半導體裝置的評價裝置以及評價方法制造方法及圖紙

得到能夠容易且高精度地對多個探針的前端部的面內(nèi)位置及溫度進行檢查的半導體裝置的評價裝置及評價方法。卡盤臺(1)對半導體裝置(2)進行固定。多個探針(3)固定于絕緣基板(5)。溫度調(diào)整部(4)對多個探針(3)的溫度進行調(diào)整。評價及控制部(10)經(jīng)由多個探針(3)使電流流過半導體裝置(2)而對半導體裝置(2)的電氣特性進行評價。在檢查板(14)上表面或下表面設置有熱致變色材料(15)。在將多個探針(3)的前端部按壓于檢查板(14)上表面的狀態(tài)下由拍攝部(16)對熱致變色材料(15)的顏色變化圖像進行拍攝。由圖像處理部(20)對該顏色變化圖像進行圖像處理而求出多個探針(3)的前端部的面內(nèi)位置及溫度。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
半導體裝置的評價裝置以及評價方法
本專利技術涉及一種半導體裝置的評價裝置以及評價方法,該半導體裝置的評價裝置以及評價方法能夠容易地、且高精度地對多個探針的前端部的面內(nèi)位置及溫度進行檢查。
技術介紹
在半導體晶片或者從半導體晶片進行單片化后的芯片的狀態(tài)下，對作為被測定物的半導體裝置的電氣特性進行評價。此時，在通過真空吸附等而將被測定物的設置面與卡盤臺的表面接觸而固定后，使探針與在被測定物的非設置面的一部分設置的電極接觸，該探針用于進行電氣式的輸入輸出。在縱型構造的半導體裝置的檢查中，卡盤臺成為電極，其中，該縱型構造的半導體裝置在裝置的縱向(面外方向)流過大電流。并且,迄今已實施了探針的多管腳化，響應了施加大電流及高電壓的要求。在對半導體裝置的電氣特性進行評價時，使多個探針高精度地與在半導體裝置的表面設置的電極接觸是重要的。在與電極接觸的探針的前端部發(fā)生了錯位的情況下,有時沒有對半導體裝置施加所期望的電流或者電壓。不僅如此,由于探針與除電極以外的部位的接觸,有時還致使半導體裝置破壞。為了抑制探針的前端部的錯位,期望探針的長度短。但是,為了抑制放電現(xiàn)象,存在延長探針的長度、將探針卡的主體部分和半導體裝置的距離拉開的趨勢。因此,變得容易發(fā)生探針的前端部的錯位。在上述狀況下，作為探針位置測定方法，已知非接觸式的方法。例如，存在由與探針相對地設置的照相機所實現(xiàn)的圖像處理測量。但是，在對探針的前端部的位置進行測量時，由于存在背景、距離、各自的對焦、附著物的影響等多個干擾因素，因此高精度的測定是困難的。另外，近年來，由于半導體裝置的使用環(huán)境的多樣化，從低溫至高溫為止的寬溫度范圍的電氣特性的評價變得必要。在將位于半導體裝置側(cè)的卡盤臺設定為低溫或者高溫的情況下,如果與探針或者探針卡側(cè)之間存在溫度差,則存在下述問題,即,由于探針卡側(cè)的熱膨脹或者熱收縮,與半導體裝置接觸的探針的前端部發(fā)生錯位。并且存在下述問題,即,如果在存在溫度差的狀態(tài)下使探針接觸半導體裝置,則半導體裝置的溫度相對于所設定的溫度發(fā)生變化,評價的精度下降。作為探針位置的檢查方法,公開了下述內(nèi)容,即,在使探針與變形體接觸后,將探針分離而對探針痕跡的位置、大小進行觀察(例如參照專利文獻1),以及針跡轉(zhuǎn)印部件的針跡的消除(例如參照專利文獻2)。另外,還公開了將測定針抵壓于透明玻璃平板的狀態(tài)下的檢查(例如參照專利文獻3)。作為半導體裝置的溫度可變時的評價方法,公開了下述內(nèi)容,即,將配設了電阻體的加熱片設置于探針卡,對探針基板進行加熱(例如參照專利文獻4)。另外,還公開了下述內(nèi)容,即,在卡盤退避時使鹵素燈與探針基板相對而進行照射,對探針基板進行加熱(例如參照專利文獻5)。還公開了下述內(nèi)容,即,通過在構成探針卡的印刷基板之上設置的陶瓷加熱裝置,對探針基板進行加熱(例如參照專利文獻6)。