基于III?V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)及制備方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種基于III?V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)及制備方法，包括：有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板，包括若干個(gè)驅(qū)動(dòng)單元；LED微像素陣列，位于有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板表面，包括若干個(gè)LED微像素；各LED微像素均包括發(fā)光材料層及陽(yáng)極，各LED微像素的陽(yáng)極分別與與其對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)單元的陽(yáng)極相連接；發(fā)光材料層位于LED微像素的陽(yáng)極表面；第一導(dǎo)電類型III?V族氮化物層，位于各LED微像素的發(fā)光材料層表面，且將各LED微像素相連接；彩色顯示所需的顏色轉(zhuǎn)換膜，位于第一導(dǎo)電類型的III?V族氮化物層表面。各LED微像素及各顏色轉(zhuǎn)換膜均通過(guò)厚度很小的第一導(dǎo)電類型III?V族氮化物層相連接，既可以縮小相鄰LED微像素的間距，以提高分辨率，又可以降低相鄰顏色轉(zhuǎn)換膜之間的串?dāng)_。

III V nitride semiconductor LED full-color display device structure and preparation method based on

The invention provides a III V nitride semiconductor LED full-color display device structure and preparation method, including: Based on active matrix drive silicon backplane, including a plurality of driving units; LED micro array of pixels in the active matrix driving silicon backplane surface comprises a plurality of micro LED pixels; the micro pixel LED includes a light emitting material layer and the anode, the anode anode drive unit LED micro pixels respectively with the corresponding connection; anode surface material layer in LED micro pixel luminescence; the first conductivity type III V nitride layer, a light-emitting material layer in the surface of LED micro pixels, and each pixel of LED micro phase connection; color display desired color conversion film, III V nitride layer located on the surface of the first conductivity type. III V first conductivity type nitride layer of the LED and the micro pixel color conversion film thickness by a small connected space can minimize the adjacent pixels of the micro LED, in order to improve the resolution, but also can reduce the crosstalk between adjacent color conversion film.

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)及制備方法
本專利技術(shù)屬于半導(dǎo)體
，特別是涉及一種基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)及制備方法。
技術(shù)介紹
