靜電放電單元、陣列基板和顯示面板制造技術(shù)

本公開提供了一種靜電放電單元、陣列基板和顯示面板。該靜電放電單元包括：有源層、第一柵極和第二柵極以及第一電極和第二電極，所述第一柵極和所述第二柵極彼此間隔開并與所述有源層相絕緣，所述第一電極和所述第二電極彼此間隔開并分別與所述有源層連接，并且所述第一柵極與所述第一電極電連接，所述第二柵極與所述第二電極電連接。上述靜電放電單元在實現(xiàn)雙向靜電釋放的同時降低了靜電放電單元的占用空間。

Electrostatic discharge unit, array substrate, and display panel

The present disclosure provides an electrostatic discharge cell, an array substrate, and a display panel. The electrostatic discharge unit includes an active layer, a first gate and the second gate and the first electrode and the second electrode, the first gate and the second gate spaced from each other and are insulated from the active layer and the first electrode and the second electrode spaced from each other and are respectively connected with the active layer, and the first gate electrode and the first electrode is electrically connected to the second gate is electrically connected with the second electrode. The electrostatic discharge unit reduces the occupied space of the electrostatic discharge unit while realizing bidirectional electrostatic discharge.

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
靜電放電單元、陣列基板和顯示面板
本公開實施例涉及一種靜電放電單元、陣列基板和顯示面板。
技術(shù)介紹
在顯示裝置例如液晶顯示器的生產(chǎn)過程中，在如干燥、刻蝕、配向膜摩擦、切割和搬運等的工藝過程都會產(chǎn)生靜電。為防止靜電對顯示裝置的損壞，通常例如在顯示裝置的陣列基板上設(shè)置靜電放電單元，以釋放因靜電積聚產(chǎn)生的高電平。公開內(nèi)容本公開至少一實施例提供一種靜電放電單元、陣列基板和顯示面板以解決上述問題。本公開至少一實施例提供一種靜電放電單元，包括：有源層；第一柵極和第二柵極，其彼此間隔開并與所述有源層相絕緣；以及第一電極和第二電極，其彼此間隔開并分別與所述有源層連接，其中，所述第一柵極與所述第一電極電連接，所述第二柵極與所述第二電極電連接。例如，在本公開至少一實施例提供的靜電放電單元中，在垂直于所述有源層的方向上，所述第一柵極和所述第二柵極可以位于所述有源層的不同側(cè)。例如，在本公開至少一實施例提供的靜電放電單元中，在垂直于所述有源層的方向上，所述第一柵極和所述第二柵極可以位于所述有源層的同一側(cè)并且同層設(shè)置。本公開至少一實施例提供一種陣列基板，包括靜電放電單元，其中，所述靜電放電單元包括：有源層；第一柵極和第二柵極，其彼此間隔開并與所述有源層相絕緣；以及第一電極和第二電極，其彼此間隔開并分別與所述有源層連接，所述第一柵極與所述第一電極電連接，所述第二柵極與所述第二電極電連接。例如，本公開至少一實施例提供的陣列基板，還可以包括：第一信號線，與所述第一柵極以及所述第一電極電連接；以及第二信號線，與所述第二柵極以及所述第二電極電連接。例如，本公開至少一實施例提供的陣列基板，其中，所述第一信號線包括柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線、電源線、接地線、幀開始掃描線和復(fù)位線中的至少一種，以及所述第二信號線包括柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線、電源線、接地線、幀開始掃描線和復(fù)位線中的至少一種。例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，所述第一信號線為柵線或數(shù)據(jù)線，所述第二信號線為公共電極線；或所述第一信號線為公共電極線，所述第二信號線為柵線或數(shù)據(jù)線。例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域，以及在垂直于所述有源層的方向上，所述第一柵極和所述第二柵極可以位于所述有源層的不同側(cè)。例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，在所述顯示區(qū)域中多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的像素電極，所述第一柵極與所述柵線及所述薄膜晶體管的柵極同層且同材料設(shè)置，所述有源層與所述薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置，所述第一電極和所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置，所述第二柵極與所述像素電極同層且同材料設(shè)置。例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，在所述顯示區(qū)域中多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件包括陽極、陰極以及夾設(shè)在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層，所述第一柵極與所述柵線及所述薄膜晶體管的柵極同層且同材料設(shè)置，所述有源層與所述薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置，所述第一電極和所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置，所述第二柵極與所述陽極或所述陰極同層且同材料設(shè)置。例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域，以及在垂直于所述有源層的方向上，所述第一柵極和所述第二柵極可以位于所述有源層的同一側(cè)并且同層設(shè)置。例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，在所述顯示區(qū)域中多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的像素電極，所述第一柵極和所述第二柵極與所述柵線及所述薄膜晶體管的柵極同層且同材料設(shè)置，所述有源層與所述薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置，所述第一電極和所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置。