具有抗反射性和高碳含量的聚合物及含有該聚合物的硬掩模組合物以及形成圖案化材料層的方法技術(shù)

提供了抗反射硬掩模組合物。所述硬掩模組合物含有有機(jī)溶劑、引發(fā)劑、和由式Ａ、式Ｂ或式Ｃ表示的至少一種聚合物，這些在說明書中有描述。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】
實(shí)施方式涉及具有抗反射性和高碳含量的聚合物、含有該聚合物的硬掩模(hardmask)組合物、形成圖案化材料層的方法、以及有關(guān)的裝置。
技術(shù)介紹
可以將抗反射涂層(ARC)材料加入平版印刷操作過程中使用的成像層 中，以將制造裝置過程中成像層與目標(biāo)材料層之間的反射率最小化。然而， 當(dāng)加入ARC材料的成像層與目標(biāo)材料層具有相似的組成時(shí)，成像層會(huì)顯示 出很差的蝕刻選擇性，使得在蝕刻目標(biāo)材料層的過程中部分成像層會(huì)損耗。 因此，可以包括硬掩模作為中間層，該硬掩模設(shè)置在成像層和目標(biāo)材料層之 間。硬掩模可以從上面的成像層接受圖案，并可被用于將圖案轉(zhuǎn)移至下面的 材料層。然而，需要顯示抗反射性能的硬掩模材料。于2006年12月30日提交至韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的、專利技術(shù)名稱為"HighEtch Resistant Hardmask Composition Having Antireflective Properties with High Carton Content and Method for Forming Patterned Material Layer Using the Same (具有高抗發(fā)射性和高碳含量的高抗蝕刻硬掩模組合物和使用該組合 物形成圖案化材料層的方法)"的韓國專利申請(qǐng)No. 10-2006-0139169的全 部內(nèi)容在此引入作為參考。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
因此，實(shí)施方式指向具有抗反射性和高碳含量的聚合物，含有該聚合物 的硬掩模組合物，形成圖案化材料層的方法，以及有關(guān)的裝置，這些基本上克服了由相關(guān)的技術(shù)的限制和缺點(diǎn)產(chǎn)生的一個(gè)或多個(gè)問題。因此，實(shí)施方式的一個(gè)特征提供了在主鏈中具有含芳環(huán)的基團(tuán)和高碳含 量的聚合物。因此，實(shí)施方式的另一個(gè)特征提供了含有該組合物的抗反射硬掩模組合物。因此，實(shí)施方式的另一個(gè)特征提供了使用抗反射硬掩模組合物制造裝置 的方法，以及使用硬掩模組合物形成的裝置。通過提供由式A表示的雙(苯基)荷主鏈聚合物來實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)上述和其 它特征<formula>formula see original document page 10</formula>芴基可以為未取代的或取代的，m可以為至少1且小于約750， n可以 為至少1或小于約750; R,可以為亞甲基或者可以包括含非芴芳基的連接基 團(tuán)；R2可以為氧或具有1至約7個(gè)碳的垸氧基，其中垸氧基的氧與氫H或 基團(tuán)G連接；且G可以為乙烯基或烯丙基。芴基可以為取代的，使得式A由式1表示<formula>formula see original document page 10</formula>R3可以為羥基、約10個(gè)碳以下的烴基、或者鹵素。R3可以為約10個(gè) 碳以下的烴基，且約lO個(gè)碳以下的烴基可以包括d-Cu)烷基、C6-Ch)芳基、 或者烯丙基。R,可以為<formula>formula see original document page 11</formula>該聚合物的重均分子量可以為約1000-30000-還可以通過提供由式B表示的萘主鏈聚合物來實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)(B)。萘基可以為未取代的或取代的，m可以為至少1且小于約750， n可以 為至少1且小于約750; R,可以為亞甲基或者可以包括含非萘芳基的連接基 團(tuán)；R2可以為氧或具有1至約7個(gè)碳的垸氧基，其中垸氧基的氧與氫H或 基團(tuán)G連接；且G可以為乙烯基或烯丙基。萘基可以是取代的，使得式B由式2表示<formula>formula see original document page 11</formula>(2)。