具有反饋功能的靈敏放大器鉗位電路制造技術

本發明專利技術公開了一種具有反饋功能的靈敏放大器鉗位電路，其特征在于：包含三個PMOS、三個NMOS、一個比較器，第一PMOS的源極接電源，漏極接第一NMOS的漏極以及比較器的正向輸入端，比較器的反向輸入端接參考電壓，第一NMOS的源極接存儲單元；第一PMOS的柵極接預充電信號；第二PMOS與第二NMOS串聯，第三PMOS與第三NMOS串聯，第二PMOS的源極與第三PMOS的源極接電源，第二NMOS與第三NMOS的漏極均接地，第二PMOS與第二NMOS的柵極接第一NMOS的源極；第一NMOS的柵極接第二PMOS的漏極；第三PMOS與第三NMOS的柵極并聯后與第三PMOS的漏極短接；比較器輸出比較信號。本發明專利技術在傳統靈敏放大器鉗位電路的基礎上增加兩個PMOS以及兩個NMOS，形成自反饋結構，提供更加穩定的鉗位電壓。

Sensitive amplifier clamping circuit with feedback function

The invention discloses a feedback function of the sense amplifier clamp circuit, which is characterized in that: contains three PMOS, three NMOS, a comparator, the first source of PMOS is connected to the power supply, drain drain and comparator positive input terminal connected to the first electrode NMOS, reverse voltage reference to the input terminal of the comparator first, the source of NMOS is connected to the storage unit; the first gate PMOS is connected with the precharge signal; second PMOS and second NMOS series, third PMOS and third NMOS series, second PMOS source and third PMOS source power, second NMOS and third NMOS are connected to the drain, gate second and PMOS second NMOS with the first NMOS source drain gate; the first NMOS second PMOS; third PMOS and third NMOS parallel gate and drain after third PMOS shorted the comparator output signal. In the invention, two PMOS and two NMOS are added on the basis of a conventional sensitive amplifier clamping circuit to form a self feedback structure to provide a more stable clamping voltage.

