用于半導體存儲裝置的控制器及其操作方法制造方法及圖紙

本發明專利技術提供一種控制器，其包括：命令生成單元，其適用于生成用于選自所述多個頁的至少一個頁的第一讀取命令；誤差校正塊，其適用于響應于第一讀取命令對儲存在所述至少一個選擇的頁中的一個或多個編碼字執行第一誤差校正操作；以及命令鏡像單元，其適用于通過對第一讀取命令進行鏡像來生成鏡像命令。

Controller for semiconductor memory device and operation method thereof

The invention relates to a controller, which includes a command generating unit for at least one page to generate from the plurality of pages of the first read command; error correction block, which is applicable to the response to the first command to read stored in the at least one selected page in one or more a character encoding performs a first error correction operation command; and image unit, which is suitable for the first mirror image to generate a read command command.

【技術實現步驟摘要】
用于半導體存儲裝置的控制器及其操作方法
各種示例性實施例總體涉及一種電子裝置，且更具體地，涉及一種用于半導體存儲裝置的控制器及其操作方法。
技術介紹
半導體存儲裝置是由諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(Inp)的半導體材料制成的儲存裝置。半導體存儲裝置可被分類為易失性存儲裝置和非易失性存儲裝置。當斷電時，易失性存儲裝置通常丟失儲存的數據。易失性存儲裝置的示例包括靜態RAM(SRAM)、動態RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存儲裝置無論通電/斷電狀態都保留儲存的數據。非易失性存儲裝置的示例包括只讀存儲器(ROM)、掩膜ROM(MROM)、可編程ROM(PROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)、電可擦除和可編程ROM(EEPROM)、閃速存儲器、相變隨機訪問存儲器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)和鐵電RAM(FRAM)。閃速存儲裝置可根據使用的邏輯門的類型被分類為NOR型和NAND型。
技術實現思路
各種實施例涉及用于控制半導體存儲裝置的操作的控制器、包括該控制器和至少一個半導體存儲裝置的存儲系統以及該控制器的操作方法。存儲系統和控制器尤其展示了改善的操作速度。在已經閱讀本公開后，本專利技術的實施例的其它優勢將對本領域技術人員變得明顯。根據一個實施例，控制器被提供用于控制包括多個頁的半導體存儲裝置。控制器可包括：命令生成單元，其適用于生成用于選自多個頁的至少一個頁的第一讀取命令；誤差校正塊，其適用于響應于第一讀取命令對儲存在至少一個選擇的頁中的一個或多個編碼字執行第一誤差校正操作；以及命令鏡像單元，其適用于通過對第一讀取命令進行鏡像來生成鏡像命令。當對一個或多個編碼字中的至少一個的誤差校正失敗時，命令鏡像單元可適用于生成第二讀取命令。控制器可適用于將第二讀取命令通信至半導體存儲裝置，且誤差校正塊適用于響應于第二讀取命令對一個或多個編碼字中的至少一個執行誤差校正操作。第二讀取命令可被輸出至半導體存儲裝置，且當對應于第二讀取命令的編碼字被從半導體存儲裝置接收時，誤差校正塊可被配置為對對應于第二讀取命令的編碼字執行誤差校正。當對一個或多個編碼字的每個的誤差校正操作通過時，命令生成單元可將誤差校正編碼字提供至主機。控制器可包括：主命令隊列，其適用于在先進先出(FIFO)的基礎上對第一讀取命令進行入列和出列；鏡像儲存單元，其適用于儲存鏡像命令；以及子命令隊列，其適用于在FIFO的基礎上對第二讀取命令進行入列和出列。控制器可包括命令選擇單元，其適用于將主命令隊列的第一讀取命令和子命令隊列的第二讀取命令中的一個提供至半導體存儲裝置。當對一個或多個編碼字中的每個的誤差校正操作通過時，鏡像儲存單元中的鏡像命令被取消。第二讀取命令可以是用于編碼字的讀取命令，其中，響應于第一讀取命令的對該編碼字的誤差校正操作失敗。