近年來(lái)，隨著III-V族氮化物(III-Nitride)半導(dǎo)體LED芯片技術(shù)和生產(chǎn)工藝的日益進(jìn)步，超高亮度外延片和芯片生產(chǎn)、封裝關(guān)鍵技術(shù)的不斷突破，其成本也不斷降低，基于氮化物(III-Nitride)半導(dǎo)體LED像素的LED顯示器以其遠(yuǎn)超液晶覆硅(liquid-crystal-on-silicon,LCOS)和有機(jī)半導(dǎo)體LED(Organic-LED,OLED)的卓越性能，成為L(zhǎng)COS和OLED之外的另一個(gè)更具技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展前途的微顯示技術(shù)。目前，基于氮化物(III-Nitride)半導(dǎo)體LED陣列的顯示技術(shù)面臨的一個(gè)挑戰(zhàn)是如何實(shí)像全彩顯示，這主要是由于在現(xiàn)有的技術(shù)條件下，還很難在同一單晶襯底上通過(guò)外延的方法制造半導(dǎo)體紅、綠、藍(lán)LED器件。在氮化物(III-Nitride)半導(dǎo)體LED彩色顯示領(lǐng)域，現(xiàn)有的專利(包括專利申請(qǐng))技術(shù)可以歸納為下面幾類：1.采用多顆(至少三顆以上)相互分離并且獨(dú)立的紅、綠、藍(lán)LED芯片通過(guò)封裝或鍵和的方式集成到同一硅基電路(薄膜晶體管TFT或單晶硅CMOS)基板上形成二維LED芯片陣列，并單獨(dú)驅(qū)動(dòng)其中的每一顆芯片，實(shí)現(xiàn)彩色顯示效果(US09343448，PCT/EP2015/067749，PCT/EP2015/067751，PCT/CN2013/089079,PCT/CN2013/089719)；2.采用多顆相互分離并且獨(dú)立的白光LED芯片封裝在同一電路基板上，形成二維白光LED芯片陣列，然后在白光LED芯片陣列上制作RGB濾光像素圖案，每一個(gè)紅色，綠色或藍(lán)色濾光像素都覆蓋在對(duì)應(yīng)的白光LED芯片之上，形成對(duì)應(yīng)的RGB彩色發(fā)光像素，相鄰的彩色發(fā)光像素之間使用不透光的遮擋壁防止串?dāng)_，實(shí)現(xiàn)彩色顯示效果(PCT/CN2014/073773，CN105047681)；3.在單顆LED芯片上制造多個(gè)短波長(zhǎng)(如藍(lán)光或紫光)微小LED像素器件，這些微小LED像素器件擁有同一個(gè)LED芯片襯底，形成在單一芯片上集成的微小LED像素陣列，陣列中每一個(gè)微小LED像素都擁有橫向電流傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)，即陰極Ohmic金屬接觸和陽(yáng)極Ohmic金屬接觸都朝向背對(duì)LED芯片襯底的一側(cè)，和CMOS硅基背板上的驅(qū)動(dòng)像素的電極面對(duì)面通過(guò)鍵合的方式連接，且電流在微小LED像素器件中主要沿著平行于LED芯片襯底表面的方向傳輸，最后在每一個(gè)短波長(zhǎng)(如藍(lán)光或紫光)微小LED像素器件的LED芯片襯底上方放置紅色或綠色或藍(lán)色顏色轉(zhuǎn)換薄膜，形成對(duì)應(yīng)的紅-綠-藍(lán)(RGB)彩色發(fā)光像素陣列，實(shí)現(xiàn)彩色顯示效果(US09047818，US09111464)。這些現(xiàn)有的氮化物(III-Nitride)LED彩色顯示技術(shù)由于所采用的結(jié)構(gòu)限制，目前還存在一些重要缺陷和不足：上述的前三類專利技術(shù)采用相互分離并且獨(dú)立的多顆LED芯片，固定到主動(dòng)驅(qū)動(dòng)的硅基背板電路上，構(gòu)成最終的彩色發(fā)光像素陣列，顯示陣列中所有相鄰像素的距離很難達(dá)到很小(≥5μm)，造成了彩色顯示器的低分辨率(≤500ppi)。第四類專利技術(shù)在單顆LED芯片上制造多個(gè)微小LED像素器件，這些微小LED像素器件擁有同一個(gè)LED芯片襯底，像素之間的微小間距可以通過(guò)使用半導(dǎo)體微納加工技術(shù)形成狹窄的空氣溝槽的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，像素間距最小可以達(dá)到微米甚至亞微米范圍(0≤t≤10μm)。但第四類專利技術(shù)中所有的微小LED像素器件都分布在共同的LED芯片襯底上，而芯片襯底的厚度無(wú)法加工到很薄(≥80μm)，而這一較大厚度的芯片襯底導(dǎo)致兩個(gè)問(wèn)題：一方面用于形成彩色顯示的紅綠藍(lán)或白光轉(zhuǎn)換薄膜需要放置在襯底表面，和微小LED像素器件的發(fā)光層距離大于襯底厚度(≥80μm)，每一個(gè)像素所發(fā)射出來(lái)的光在到達(dá)顏色轉(zhuǎn)換膜層之前已經(jīng)擴(kuò)散到相鄰的像素上方，在小間距像素的全彩顯示結(jié)構(gòu)里會(huì)造成明顯的串?dāng)_，從而不可避免地造成了彩色顯示的低分辨率(≤500ppi)；另一方面，不導(dǎo)電的芯片襯底(如常用的藍(lán)寶石襯底sapphire)在器件結(jié)構(gòu)中要求電流在微小LED像素器件中平行于LED芯片襯底的表面橫向傳輸，造成了較高的器件工作電壓(Vf)，降低了顯示器中的像素的發(fā)光效率。此外，在前述專利的像素驅(qū)動(dòng)電路中，灰度信號(hào)暫時(shí)寄存于MOS電容或MOS晶體管的柵電容中。這些電容中的電荷泄漏造成驅(qū)動(dòng)晶體管柵壓漂移，進(jìn)而引起流過(guò)LED的電流漂移，導(dǎo)致LED亮度變化，從而不能準(zhǔn)確還原應(yīng)有的灰度。