全方位低頻陷阱制造技術

本實用新型專利技術涉及一種全方位低頻陷阱，包括底板、頂板及本體，所述本體呈中空圓柱筒狀結構，所述底板蓋設在所述本體的底端，所述頂板蓋設在所述本體的頂端，所述本體、底板及頂板圍成吸聲腔，所述吸聲腔內設有第一引導板、第二引導板，所述本體上開設有與所述吸聲腔連通的消聲引導口，第一引導板、第二引導板分別位于所述消聲引導口的兩側且分別與所述本體連接，第一引導板與第二引導板之間形成消聲引導通道。低頻聲波經消聲引導口進入吸聲腔，在消聲引導通道的引導下，經所述入口進入兩個空腔結構內，被所述消聲壁吸收，吸音效果更好，且所述本體呈中空圓柱筒狀結，能對中高頻聲波進行全方位地反射和漫反射，使中高頻聲波多角度擴散。

Omnidirectional low-frequency trap

The utility model relates to a full range of low frequency trap, comprising a bottom plate, top plate and the body, the body is in a hollow cylindrical structure, wherein the bottom cover is arranged at the bottom of the main body, the top cover is arranged on the top of the body, the body and the base plate and the top plate surrounded by suction ones. The absorption chamber is provided with a first guide plate, second guide plate, wherein the body is provided with a sound absorption cavity communicated with the guide port, a first guide plate, second guide plates are respectively positioned on the sides of the mouth and the muffler guide are respectively connected with the main body, the first and second guide guide guide channel forming guide plate muffler between. The low frequency acoustic wave guide port into the suction muffler cavity, a guide channel guide in an anechoic, through the entrance into the two cavity structure, by the sound absorption wall, sound-absorbing effect is better, and the body is a hollow cylindrical structure, can omni-directional reflection and diffuse reflection of high-frequency sound waves so, in the high frequency sound wave multi angle diffusion.