第二讀取命令可以是用于選擇的頁的讀取命令。第二讀取命令可包括用于對編碼字中的至少一個或多個的一個或多個進行讀取重試操作的一系列子命令，其中，響應于第一讀取命令的對該編碼字的誤差校正操作失敗。第二讀取命令可包括用于對編碼字的一個或多個進行軟判決(softdecision)操作的一系列子命令，其中，響應于第一讀取命令的對該編碼字的誤差校正操作失敗。控制器可包括存儲控制器單元，其適用于將第一讀取命令和第二讀取命令提供至半導體存儲裝置并從半導體存儲裝置接收分別對應于第一讀取命令和第二讀取命令的編碼字。根據另一個實施例，用于控制包括多個頁的半導體存儲裝置的控制器的操作方法可包括生成用于選自多個頁的至少一個頁的第一讀取命令、響應于第一讀取命令對儲存在選擇的頁中的至少一個或多個編碼字執行誤差校正操作以及通過對第一讀取命令進行鏡像來生成鏡像命令。當對編碼字中的至少一個的誤差校正操作失敗時，第二讀取命令可基于生成的鏡像命令而生成。操作方法可包括當對編碼字中的每個的誤差校正操作通過時將誤差校正編碼字提供至主機。操作方法可進一步包括當對編碼字中的每個的誤差校正操作通過時取消鏡像命令。操作方法可進一步包括響應于第二讀取命令對一個或多個編碼字中的至少一個執行誤差校正操作。第二讀取命令可以是用于編碼字的讀取命令，其中，響應于第一讀取命令的對該編碼字的第一誤差校正操作失敗。第二讀取命令可以是用于選擇的頁的讀取命令。第二讀取命令可包括用于對編碼字的一個或多個進行讀取重試操作的一系列子命令，其中，響應于第一讀取命令的對該編碼字的誤差校正操作失敗。第二讀取命令可包括用于對至少一個或多個編碼字的一個或多個進行軟判決操作的一系列子命令，其中，響應于第一讀取命令的對該至少一個或多個編碼字的誤差校正操作失敗。根據另一個實施例，存儲系統可包括具有多個頁的半導體存儲裝置和控制半導體存儲裝置的控制器，其中，控制器包括：誤差校正塊，其適用于響應于第一讀取命令對儲存在選擇的頁中的編碼字中的每個執行誤差校正操作；以及命令鏡像單元，其適用于通過對第一讀取命令進行鏡像來生成鏡像命令，其中，當對編碼字中的至少一個的誤差校正操作失敗時，命令鏡像單元基于鏡像命令生成第二讀取命令。附圖說明圖1是說明根據一個實施例的存儲系統的框圖；圖2是進一步說明用于圖1中所示的存儲系統的半導體存儲裝置的框圖；圖3是說明圖2中所示的半導體裝置的存儲塊中的一個的框圖；圖4是說明根據一個實施例的用于半導體存儲裝置的控制器的操作方法的流程圖；圖5是示出根據一個實施例的儲存在主命令隊列和鏡像儲存單元中的命令的簡化示圖；圖6是說明從選擇的頁中讀取的頁數據的誤差校正的簡化示圖；圖7是示出儲存在字命令隊列中的命令的簡化示圖；圖8是說明根據另一個實施例的存儲系統的框圖；圖9是說明根據一個實施例的控制器的操作方法的流程圖；圖10是說明儲存在子命令隊列中的子命令的簡化示圖；圖11是說明根據一個實施例的控制器的框圖；圖12是說明根據一個實施例的存儲系統的應用示例的框圖；以及圖13是說明根據一個實施例的包括存儲系統的計算系統的框圖。具體實施方式在下文中，將參照附圖詳細地描述實施例的各種示例。附圖是被提供以允許本領域普通技術人員理解本專利技術的本專利技術的示例。然而，應該理解的是，本專利技術可以不同的形式被實施且不應被解釋為限于在附圖中提出的具體實施例。此外，應該注意的是，如在本公開中使用的術語“被連接”或“被聯接”旨在指組件被“直接電”聯接至另一個組件或通過另一個組件被間接電聯接。單數形式可包括復數形式，只要其未在語句中被特定提到。此外，在說明書中使用的“包括/包含”或“包括有/包含有”表示一個或多個組件、步驟、操作和元件存在或已經被添加。圖1是說明根據一個實施例的存儲系統的框圖。圖2是進一步說明用于圖1中所示的存儲系統的半導體存儲裝置的框圖。圖3是說明圖2中所示的半導體裝置的存儲塊中的一個的框圖。如圖1中所示，提供存儲系統10，存儲系統包括半導體存儲裝置100和用于控制半導體裝置的操作的控制器200。半導體存儲裝置100可在控制器200的控制下操作。半導體存儲裝置100可在控制器200的控制下編程數據、讀取內部儲存的數據和/或擦除內部儲存的數據。在不脫離本專利技術的范圍的情況下，其它功能還可由半導體裝置在控制器200的控制下執行。如本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于控制半導體存儲裝置的控制器，所述半導體存儲裝置包括多個頁，所述控制器包括：命令生成單元，其適用于生成用于選自所述多個頁的至少一個頁的第一讀取命令；誤差校正塊，其適用于響應于所述第一讀取命令對儲存在所述至少一個選擇的頁中的一個或多個編碼字執行第一誤差校正操作；以及命令鏡像單元，其適用于通過對所述第一讀取命令進行鏡像來生成鏡像命令。