例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，在所述顯示區(qū)域中多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的發(fā)光元件，所述發(fā)光元件包括陽極、陰極以及夾設(shè)在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層，所述有源層與所述薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置，所述第一電極和所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的源電極和漏電極同層且同材料設(shè)置，所述第一柵極和所述第二柵極與所述陽極或所述陰極同層且同材料設(shè)置。例如，在本公開至少一實施例提供的陣列基板中，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域，所述靜電放電單元設(shè)置在所述周邊區(qū)域中。本公開至少一實施例提供一種顯示面板，該顯示面板可以包括上述任一的陣列基板。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術(shù)實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本專利技術(shù)的一些實施例，而非對本專利技術(shù)的限制。圖1為一種雙向靜電釋放的電路圖；圖2a為本公開一個實施例提供的靜電放電單元的一種電路圖；圖2b為圖2a所示靜電放電單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2c為圖2b所示靜電放電單元沿C-D的截面示意圖；圖2d為本公開一個實施例提供的靜電放電單元的另一種電路圖；圖3為本公開一個實施例提供的靜電放電單元的一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本公開一個實施例提供的靜電放電單元的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本公開一個實施例提供的一種陣列基板的平面圖；圖6為圖5所示陣列基板中M區(qū)域的截面示意圖；以及圖7a～圖7g為本公開一個實施例提供的一種靜電放電單元的制備方法的過程圖。附圖標(biāo)記：1-第一端；2-第二端；100-有源層；101-第一有源層；102-第二有源層；210-第一電極；220-第二電極；300-柵電極；310-第一柵極；320-第二柵極；410-第一過孔；420-第二過孔；430-第三過孔；440-第四過孔；500-襯底基板；510-柵絕緣層；520-絕緣層；610-第一信號線；620-第二信號線；1000-顯示區(qū)域；2000-周邊區(qū)域。具體實施方式為使本公開實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本公開實施例的附圖，對本公開實施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本公開的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本公開的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本公開保護(hù)的范圍。除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本公開所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點】
一種靜電放電單元，包括：有源層；第一柵極和第二柵極，其彼此間隔開并與所述有源層相絕緣；以及第一電極和第二電極，其彼此間隔開并分別與所述有源層連接，其中，所述第一柵極與所述第一電極電連接，所述第二柵極與所述第二電極電連接。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種靜電放電單元，包括：有源層；第一柵極和第二柵極，其彼此間隔開并與所述有源層相絕緣；以及第一電極和第二電極，其彼此間隔開并分別與所述有源層連接，其中，所述第一柵極與所述第一電極電連接，所述第二柵極與所述第二電極電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電單元，其中，在垂直于所述有源層的方向上，所述第一柵極和所述第二柵極位于所述有源層的不同側(cè)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所示的靜電放電單元，其中，在垂直于所述有源層的方向上，所述第一柵極和所述第二柵極位于所述有源層的同一側(cè)并且同層設(shè)置。4.一種陣列基板，包括靜電放電單元，其中，所述靜電放電單元包括：有源層；第一柵極和第二柵極，其彼此間隔開并與所述有源層相絕緣；以及第一電極和第二電極，其彼此間隔開并分別與所述有源層連接，所述第一柵極與所述第一電極電連接，所述第二柵極與所述第二電極電連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，還包括：第一信號線，與所述第一柵極以及所述第一電極電連接；以及第二信號線，與所述第二柵極以及所述第二電極電連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其中，所述第一信號線為柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線、電源線、接地線、幀開始掃描線和復(fù)位線中的至少一種，以及所述第二信號線為柵線、數(shù)據(jù)線、公共電極線、電源線、接地線、幀開始掃描線和復(fù)位線中的至少一種。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其中，所述第一信號線為柵線或數(shù)據(jù)線，所述第二信號線為公共電極線；或所述第一信號線為公共電極線，所述第二信號線為柵線或數(shù)據(jù)線。8.根據(jù)權(quán)利要求4-7任一項所述的陣列基板，其中，所述陣列基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域外側(cè)的周邊區(qū)域，以及在垂直于所述有源層的方向上，所述第一柵極和所述第二柵極位于所述有源層的不同側(cè)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其中，在所述顯示區(qū)域中多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管連接的像素電極，所述第一柵極與所述柵線及所述薄膜晶體管的柵極同層且同材料設(shè)置，所述有源層與所述薄膜晶體管的有源層同層且同材料設(shè)置，所述第一電極和所述第二電極與所述數(shù)據(jù)線及所述薄膜晶體管的源電...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張淼，孫靜，傅武霞，孫松梅，
申請(專利權(quán))人：合肥鑫晟光電科技有限公司，京東方科技集團(tuán)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：安徽,34