【技術實現步驟摘要】
全方位低頻陷阱
本技術涉及建筑聲學領域，特別涉及一種全方位低頻陷阱。
技術介紹
駐波是聽音環境的大敵，尤其是在小空間內低頻駐波的影響尤為明顯，駐波產生的原因是聲音在墻面之間來回反射，反射波碰在一起，而產生增強或減弱的效果，最后的聲波動變成在原地振動、不會移動的波。由于駐波的存在，導致無論使用高級設備，高級音響，聽到的聲音十分不均衡，有些頻段聲音很大，有些卻感覺完全沒有聲音。通常只要播放遇到與駐波頻率重疊或附近的聲音，會感覺低頻隆隆，模糊不清，音量一大，甚至只聽見朦朧的低音，而無法分辨層次。
技術實現思路
基于此，有必要針對現有技術的缺陷，提供一種全方位低頻陷阱，能有效改善低頻響應，消除駐波，使聲音更清晰。其技術方案如下：一種全方位低頻陷阱，包括底板、頂板及本體，所述本體呈中空圓柱筒狀結構，所述底板蓋設在所述本體的底端，所述頂板蓋設在所述本體的頂端，所述本體、底板及頂板圍成吸聲腔，所述吸聲腔內設有第一引導板、第二引導板，所述本體上開設有與所述吸聲腔連通的消聲引導口，第一引導板、第二引導板分別位于所述消聲引導口的兩側且分別與所述本體連接，第一引導板與第二引導板之間形成消聲引導通道。其進一步技術方案如下：所述消聲引導口由本體的頂端延伸至其底端，所述第一引導板、第二引導板分別與所述本體圓弧過渡連接，且第一引導板、第二引導板的頂端分別與所述頂板連接，第一引導板、第二引導板的底端分別與所述底板連接。所述的全方位低頻陷阱還包括隔板，所述隔板設置在所述第一引導板與第二引導板之間，且隔板遠離消聲引導口的一側與所述本體的內壁連接，將所述吸聲腔分隔成兩個獨立的腔室，所述隔板與第一引導板之間、隔板與第二引導板之間分別形成消聲引導通道。所述本體與所述消聲引導通道相對的一側的內壁為向所述消聲引導口方向凸出的加強部，所述隔板與所述加強部連接，隔板的頂端與所述頂板連接，隔板的底端與所述底板連接。所述消聲引導口的寬度為30mm～80mm。所述本體、第一引導板及第二引導板為一體成型結構。所述本體、第一引導板、第二引導板、底板及頂板均為EPS材料板，所述本體、第一引導板及第二引導板分別與底板和頂板熱熔連接。所述本體、底板及頂板的外表面均覆蓋有GRG噴涂層。下面對前述技術方案的優點或原理進行說明：上述全方位低頻陷阱，通過本體、底板及頂板圍成吸聲腔，且在本體上開設有與所述吸聲腔連通的消聲引導口，且所述消聲引導口的兩側分別設有形成消聲引導通道的第一引導板、第二引導板，第一引導板、第二引導板遠離本體的一側與本體之間留有間隙，形成入口，所述第一引導板及與第一引導板連接的本體圍成內部空腔結構形成一個消聲壁，所述第二引導板及與第二引導板連接的本體圍成內部空腔結構形成另一個消聲壁，低頻聲波經消聲引導口進入吸聲腔，在消聲引導通道的引導下，經所述入口進入兩個空腔結構內，被所述消聲壁吸收，吸音效果更好，且所述本體呈中空圓柱筒狀結，能對中高頻聲波進行全方位地反射和漫反射，使中高頻聲波多角度擴散，有效改善低頻響應，消除駐波，使聲音更清晰。附圖說明圖1為本技術實施例所述全方位低頻陷阱的結構示意圖；圖2為圖1的橫向截面示意圖；圖3為本技術實施例所述全方位低頻陷阱的另一結構示意圖；圖4為圖3的橫向截面示意圖。附圖標記說明：10、底板，20、頂板，30、本體，301、吸聲腔，302、消聲引導口，310、加強部，40、第一引導板，401、消聲引導通道，50、第二引導板，60、隔板。具體實施方式如圖1-4所示，一種全方位低頻陷阱，包括底板10、頂板20及本體30，所述本體30呈中空圓柱筒狀結構，所述底板10蓋設在所述本體30的底端，所述頂板20蓋設在所述本體30的頂端，所述本體30、底板10及頂板20圍成吸聲腔301，所述吸聲腔301內設有第一引導板40、第二引導板50，所述本體30上開設有與所述吸聲腔301連通的消聲引導口302，第一引導板40、第二引導板50分別位于所述消聲引導口302的兩側且分別與所述本體30連接，第一引導板40與第二引導板50之間形成消聲引導通道401。通過本體30、底板10及頂板20圍成吸聲腔301，且在本體30上開設有與所述吸聲腔301連通的消聲引導口302，且所述消聲引導口302的兩側分別設有形成消聲引導通道401的第一引導板40、第二引導板50，第一引導板40、第二引導板50遠離本體30的一側與本體30之間留有間隙，形成入口，所述第一引導板40及與第一引導板40連接的本體30圍成內部空腔結構形成一個消聲壁，所述第二引導板50及與第二引導板50連接的本體30圍成內部空腔結構形成另一個消聲壁，低頻聲波經消聲引導口302進入吸聲腔301，在消聲引導通道401的引導下，經所述入口進入兩個空腔結構內，被所述消聲壁吸收，吸音效果更好，且所述本體30呈中空圓柱筒狀結，能對中高頻聲波進行全方位地反射和漫反射，使中高頻聲波多角度擴散，有效改善低頻響應，消除駐波，使聲音更清晰。該全方位低頻陷阱可以隨意放置在靠墻角的地方，不需要進行固定。安裝簡便，隨時變換布置，也可以直接放在墻角，或通過輔助懸掛配件進行掛裝。圖3、4所示的全方位低頻陷阱與圖1、圖2所述的全方位低頻陷阱不同之處在于，所述的全方位低頻陷阱還包括隔板60，所述隔板60設置在所述第一引導板40與第二引導板50之間，且隔板60遠離消聲引導口302的一側與所述本體30的內壁連接，將所述吸聲腔301分隔成兩個獨立的腔室，所述隔板60與第一引導板40之間、隔板60與第二引導板50之間分別形成消聲引導通道401。低頻聲波在隔板60與第一引導板40之間的消聲引導通道401的引導下進入其中一個腔室，在隔板60與第二引導板50之間的消聲引導通道401的引導下進入另一個腔室，提高對低頻聲波的吸聲量,且隔板60在吸收低頻時，產生振動，可以增大吸收低頻的能力。如圖2、4所示，所述消聲引導口302由本體30的頂端延伸至其底端，所述第一引導板40、第二引導板50分別與所述本體30圓弧過渡連接，且第一引導板40、第二引導板50的頂端分別與所述頂板20連接，第一引導板40、第二引導板50的底端分別與所述底板10連接。即在本體30的高度范圍內的低頻聲波能通過消聲引導口302進入吸聲腔301內被吸收，所述第一引導板40、第二引導板50分別與所述本體30圓弧過渡連接，連接更穩固，且第一引導板40、第二引導板50的頂端分別與所述頂板20連接，第一引導板40、第二引導板50的底端分別與所述底板10連接。這樣設置，使進入吸聲腔301的低頻聲波能通過兩個入口分別進入兩個空腔，被均勻吸收。所述本體30與所述消聲引導通道401相對的一側的內壁為向所述消聲引導口302方向凸出的加強部310，有利于進入消聲引導通道401內的聲音經外凸的加強部310作用分別擴散到兩個空腔里面，進一步消耗聲能達到吸聲的目的；如圖4所示，所述隔板60與所述加強部310連接，隔板60的頂端與所述頂板20連接，隔板60的底端與所述底板10連接，這樣設置使隔板60連接更穩固。本實施例所述消聲引導口302的寬度為30mm～80mm，吸聲效果較好。本實施例所述本體30、第一引導板40及第二引導板50為一體成型結構。所述本體30、第一引導板40、第二引導板50、底板10本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種全方位低頻陷阱，其特征在于，包括底板、頂板及本體，所述本體呈中空圓柱筒狀結構，所述底板蓋設在所述本體的底端，所述頂板蓋設在所述本體的頂端，所述本體、底板及頂板圍成吸聲腔，所述吸聲腔內設有第一引導板、第二引導板，所述本體上開設有與所述吸聲腔連通的消聲引導口，第一引導板、第二引導板分別位于所述消聲引導口的兩側且分別與所述本體連接，第一引導板與第二引導板之間形成消聲引導通道。