專利文獻1：日本特開2001－189353號公報專利文獻2：日本特開2009－198407號公報專利文獻3：日本特開平05－157790號公報專利文獻4：日本特開2012－47503號公報專利文獻5：日本特開2012－23120號公報專利文獻6：日本特開2002－196017號公報但是,就專利文獻1的探針檢查而言,每當探針檢查時,需要進行變形體的再生處理。另外,由于在轉(zhuǎn)印后進行觀察,因此檢查需要時間。另外,還不能容易地附加于現(xiàn)有的評價裝置。專利文獻2的針跡轉(zhuǎn)印部件雖然短時間即復原,但仍然需要再生處理。另外,由于在轉(zhuǎn)印后進行觀察,因此檢查需要時間。就專利文獻3的技術而言,由于照明、背景等的干擾,檢查精度惡化。另外,專利文獻4～6中的任意者均未記載與半導體裝置接觸的探針的前端部的溫度檢測。由于由在各裝置設置的溫度傳感器所進行的測量以探針基板的溫度為對象，因此不清楚探針和半導體裝置的溫度差，在由溫度差引起的評價精度的下降這一點上存在問題。另外，關于與半導體裝置接觸的探針的前端部的面內(nèi)位置，僅將探針基板的膨脹、收縮視為問題。針對將探針設置于探針基板時的探針的初始位置不佳、溫度可變時的錯位，不能在即將進行半導體裝置的評價之前進行確認。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于得到一種半導體裝置的評價裝置以及評價方法，該半導體裝置的評價裝置以及評價方法能夠容易地、且高精度地對多個探針的前端部的面內(nèi)位置及溫度進行檢查。本專利技術所涉及的半導體裝置的評價裝置的特征在于，具有：卡盤臺，其對半導體裝置進行固定；絕緣基板；多個探針，其固定于所述絕緣基板；溫度調(diào)整部，其對所述多個探針的溫度進行調(diào)整；評價及控制部，其經(jīng)由所述多個探針使電流流過所述半導體裝置而對所述半導體裝置的電氣特性進行評價；以及探針位置及溫度檢查裝置，其具有檢查板、熱致變色材料、拍攝部、以及圖像處理部，其中，該熱致變色材料設置于所述檢查板的上表面或者下表面，該拍攝部在將所述多個探針的前端部按壓于所述檢查板的所述上表面的狀態(tài)下對所述熱致變色材料的顏色變化圖像進行拍攝，該圖像處理部對所述顏色變化圖像進行圖像處理而求出所述多個探針的所述前端部的面內(nèi)位置及溫度。專利技術的效果在本專利技術中，在將多個探針的前端部按壓于檢查板的上表面的狀態(tài)下對熱致變色材料的顏色變化圖像進行拍攝，對該顏色變化圖像進行圖像處理而求出多個探針的前端部的面內(nèi)位置及溫度。由此，能夠容易地、且高精度地對多個探針的前端部的面內(nèi)位置及溫度進行檢查。附圖說明圖1是表示本專利技術的實施方式1所涉及的半導體裝置的評價裝置的概略圖。圖2是本專利技術的實施方式1所涉及的探針位置及溫度檢查裝置的在探針接觸時的結構概略圖。圖3是用于對探針的動作進行說明的側(cè)視圖。圖4是表示對位于標準位置的16個探針進行了按壓的情況下的顏色變化圖像的圖。圖5是表示對位置存在異常的探針進行了按壓的情況下的顏色變化圖像的圖。圖6是表示本專利技術的實施方式2所涉及的半導體裝置的評價裝置的概略圖。圖7是表示本專利技術的實施方式2所涉及的檢查基板的仰視圖。圖8是表示本專利技術的實施方式2所涉及的檢查基板的變形例的仰視圖。標號的說明1卡盤臺，2半導體裝置，3探針，4溫度調(diào)整部，5絕緣基板，10評價及控制部，14檢查板，15熱致變色材料，16拍攝部，20圖像處理部，21保護部件，22送風機(冷卻器)，24珀耳帖元件(冷卻器)，25加熱裝置(加熱器)具體實施方式參照附圖，對本專利技術的實施方式所涉及的半導體裝置的評價裝置以及評價方法進行說明。對相同或者相對應的結構要素標注同一標號，有時省略重復的說明。實施方式1圖1是表示本專利技術的實施方式1所涉及的半導體裝置的評價裝置的概略圖。卡盤臺1對作為評價對象的半導體裝置2進行固定。卡盤臺1是與半導體裝置2的設置面(背面)接觸而對半導體裝置2進行固定的底座。