一種多層功分器上下層微帶電路連接結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種多層功分器上下層微帶電路連接結(jié)構(gòu)，包括上層微帶電路(1)、下層微帶電路(2)、地板(3)、金屬導(dǎo)電柱(4)，冗余銅層電路(5)。金屬導(dǎo)電柱(4)過金屬化過孔貫穿所述上層微電路(1)，地板(3)，下層微帶電路(2)，在所述上層微電路(1)與金屬導(dǎo)電柱(4)的連接處上增加銅冗余電路(5)，在所述下層微帶電路(2)與金屬導(dǎo)電柱(4)的連接處下增加銅冗余電路(5)，所述銅冗余電路(5)增大了金屬導(dǎo)電柱(4)與上層微帶電路(1)金屬導(dǎo)電柱(4)與下層微帶電路(2)的接觸面積。

Upper and lower layer microstrip circuit connection structure of multilayer power divider

The invention provides a connection structure of an upper and lower layer microstrip circuit for a multilayer power divider, which comprises an upper layer microstrip circuit (1), a lower layer microstrip circuit (2), a floor (3), a metal conductive column (4), a redundant copper layer circuit (5). Conductive metal column (4) a metallized hole penetrates the upper micro circuit (1), floor (3), (2), the lower microstrip circuit in the upper micro circuit (1) and conductive metal (4) increase the copper column redundancy circuit connecting part (5), in which the lower layer microstrip circuit (2) and (4) copper conductive metal column redundancy circuit connections under increased (5), the copper circuit (5) increases the conductive metal column (4) and the upper microstrip circuit (1) conductive metal column (4) and lower (2) contact microstrip circuit area.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種多層功分器上下層微帶電路連接結(jié)構(gòu)
本專利技術(shù)屬于微波、天線領(lǐng)域，涉及一種多層功分器上下層微帶電路連接結(jié)構(gòu)。
技術(shù)介紹
功率分配器(功分器)將輸入信號功率分成相等或不相等的多路輸出的一種多端口微波網(wǎng)絡(luò)。功分器可以采用多種傳輸線實(shí)現(xiàn)，最常用主要有波導(dǎo)功分器、同軸線功分器及微帶線功分器。波導(dǎo)功分器具有損耗小、功率容量大的優(yōu)點(diǎn)。但是其傳輸線結(jié)構(gòu)決定了波導(dǎo)功分器不易集成、尺寸難以小型化的缺點(diǎn)。同軸線功分器的優(yōu)點(diǎn)是功率容量大，損耗小，缺點(diǎn)是輸出端駐波比較大且輸出端口之間沒有隔離度。微帶線結(jié)構(gòu)功分器雖然損耗稍大，但由于其結(jié)構(gòu)緊湊、成本低廉、性能穩(wěn)定、易于和其他有源器件集成的優(yōu)點(diǎn)，在雷達(dá)系統(tǒng)中有著非常廣泛的應(yīng)用。