植物，18-第二碎石層，19-第二鵝卵石層，20-第二儲水腔，21-隔板開孔。實施例如圖1所示，一種逆流式垂直流人工濕地，包括沉淀池1、第一垂直流池2、第二垂直流池3、集水井4、進水管5、出水管6、折流管7、隔板8、排水管9，沉淀池1、第一垂直流池2、第二垂直流池3、集水井4依次設置，第一垂直流池2的上部設置第一基質層10，第一基質層10的表面種植有第一水生植物11，第一基質層10的下部鋪設有第一碎石層12，第一碎石層12的底部鋪設有第一鵝卵石層13，第一鵝卵石層13的底部設置有第一儲水腔14，折流管7的一端與第一基質層10上方的提升泵15相連并且其另一端插設于第一儲水腔14的底部，第二垂直流池2的上部設置第二基質層16，第二基質層16的表面種植有第二水生植物17，第二基質層16的下部鋪設有第二碎石層18，第二碎石層18的底部鋪設有第二鵝卵石層19，第二鵝卵石層19的底部設置有與第一儲水腔14相連通的第二儲水腔20，隔板8貫通設置于第一鵝卵石層13、第二鵝卵石層19的下表面，隔板8上開設有隔板開孔21，進水管5與沉淀池1的中部一側連通，出水管6的一端與沉淀池1頂部連通并且其另一端位于第一基質層10的上方，排水管9的一端與集水井4連通并且其另一端位于第二基質層16的上方。第二儲水腔20的底部高于第一儲水腔14的底部。第一基質層10的上表面高于第二基質層16的上表面。以上對本專利技術專利的1個實施例進行了詳細說明，但所述內容僅為本專利技術專利的較佳實施例，不能被認為用于限定本專利技術專利的實施范圍。凡依本專利技術專利申請范圍所作的均等變化與改進等，均應仍歸屬于本專利技術專利的專利涵蓋范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種逆流式垂直流人工濕地，其特征在于：包括沉淀池、第一垂直流池、第二垂直流池、集水井、進水管、出水管、折流管、隔板、排水管，所述沉淀池、第一垂直流池、第二垂直流池、集水井依次設置，所述第一垂直流池的上部設置第一基質層，所述第一基質層的表面種植有第一水生植物，所述第一基質層的下部鋪設有第一碎石層，所述第一碎石層的底部鋪設有第一鵝卵石層，所述第一鵝卵石層的底部設置有第一儲水腔，所述折流管的一端與第一基質層上方的提升泵相連并且其另一端插設于所述第一儲水腔的底部，所述第二垂直流池的上部設置第二基質層，所述第二基質層的表面種植有第二水生植物，所述第二基質層的下部鋪設有第二碎石層，所述第二碎石層的底部鋪設有第二鵝卵石層，所述第二鵝卵石層的底部設置有與第一儲水腔相連通的第二儲水腔，所述隔板貫通設置于所述第一鵝卵石層、第二鵝卵石層的下表面，所述隔板上開設有隔板開孔，所述進水管與沉淀池的中部一側連通，所述出水管的一端與沉淀池頂部連通并且其另一端位于所述第一基質層的上方，所述排水管的一端與集水井連通并且其另一端位于所述第二基質層的上方。

【技術特征摘要】
1.一種逆流式垂直流人工濕地，其特征在于：包括沉淀池、第一垂直流池、第二垂直流池、集水井、進水管、出水管、折流管、隔板、排水管，所述沉淀池、第一垂直流池、第二垂直流池、集水井依次設置，所述第一垂直流池的上部設置第一基質層，所述第一基質層的表面種植有第一水生植物，所述第一基質層的下部鋪設有第一碎石層，所述第一碎石層的底部鋪設有第一鵝卵石層，所述第一鵝卵石層的底部設置有第一儲水腔，所述折流管的一端與第一基質層上方的提升泵相連并且其另一端插設于所述第一儲水腔的底部，所述第二垂直流池的上部設置第二基質層，所述第二基質層的表面種植有第二水生植物，所述第二基質層的下部鋪設有第二碎...

【專利技術屬性】
技術研發人員：齊輝，
申請(專利權)人：太陽金花天津科技有限公司，
類型：發明
國別省市：天津,12