【技術特征摘要】
1.一種全方位低頻陷阱，其特征在于，包括底板、頂板及本體，所述本體呈中空圓柱筒狀結構，所述底板蓋設在所述本體的底端，所述頂板蓋設在所述本體的頂端，所述本體、底板及頂板圍成吸聲腔，所述吸聲腔內設有第一引導板、第二引導板，所述本體上開設有與所述吸聲腔連通的消聲引導口，第一引導板、第二引導板分別位于所述消聲引導口的兩側且分別與所述本體連接，第一引導板與第二引導板之間形成消聲引導通道。2.如權利要求1所述的全方位低頻陷阱，其特征在于，所述消聲引導口由本體的頂端延伸至其底端，所述第一引導板、第二引導板分別與所述本體圓弧過渡連接，且第一引導板、第二引導板的頂端分別與所述頂板連接，第一引導板、第二引導板的底端分別與所述底板連接。3.如權利要求2所述的全方位低頻陷阱，其特征在于，其還包括隔板，所述隔板設置在所述第一引導板與第二引導板之間，且隔板遠離消聲引導口的一側與所述本體的內壁連接，將所述吸聲腔分...

【專利技術屬性】
技術研發人員：殷藝敏，
申請(專利權)人：廣州聲博士聲學技術有限公司，
類型：新型
國別省市：廣東,44