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本專利技術(shù)的目的在于提供一種基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)及制備方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于氮化物(III-Nitride)半導(dǎo)體LED彩色顯示器件結(jié)構(gòu)采用相互分離并且獨(dú)立的多顆LED芯片而存在的所有相鄰像素的距離很難達(dá)到很小，造成了彩色顯示器的低分辨率問(wèn)題；由于微小LED像素器件擁有同一個(gè)較厚的LED芯片襯底而導(dǎo)致的在小間距像素的全彩顯示結(jié)構(gòu)里會(huì)造成明顯的串?dāng)_，從而不可避免地造成了彩色顯示的低分辨率的問(wèn)題，以及不導(dǎo)電的芯片襯底在器件結(jié)構(gòu)中要求電流在微小LED像素器件中平行于LED芯片襯底的表面橫向傳輸，造成了較高的器件工作電壓，降低了顯示器中的像素的發(fā)光效率的問(wèn)題；以及由于灰度信號(hào)暫時(shí)寄存于MOS電容或MOS晶體管的柵電容中而導(dǎo)致的驅(qū)動(dòng)晶體管柵壓漂移，進(jìn)而引起流過(guò)LED的電流漂移，導(dǎo)致LED亮度變化，從而不能準(zhǔn)確還原應(yīng)有的灰度的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本專利技術(shù)提供一種基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，所述基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)包括：有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板，所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板內(nèi)包括若干個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元均包括陽(yáng)極及公共陰極；LED微像素陣列，位于所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板表面，包括若干個(gè)LED微像素；所述LED微像素在所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基板表面呈陣列分布；各所述LED微像素均包括發(fā)光材料層及陽(yáng)極，各所述LED微像素的陽(yáng)極均位于所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板表面，且分別與與其對(duì)應(yīng)的所述驅(qū)動(dòng)單元的陽(yáng)極相連接；所述發(fā)光材料層位于所述LED微像素的所述陽(yáng)極表面；第一導(dǎo)電類型III-V族氮化物層，位于各所述LED微像素的發(fā)光材料層表面，且將各所述LED微像素相連接；彩色顯示所需的顏色轉(zhuǎn)換膜，位于所述第一導(dǎo)電類型的III-V族氮化物層表面。作為本專利技術(shù)的基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述發(fā)光材料層包括量子阱層及第二導(dǎo)電類型III-V族氮化物層，所述第二導(dǎo)電類型III-V族氮化物層位于所述LED微像素的陽(yáng)極表面，所述量子阱層位于所述第二導(dǎo)電類型III-V族氮化物層表面。作為本專利技術(shù)的基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述驅(qū)動(dòng)單元的數(shù)量與所述LED微像素的數(shù)量相同。作為本專利技術(shù)的基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，所述基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)還包括透明電極層，位于所述第一導(dǎo)電類型III-V族氮化物層表面，且位于所述第一導(dǎo)電類型III-V族氮本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種基于III?V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基于III?V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)包括：有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板，所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板內(nèi)包括若干個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元均包括陽(yáng)極及共用陰極；LED微像素陣列，位于所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板表面，包括若干個(gè)LED微像素；所述LED微像素在所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基板表面呈陣列分布；各所述LED微像素均包括發(fā)光材料層及陽(yáng)極，各所述LED微像素的陽(yáng)極均位于所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板表面，且分別與與其對(duì)應(yīng)的所述驅(qū)動(dòng)單元的陽(yáng)極相連接；所述發(fā)光材料層位于所述LED微像素的所述陽(yáng)極表面；第一導(dǎo)電類型III?V族氮化物層，位于各所述LED微像素的發(fā)光材料層表面，且將各所述LED微像素相連接；彩色顯示所需的顏色轉(zhuǎn)換膜，位于所述第一導(dǎo)電類型的III?V族氮化物層表面。