然而隨著雷達(dá)行業(yè)的快速發(fā)展，對功分器也提出了更高的性能指標(biāo)和尺寸要求。在某新型雷達(dá)的研制生產(chǎn)中，裝配的微帶功分器電路具有集成度高﹑體積小，并大規(guī)模應(yīng)用在有源相控陣天線微波陣列傳輸系統(tǒng)中。由于該雷達(dá)天線功能多，集成度高，并且對尺寸有著嚴(yán)格的要求，這也使得功分器在保證電性能的同時其尺寸要盡可能的小。多層功分器的設(shè)計可以有效地縮小功分器的尺寸，如圖1所示。在傳統(tǒng)的多層功分器設(shè)計中，金屬化孔和導(dǎo)電柱是連接上層微帶電路和下層微帶電路的橋梁，金屬化過孔和導(dǎo)電柱與上下層微帶電路是否良好接觸將直接決定了功分器的性能。但現(xiàn)有的加工工藝很難保證軟介質(zhì)板上的金屬化過孔尺寸。當(dāng)金屬化過孔半徑偏大時，金屬化過孔不能很好的與導(dǎo)電柱接觸從而影響功分器的性能。當(dāng)金屬化過孔半徑偏小時，金屬化過孔在裝備過程中受到導(dǎo)電柱的擠壓時，過孔的金屬表面變得粗糙，導(dǎo)致電路的不連續(xù)性增強(qiáng)，從而使得功分器傳導(dǎo)損耗增大。為了解決上述問題，本專利技術(shù)通過在金屬化過孔和導(dǎo)電柱與上下層微帶電路的連接處增加特定的冗余銅層電路以保證功分器上下層電路的可靠接觸，改善功分器的性能，提高功分器的成品率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)的目的是：提高功分器的成品率，有效減少功分器的調(diào)試時間。本專利技術(shù)技術(shù)方案提供：一種多層功分器上下層微帶電路連接結(jié)構(gòu)，包括上層微帶電路1、下層微帶電路2、地板3、金屬導(dǎo)電柱4，冗余銅層電路5。金屬導(dǎo)電柱4過金屬化過孔貫穿所述上層微電路1，地板3，下層微帶電路2，在所述上層微電路1與金屬導(dǎo)電柱4的連接處上增加銅冗余電路5，在所述下層微帶電路2與金屬導(dǎo)電柱4的連接處下增加銅冗余電路5，所述銅冗余電路5增大了金屬導(dǎo)電柱4與上層微帶電路1金屬導(dǎo)電柱4與下層微帶電路2的接觸面積。所述冗余銅層電路5包括連接電路5-1、調(diào)節(jié)電路5-2、擴(kuò)大電路5-3，所述連接電路5-1與金屬導(dǎo)電柱4連接，所述連接電路5-1具有圓弧倒角5-4改善連接處的不連續(xù)性以避免高次模的產(chǎn)生，所述調(diào)節(jié)電路5-2為一段寬度極窄的銅層電路，所述調(diào)節(jié)電路5-2連接所述連接電路5-1與擴(kuò)大電路5-3，所述擴(kuò)大電路5-3擴(kuò)大冗余銅層電路與微帶電路的接觸面積。本專利技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是：(1)提高功分器成品率及性能穩(wěn)定性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表面采用本專利技術(shù)與不采用本專利技術(shù)產(chǎn)品的成品率分別為90％與30％，成品率提高60％。(2)有效減少功分器調(diào)試時間。統(tǒng)計實(shí)驗(yàn)結(jié)果表面，采用本專利技術(shù)單個試驗(yàn)件調(diào)試時間由2小時縮短至10分鐘。(3)本專利技術(shù)設(shè)計簡單、易于移植。本專利技術(shù)通過在金屬化過孔和導(dǎo)電柱與上下層微帶電路的連接處額外增加電路來增強(qiáng)多層電路連接的可靠性，結(jié)構(gòu)簡單、設(shè)計方法易于移植，可方便的用于采用多層微帶電路所設(shè)計的微波器件中。(4)本專利技術(shù)易于實(shí)現(xiàn)。本專利技術(shù)所使用的金屬電路為平面結(jié)構(gòu)，加工過程簡單且精度容易控制，易于實(shí)現(xiàn)。附圖說明下面對本專利技術(shù)附圖進(jìn)行說明：圖1為多層功分器示意圖；圖2為微帶電路連接結(jié)構(gòu)側(cè)視圖；圖3為微帶電路連接結(jié)構(gòu)俯視圖；圖4為冗余銅層電路示意圖；圖5為傳統(tǒng)電路連接側(cè)視圖；圖6為傳統(tǒng)電路連接俯視圖。