【技術實現步驟摘要】
具有反饋功能的靈敏放大器鉗位電路
本專利技術涉及半導體領域，特別是指一種具有反饋功能的靈敏放大器鉗位電路。
技術介紹
傳統電荷轉移靈敏放大器如圖1所示，包含一個PMOSP0以及一個NMOSN0，以及一個比較器。在其工作時：階段1：預充電信號電壓PRCHGB為低，VD充電到VDD電壓，BL充電到VCLAMP+Vgs_n0；階段2:預充電信號電壓PRCHGB為高，p0關斷；由于UVD*CVD＝UBL*CBL，當cell有電流時UBL降低，而BL上cell電容較大，CBL>CVD。所以UVD的變化會從VDD電壓開始下降，當低于VREF時，經過比較器讀出數據。但是由于cell要正常讀出電流BL電壓不能過低，否則電流會因為太小而讀取失敗，太高則會將cell中存儲的數據改變，所以VCLAMP需要是相對穩定電壓，BL電容較大，所以充電速度較慢。當電源電壓VDD范圍較大時，VCLAMP仍要保持比較穩定的電壓。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供一種具有反饋功能的靈敏放大器鉗位電路。為解決上述問題，本專利技術所述的具有反饋功能的靈敏放大器鉗位電路，包含三個PMOS、三個NMOS、一個比較器，第一PMOS的源極接電源，漏極接第一NMOS的漏極以及比較器的正向輸入端，比較器的反向輸入端接參考電壓，第一NMOS的源極接存儲單元；第一PMOS的柵極接預充電信號電壓PRCHGB；第二PMOS與第二NMOS串聯，第三PMOS與第三NMOS串聯，第二PMOS的源極與第三PMOS的源極接電源，第二NMOS與第三NMOS的漏極均接地，第二PMOS與第二NMOS的柵極接第一NMOS的源極；第一NMOS的柵極接第二PMOS的漏極；第三PMOS與第三NMOS的柵極并聯后與第三PMOS的漏極短接；比較器輸出比較信號。通過第二PMOS與第二NMOS提供鉗位電壓給第一NMOS的柵極。通過第二PMOS與第二NMOS形成自反饋，同時第三PMOS與第三NMOS提供電壓來穩定鉗位電壓。本專利技術在傳統靈敏放大器鉗位電路的基礎上增加兩個PMOS以及兩個NMOS，形成自反饋結構，提供更加穩定的鉗位電壓。附圖說明圖1是傳統的的電荷轉移靈敏放大器電路結構。圖2是本專利技術帶反饋功能的靈敏放大器鉗位電路。第一PMOSP0，第二PMOSP1，第三PMOSP2，第一NMOSN0，第二NMOSN1，第三NMOSN2。具體實施方式本專利技術所述的具有反饋功能的靈敏放大器鉗位電路如圖2所示，包含三個PMOS(P0～P2)、三個NMOS(N0～N2)、一個比較器，第一PMOSP0的源極接電源VDD，漏極接第一NMOSN0的漏極以及比較器的正向輸入端，比較器的反向輸入端接參考電壓VREF，第一NMOSN0的源極接存儲單元CELL；第一PMOSP0的柵極接預充電信號電壓PRCHGB；P1與N1串聯，P2與N2串聯，P1的源極與P2的源極接電源VDD，N1與N2的漏極均接地，P1與N1的柵極接N0的源極；N0的柵極接P1的漏極；P2與N2的柵極并聯后與P2的漏極短接；比較器輸出比較信號。上述電路結構針對傳統電路的缺點，增加P1和N1，提供鉗位電壓FD。在初始階段時BL為0，FD為高電平。這樣當P0開啟時，N0開啟比較充分，BL充電速度會更快。同時由于VDD范圍較大，為防止VDD電壓較高時FD電壓太高，而改寫cell的數據，利用P2和N2，VC＝Vgs_P2+Vgs_N2，作為P1的電源，保證電壓的穩定性。通過P1、N1自反饋的結構，同時利用P2、N2提供電壓VC來穩定FD的值，實現了既加快充電速度又穩定電壓的效果。以上僅為本專利技術的優選實施例，并不用于限定本專利技術。對于本領域的技術人員來說，本專利技術可以有各種更改和變化。凡在本專利技術的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本專利技術的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種具有反饋功能的靈敏放大器鉗位電路，其特征在于：包含三個PMOS、三個NMOS、一個比較器，第一PMOS的源極接電源，漏極接第一NMOS的漏極以及比較器的正向輸入端，比較器的反向輸入端接參考電壓，第一NMOS的源極接存儲單元；第一PMOS的柵極接預充電信號；第二PMOS與第二NMOS串聯，第三PMOS與第三NMOS串聯，第二PMOS的源極與第三PMOS的源極接電源，第二NMOS與第三NMOS的漏極均接地，第二PMOS與第二NMOS的柵極接第一NMOS的源極；第一NMOS的柵極接第二PMOS的漏極；第三PMOS與第三NMOS的柵極并聯后與第三PMOS的漏極短接；比較器輸出比較信號。

【技術特征摘要】
1.一種具有反饋功能的靈敏放大器鉗位電路，其特征在于：包含三個PMOS、三個NMOS、一個比較器，第一PMOS的源極接電源，漏極接第一NMOS的漏極以及比較器的正向輸入端，比較器的反向輸入端接參考電壓，第一NMOS的源極接存儲單元；第一PMOS的柵極接預充電信號；第二PMOS與第二NMOS串聯，第三PMOS與第三NMOS串聯，第二PMOS的源極與第三PMOS的源極接電源，第二NMOS與第三NMOS的漏極均接地，第二PMOS與第二NMOS的柵極...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王鑫，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：上海,31