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)包括：有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板，所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板內(nèi)包括若干個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，每個(gè)所述驅(qū)動(dòng)單元均包括陽(yáng)極及共用陰極；LED微像素陣列，位于所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板表面，包括若干個(gè)LED微像素；所述LED微像素在所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基板表面呈陣列分布；各所述LED微像素均包括發(fā)光材料層及陽(yáng)極，各所述LED微像素的陽(yáng)極均位于所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板表面，且分別與與其對(duì)應(yīng)的所述驅(qū)動(dòng)單元的陽(yáng)極相連接；所述發(fā)光材料層位于所述LED微像素的所述陽(yáng)極表面；第一導(dǎo)電類型III-V族氮化物層，位于各所述LED微像素的發(fā)光材料層表面，且將各所述LED微像素相連接；彩色顯示所需的顏色轉(zhuǎn)換膜，位于所述第一導(dǎo)電類型的III-V族氮化物層表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于IIII-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述發(fā)光材料層包括量子阱層及第二導(dǎo)電類型IIII-V族氮化物層，所述第二導(dǎo)電類型IIII-V族氮化物層位于所述LED微像素的陽(yáng)極表面，所述量子阱層位于所述第二導(dǎo)電類型IIII-V族氮化物層表面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述驅(qū)動(dòng)單元的數(shù)量與所述LED微像素的數(shù)量相同。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括透明電極層，位于所述第一導(dǎo)電類型IIII-V族氮化物層表面，且位于所述第一導(dǎo)電類型IIII-V族氮化物層與所述顏色轉(zhuǎn)換膜之間，構(gòu)成所述LED微像素陣列的公共陰極，所述透明電極層與所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板的公共陰極通過(guò)橋聯(lián)金屬相連接。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括絕緣透明薄膜，所述絕緣透明薄膜位于所述透明電極層表面，且位于所述透明電極層與所述顏色轉(zhuǎn)換膜之間。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括邊緣公共陰極及絕緣透明薄膜，所述邊緣公共陰極位于所述LED微像素陣列外側(cè)，且位于所述第一導(dǎo)電類型III-V族氮化物層表面，所述邊緣公共陰極與所述有源矩陣驅(qū)動(dòng)硅基背板的公共陰極通過(guò)橋連金屬相連接；所述絕緣透明薄膜位于所述第一導(dǎo)電類型IIII-V族氮化物層表面，且位于所述第一導(dǎo)電類型IIII-V族氮化物層與所述顏色轉(zhuǎn)換膜之間。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述LED微像素為紫光LED微像素或紫外光LED微像素，所述顏色轉(zhuǎn)換膜包括：紅光轉(zhuǎn)換膜、綠光轉(zhuǎn)換膜及藍(lán)光轉(zhuǎn)換膜，所述紅光轉(zhuǎn)換膜、所述綠光轉(zhuǎn)換膜及所述藍(lán)光轉(zhuǎn)換膜在所述第一導(dǎo)電類型IIII-V族氮化物層表面呈陣列分布，且一一對(duì)應(yīng)設(shè)置于所述LED微像素正上方。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于IIII-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述LED微像素為小于480nm短波長(zhǎng)光LED微像素，所述顏色轉(zhuǎn)換膜包括：紅光濾光膜、綠光濾光膜、藍(lán)光濾光膜及白光轉(zhuǎn)換膜，所述白光轉(zhuǎn)換膜位于所述第一導(dǎo)電類型III-V族氮化物表面，所述紅光濾光膜、所述綠光濾光膜及所述藍(lán)光濾光膜在所述白光轉(zhuǎn)換膜表面呈陣列分布，且一一對(duì)應(yīng)設(shè)置于所述LED微像素正上方。