【技術特征摘要】
2015.12.11 US 14/966,6851.一種用于控制半導體存儲裝置的控制器，所述半導體存儲裝置包括多個頁，所述控制器包括：命令生成單元，其適用于生成用于選自所述多個頁的至少一個頁的第一讀取命令；誤差校正塊，其適用于響應于所述第一讀取命令對儲存在所述至少一個選擇的頁中的一個或多個編碼字執行第一誤差校正操作；以及命令鏡像單元，其適用于通過對所述第一讀取命令進行鏡像來生成鏡像命令。2.根據權利要求1所述的控制器，其中，當對所述一個或多個編碼字中的至少一個的誤差校正失敗時，所述命令鏡像單元適用于生成第二讀取命令。3.根據權利要求1所述的控制器，其中，所述命令鏡像單元適用于在所述第一讀取命令被通信至所述半導體存儲裝置之前生成第二讀取命令。4.根據權利要求1所述的控制器，其中，所述控制器適用于將第二讀取命令通信至所述半導體存儲裝置；以及所述誤差校正塊適用于響應于所述第二讀取命令對所述一個或多個編碼字中的至少一個執行所述誤差校正操作。5.根據權利要求1所述的控制器，其中，當對所述一個或多個編碼字中的每個的所述誤差校正操作通過時，所述命令生成單元將誤差校正編碼字提供至主機。6.根據權利要求1所述的控制器，其進一步包括：主命令隊列，其適用于在先進先出(FIFO)的基礎上對所述第一讀取命令進行入列和出列；鏡像儲存單元，其適用于儲存所述鏡像命令；以及子命令隊列，其適用于在先進先出的基礎上對第二讀取命令進行入列和出列。7.根據權利要求6所述的控制器，其進一步包括命令選擇單元，其適用于將所述主命令隊列的第一讀取命令和所述子命令隊列的第二讀取命令中的一個提供至所述半導體存儲裝置。8.根據權利要求6所述的控制器，其中，當對所述一個或多個編碼字中的每個的所述誤差校正操作通過時，所述鏡像儲存單元中的鏡像命令被取消。9.根據權利要求2所述的控制器，其中，所述第二讀取命令是用于所述一個或多個編碼字中的至少一個的讀取命令，其中，響應于所述第一讀取命令的對所述一個或多個編碼字的誤差校正操作失敗。10.根據權利要求2所述的控制器，其中，所述第二讀取命令是用于所述選擇的頁的讀取命令。11.根據權利要求2所述的控制器，其中，所述第二讀取命令包括用于對所述一個或多個編碼字中的至少一個進行一個或多個讀取重試操作的一系列子命令，其中，響應于所述第一讀取命令的對所述一個或多個編碼字的誤差校正操作失敗。12.根據權利要求2所述的控制器，其中，所述第二讀取命令包括用于對所述一個或多個編碼字中的至少一個進行一個或多個軟判決操作的一系列子命令，其中，響應于所述第一讀取命令...

【專利技術屬性】
技術研發人員：盧永東，樸世天，
申請(專利權)人：愛思開海力士有限公司，
類型：發明
國別省市：韓國,KR