對半導體裝置2進行固定的方法例如是真空吸附，但不限于此，也可以是靜電吸附等。半導體裝置2是形成了多個半導體芯片的半導體晶片或者半導體芯片本身等，此處是在裝置的縱向(面外方向)流過大電流的縱型構造的半導體裝置。但不限于此，半導體裝置2也可以是在半導體裝置的一個面進行輸入輸出的橫型構造的半導體裝置。多個探針3及溫度調(diào)整部4固定于絕緣基板5。多個探針3及溫度調(diào)整部4通過在絕緣基板5之上設置的金屬板等配線(未圖示)與連接部6連接。由多個探針3、溫度調(diào)整部4、絕緣基板5本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種半導體裝置的評價裝置，其特征在于，具有：卡盤臺，其對半導體裝置進行固定；絕緣基板；多個探針，其固定于所述絕緣基板；溫度調(diào)整部，其對所述多個探針的溫度進行調(diào)整；評價及控制部，其經(jīng)由所述多個探針使電流流過所述半導體裝置而對所述半導體裝置的電氣特性進行評價；以及探針位置及溫度檢查裝置，其具有檢查板、熱致變色材料、拍攝部、以及圖像處理部，其中，該熱致變色材料設置于所述檢查板的上表面或者下表面，該拍攝部在將所述多個探針的前端部按壓于所述檢查板的所述上表面的狀態(tài)下對所述熱致變色材料的顏色變化圖像進行拍攝，該圖像處理部對所述顏色變化圖像進行圖像處理而求出所述多個探針的所述前端部的面內(nèi)位置及溫度。

【技術特征摘要】
2015.11.17 JP 2015-2246631.一種半導體裝置的評價裝置，其特征在于，具有：卡盤臺，其對半導體裝置進行固定；絕緣基板；多個探針，其固定于所述絕緣基板；溫度調(diào)整部，其對所述多個探針的溫度進行調(diào)整；評價及控制部，其經(jīng)由所述多個探針使電流流過所述半導體裝置而對所述半導體裝置的電氣特性進行評價；以及探針位置及溫度檢查裝置，其具有檢查板、熱致變色材料、拍攝部、以及圖像處理部，其中，該熱致變色材料設置于所述檢查板的上表面或者下表面，該拍攝部在將所述多個探針的前端部按壓于所述檢查板的所述上表面的狀態(tài)下對所述熱致變色材料的顏色變化圖像進行拍攝，該圖像處理部對所述顏色變化圖像進行圖像處理而求出所述多個探針的所述前端部的面內(nèi)位置及溫度。2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置的評價裝置，其特征在于，所述熱致變色材料設置于所述檢查板的所述下表面。3.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置的評價裝置，其特征在于，所述熱致變色材料設置于所述檢查板的所述上表面，所述拍攝部設置于所述絕緣基板。4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的評價裝置，其特征在于，還具有照明部，該照明部將光照射至所述熱致變色材料。5.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的評價裝置，其特征在于，還具有防反射薄膜，該防反射薄膜設置于所述熱致變色材料的拍攝面。6.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的評價裝置，其特征在于，還具有防反射涂層，該防反射涂層設置于所述熱致變色材料的拍攝面。7.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的評價裝置，其特征在于，還具有保護部件，該保護部件設置...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：岡田章，竹迫憲浩，秋山肇，
申請(專利權)人：三菱電機株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：日本,JP