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于IIII-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述白光轉(zhuǎn)換膜的厚度小于5倍相鄰所述LED微像素之間的間距。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述LED微像素為藍(lán)光LED微像素，所述顏色轉(zhuǎn)換膜包括紅光轉(zhuǎn)換膜及綠光轉(zhuǎn)換膜，所述紅光轉(zhuǎn)換膜及所述綠光轉(zhuǎn)換膜在所述第一導(dǎo)電類型IIII-V族氮化物層表面呈陣列分布，且一一對(duì)應(yīng)設(shè)置于部分所述LED微像素正上方。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括鈍化層，所述鈍化層位于各所述LED微像素中裸露的所述發(fā)光材料層的表面?zhèn)缺诩案魉鯨ED微像素之間的所述第一導(dǎo)電類型III-V族氮化物層的表面。12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述驅(qū)動(dòng)單元包括：開(kāi)關(guān)-驅(qū)動(dòng)晶體管，包括柵極、源極及漏極；所述開(kāi)關(guān)-驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極與一電流源相連接，源極與所述LED微像素的陽(yáng)極相連接；第一開(kāi)關(guān)晶體管，包括柵極、源極及漏極；所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與同步開(kāi)關(guān)信號(hào)線相連接，源極與所述開(kāi)關(guān)-驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極相連接；閂鎖寄存器，包括輸入端及輸出端；所述閂鎖寄存器的輸入端與脈寬或幅度調(diào)制信號(hào)相連接，輸出端與所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的漏極相連接。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基于IIII-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述驅(qū)動(dòng)單元還包括第二開(kāi)關(guān)晶體管，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管包括柵極、源極及漏極，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與地址總線相連接，漏極與數(shù)據(jù)總線相連接，源極與所述閂鎖寄存器的輸入端相連接。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述閂鎖寄存器包括；第一PMOS晶體管，包括柵極、源極及漏極；所述第一PMOS晶體管的漏極與電源電壓相連接；第二PMOS晶體管，包括柵極、源極及漏極；所述第二PMOS晶體管的漏極與所述電源電壓相連接；第一NMOS晶體管，包括柵極、源極及漏極；所述第一NMOS晶體管的柵極與所述第一PMOS晶體管的柵極相連接，漏極與所述第一PMOS管的源極相連接作為所述閂鎖寄存器的輸出端，源極接地；第二NMOS晶體管，包括柵極、源極及漏極；所述第二NMOS晶體管的柵極與所述第二PMOS晶體管的柵極相連接，漏極與所述第二PMOS管的源極相連接作為所述閂鎖寄存器的輸入端，源極接地。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基于IIII-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述閂鎖寄存器包括；第三NMOS晶體管，包括柵極、源極及漏極；所述第三NMOS晶體管的柵極與所述地址總線相連接，漏極為所述閂鎖寄存器的輸出端；電容，一端與所述第三NMOS晶體管的源極相連接作為所述閂鎖寄存器的輸出端，另一端接地。16.一種基于III-V族氮化物半導(dǎo)體的LED全彩顯示器件結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：1)提供生長(zhǎng)襯底，在所述生長(zhǎng)襯底表面依次生長(zhǎng)緩沖層、第一導(dǎo)電類型III-V族氮化物層、量子阱層及第二導(dǎo)電類型III-V族氮化物層；2)選擇性刻蝕所述第二導(dǎo)電類型III-V族氮化物層及所述量...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張希娟，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：張希娟，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：江蘇,32