其中：A：上下層微帶電路連接處1：上層微帶電路2：下層微帶電路3：地板4：金屬導(dǎo)電柱5：冗余銅層電路5-1：連接電路5-2：調(diào)節(jié)電路5-3：擴(kuò)大電路5-4：圓弧倒角具體實(shí)施方式圖1為本次使用的多層功分器示意圖，在連接點(diǎn)A處的上、下層微帶電路使用金屬化過孔和金屬導(dǎo)電柱連接。由于本次設(shè)計的功分器的連接點(diǎn)較多，因此多層電路之間的連接是否可靠對功分器的性能有很大的影響。為了可靠的連接上下層微帶電路，本專利技術(shù)使用的電路如圖2、圖3所示。包括上層微帶電路1、下層微帶電路2、地板3、金屬導(dǎo)電柱4，冗余銅層電路5。金屬導(dǎo)電柱4過金屬化過孔貫穿所述上層微電路1，地板3，下層微帶電路2，其特征在于，在所述上層微電路1與金屬導(dǎo)電柱4的連接處上增加銅冗余電路5，在所述下層微帶電路2與金屬導(dǎo)電柱4的連接處下增加銅冗余電路5，所述銅冗余電路5增大了金屬導(dǎo)電柱4與上層微帶電路1金屬導(dǎo)電柱4與下層微帶電路2的接觸面積。所述冗余銅層電路5包括連接電路5-1、調(diào)節(jié)電路5-2、擴(kuò)大電路5-3，所述連接電路5-1與金屬導(dǎo)電柱4連接，所述連接電路5-1具有圓弧倒角5-4改善連接處的不連續(xù)性以避免高次模的產(chǎn)生，所述調(diào)節(jié)電路5-2為一段寬度極窄的銅層電路，所述調(diào)節(jié)電路5-2連接所述連接電路5-1與擴(kuò)大電路5-3，所述擴(kuò)大電路5-3擴(kuò)大冗余銅層電路與微帶電路的接觸面積。所述增加的冗余銅層電路5在現(xiàn)有的工藝情況下加工精度高，與此同時在裝配時通過上下層基板的固定擠壓可以很好的與上下層微帶電路連接，有效的提高多層功分器的成品率。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，采用本專利技術(shù)與不采用本專利技術(shù)產(chǎn)品的成品率分別為90％與30％，成品率提高60％。調(diào)試時間有之前的單件2小時縮短到10分鐘。很顯然，采用本專利技術(shù)有效的提高了多層功分器的成品率及調(diào)試效率。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種多層功分器上下層微帶電路連接結(jié)構(gòu)，包括上層微帶電路(1)、下層微帶電路(2)、地板(3)、金屬導(dǎo)電柱(4)，冗余銅層電路(5)。金屬導(dǎo)電柱(4)過金屬化過孔貫穿所述上層微電路(1)，地板(3)，下層微帶電路(2)，其特征在于，在所述上層微電路(1)與金屬導(dǎo)電柱(4)的連接處上增加銅冗余電路(5)，在所述下層微帶電路(2)與金屬導(dǎo)電柱(4)的連接處下增加銅冗余電路(5)，所述銅冗余電路(5)增大了金屬導(dǎo)電柱(4)與上層微帶電路(1)金屬導(dǎo)電柱(4)與下層微帶電路(2)的接觸面積。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種多層功分器上下層微帶電路連接結(jié)構(gòu)，包括上層微帶電路(1)、下層微帶電路(2)、地板(3)、金屬導(dǎo)電柱(4)，冗余銅層電路(5)。金屬導(dǎo)電柱(4)過金屬化過孔貫穿所述上層微電路(1)，地板(3)，下層微帶電路(2)，其特征在于，在所述上層微電路(1)與金屬導(dǎo)電柱(4)的連接處上增加銅冗余電路(5)，在所述下層微帶電路(2)與金屬導(dǎo)電柱(4)的連接處下增加銅冗余電路(5)，所述銅冗余電路(5)增大了金屬導(dǎo)電柱(4)與上層微帶電路(1)金屬導(dǎo)電柱(4)與下層微帶電路(2)...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：孔德武，吳楊生，唐杰，
申請(專利權(quán))人：中國航空工業(yè)集團(tuán)公司雷華電子技術(shù)研究所，
類型：發(fā)明
國別省市：江蘇,32