R3、 R4和Rs可以各自獨(dú)立地為氫、羥基、約10個(gè)碳以下的烴基、或者 鹵素，且R3、 R4和Rs中的至少一個(gè)可以不為氫。R3、 R4和Rs中的至少一 個(gè)可以為約10個(gè)碳以下的烴基，且約10個(gè)碳以下的烴基可以包括CrCu) 垸基、C6-Cu)芳基、或者烯丙基。R,可以為<formula>formula see original document page 11</formula>該聚合物的重均分子量可以為約1000-30000。還可以通過提供由式C表示的芘主鏈聚合物來實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn):(c)。芘基可以為未取代的或取代的，m可以為至少1且小于約750， n可以 為至少1且小于約750; R,可以為亞甲基或者可以包括含非芘芳基的連接基 團(tuán)；R2可以為氧或具有1至約7個(gè)碳的烷氧基，其中烷氧基的氧與氫H或 基團(tuán)G連接；且G可以為乙烯基或烯丙基。芘基可以是取代的，使得式C由式3表示(3)。R3、 R4、 R5、 R6和R7可以各自獨(dú)立地為氫、羥基、約10個(gè)碳以下的烴 基、或者鹵素，且R3、 R4、 R5、 R6和R7中的至少一個(gè)可以不為氫。R3、 R4、 R5、 &和R7中的至少一個(gè)可以為約IO個(gè)碳以下的烴基，且約10個(gè)碳以下 的烴基可以包括Crdo垸基、Q-CH)芳基或者烯丙基。Ri可以為<formula>formula see original document page 12</formula>該聚合物的重均分子量可以為約1000-30000。還可以通過提供抗反射硬掩模組合物來實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)上述和其它特征 和優(yōu)點(diǎn)，該組合物含有有機(jī)溶劑、引發(fā)劑、和由式A、 B或C表示的至少一 種聚合物<formula>formula see original document page 13</formula>在式A中，芴基可以為未取代的或取代的，在式B中，萘基可以是未 取代的或取代的，且在式C中，芘基可以為未取代的或取代的。在所有式A、 式B或式C中，m可以為至少1且小于約750，n可以為至少1且小于約750; R,可以為亞甲基或者可以包括芳基連接基團(tuán)；R2可以為氧或具有1至約7 個(gè)碳的烷氧基，其中垸氧基的氧與氫H或基團(tuán)G連接；且G可以為乙烯基 或烯丙基。基于100重量份的有機(jī)溶劑，組合物可以含有約1-30重量份的至少一 種聚合物。該組合物還可以含有交聯(lián)劑和催化劑。組合物可以含有約1-20 重量％的至少一種聚合物，約0.001-5重量％的引發(fā)劑，約75-98.8重量％的 有機(jī)溶劑，約0.1-5重量％的交聯(lián)劑，和約0.001-0.05重量％的催化劑。該組 合物還可以含有交聯(lián)劑，且該交聯(lián)劑可以包括醚化的氨基樹脂、N-甲氧基甲 基三聚氰胺樹脂、N-丁氧基甲基三聚氰胺樹脂、甲基化的脲樹脂、丁基化的 脲樹脂、甘脲衍生物、2,6-雙(羥甲基)-對(duì)甲酚化合物、或雙環(huán)氧化合物 (bisepoxy compound)中的——禾中或多禾中。還可以通過提供將材料層圖案化的方法來實(shí)現(xiàn)至少一個(gè)上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)，該方法包括使用實(shí)施方式的組合物在材料層上形成硬掩模層，在 硬掩模層上形成輻射敏感成像層，以形成圖案的方式將成像層暴露到輻射中 以在成像層中形成輻射曝光區(qū)域的圖案，選擇性地除去部分成像層和硬掩模 層以暴露部分材料層，以及蝕刻通過硬掩模層中的開口暴露的部分材料層。附圖說明通過參考附圖詳細(xì)地描述示例的實(shí)施方式，本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種雙苯基芴主鏈聚合物，該聚合物由式Ａ表示：　＊＊＊　（Ａ），　其中：　芴基為未取代的或取代的，　ｍ為至少１并小于約７５０，　ｎ為至少１并小于約７５０，　Ｒ↓［１］為亞甲基或包括含非芴芳基的連接基團(tuán)，　Ｒ↓［２］為氧或具有１至約７個(gè)碳的烷氧基，其中烷氧基的氧與氫Ｈ或基團(tuán)Ｇ結(jié)合，且　Ｇ為乙烯基或烯丙基。

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：尹敬皓，金鐘涉，魚東善，吳昌一，邢敬熙，金旼秀，李鎮(zhèn)國，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：第一毛織株式會(huì)社，
類型：發(fā)明
國別省市：KR[韓國]