顯示設備制造技術

本發明專利技術提供了一種顯示設備，包含：一基板；一第一金屬導電層，位于基板上；一半導體層，位于第一金屬導電層上且具有一頂面；以及一第二金屬導電層，位于頂面上且與第一金屬導電層、半導體層配合構成一薄膜晶體管結構，并具有一第一部分及一第二部分，第一部分朝第二部分延伸并與半導體層形成一通道區；其中，第一部分朝第二部分的方向為一第一延伸方向，第一部分于第一延伸方向上與第一金屬導電層重疊的區域具有一最大長度，第一部分于垂直第一延伸方向上與半導體層重疊的區域具有一最大寬度，最大長度大于最大寬度且小于或等于兩倍最大寬度。

Display device

The present invention provides a display device, comprising: a substrate; a first conductive metal layer on the substrate; a semiconductor layer is located on the first metal conductive layer and having a top surface; and a second conductive metal layer is located on the top surface of the first conductive layer, and a metal layer with a semi conductor thin film transistor structure, and has a first part and a second part, the first part towards the second part extends and forms a channel region and a semiconductor layer; wherein, the first part of the second part is the direction toward a first direction, the first part on the first extending direction of overlap with the first conductive metal layer region has a maximum length the first part, perpendicular to the first direction of extension overlaps the semiconductor layer has a maximum width, maximum length is greater than the maximum width and less than or equal to two times the maximum Width.

【技術實現步驟摘要】
顯示設備
本專利技術關于一種顯示設備，尤指一種源極或漏極具有特定的尺寸以確保薄膜晶體管結構的開關特性及顯示質量的顯示設備。
技術介紹
隨著顯示器技術不斷進步，所有的顯示設備均朝體積小、厚度薄、重量輕等趨勢發展，故目前市面上主流的顯示器裝置已由以往的陰極射線管發展成薄型顯示器，如液晶顯示設備或有機發光二極管顯示設備等。其中，液晶顯示設備或有機發光二極管顯示設備可應用的領域相當多，舉凡日常生活中使用的手機、筆記本電腦、攝影機、照相機、音樂播放器、行動導航裝置、電視等顯示設備，大多數均使用該些顯示面板。雖然液晶顯示設備或有機發光二極管顯示設備已為市面上常見的顯示設備，特別是液晶顯示設備的技術更是相當成熟，但隨著顯示設備不斷發展且消費者對顯示設備的顯示質量要求日趨提高，各家廠商無不極力發展出具有更高顯示質量的顯示設備。其中，顯示區上的薄膜晶體管結構為影響顯示設備整體效率的因素之一。有鑒于此，目前仍需針對顯示區的薄膜晶體管結構做改良，以更進一步提升顯示設備的顯示質量。
技術實現思路
本專利技術的主要目的在于提供一種顯示設備，其中第二金屬導電層中作為源極或漏極的第一部份具有特定的尺寸，以確保薄膜晶體管結構的開關特性。在此，第一部分可以是源極或漏極，若第一部分定義為源極，則第二部分定義為漏極，反之亦可。本專利技術的顯示設備包含：一基板；一第一金屬導電層，位于該基板上；一半導體層，位于該第一金屬導電層上且具有一頂面；以及一第二金屬導電層，位于該頂面上且與該第一金屬導電層、該半導體層配合構成一薄膜晶體管結構，并具有一第一部分及一第二部分，該第一部分朝該第二部分延伸并與該第二部分相距一距離且與該半導體層形成一通道區；其中，該第一部分朝該第二部分的方向為一第一延伸方向，該第一部分于該第一延伸方向上與該第一金屬導電層重疊的區域具有一最大長度(b)，該第一部分于垂直該第一延伸方向上與該半導體層重疊的區域具有一最大寬度(a)，該最大長度大于該最大寬度且小于或等于兩倍該最大寬度(a<b≦2a)。于本專利技術的顯示設備中，該第一金屬導電層具有一第一邊緣，該第一邊緣位于該第一金屬導電層與該第一部分重疊處，該半導體層具有一半導體層邊緣，該半導體層邊緣位于該半導體層與該第一部分重疊處，其中該第一邊緣的中心點與該半導體層邊緣的中心點連線為該第一延伸方向。于本專利技術的顯示設備中，該第二金屬導電層更包括一數據線，該顯示設備更包括一透明導電層，該數據線與該第二部分連接，該透明導電層設于該第二金屬導電層上且實質上平行于該資料線，且該第二金屬導電層與該透明導電層有一重疊區域。其中，該重疊區域具有一寬度，其大于零且小于8μm。更詳細而言，于本專利技術的顯示設備中，該透明導電層包括多條狀電極及多狹縫交錯設置，其中該等條狀電極實質上平行于該資料線，且該第二金屬導電層與至少一狹縫部分重疊。其中，該第二金屬導電層的該第一部分與該至少一狹縫間有一遮蔽區域；于該遮蔽區域中，該狹縫具有一狹縫邊緣，而該第一部分具有一第二邊緣，且該狹縫邊緣與該第二邊緣間的距離大于零且小于8μm。特別是，在由該透明導電層朝該基板的視角上，該狹縫邊緣與該第二邊緣間的距離大于零且小于8μm。于本專利技術的顯示設備中，該第一部分在該第一金屬導電層外具有一第一最大寬度，該第一部分在該第一金屬導電層內具有一第二最大寬度，該第一最大寬度大于該第二最大寬度。此外，于本專利技術的顯示設備中，最大寬度介于1μm至10μm之間；該第一部分與該半導體層重疊的區域的面積介于0.78μm2至200μm2之間；或于該第一部分與該半導體層重疊的區域中，該第一部分的邊緣長度介于1.57μm至15.70μm之間。因此，于本專利技術的顯示設備中，通過設計使第二金屬導電層中作為源極的第一部分具有特定尺寸，特別是，當第一部分具有特定尺寸時，可確保第一部分與半導體層重疊區域的面積，且更可確保第一部份于此重疊區域中的邊緣總長度，如此，可同時確保薄膜晶體管結構的開關特性及顯示設備的光學特性。此外，更通過設計使第二金屬導電層與透明導電層的至少一狹縫部分重疊，如此，可提升此區域的對比度。附圖說明圖1為本專利技術一較佳實施例的顯示設備的剖面示意圖。圖2為本專利技術一較佳實施例的薄膜晶體管結構的上視圖。圖3為本專利技術一較佳實施例的薄膜晶體管結構的剖面示意圖。圖4為本專利技術一較佳實施例的薄膜晶體管結構中第一部分與半導體層重疊區域的面積與電阻及穿通電壓的關系示意圖。圖5為本專利技術一較佳實施例的顯示設備的基板上方的元件示意圖。圖6為本專利技術一較佳實施例的薄膜晶體管結構的剖面示意圖。圖7為本專利技術一較佳實施例的薄膜晶體管結構及其上方的透明導電層的上視圖。圖8為本專利技術一較佳實施例的顯示設備中透明導電層的狹縫邊緣與第一部分的第二邊緣間的距離和穿透度及對比度的關系圖。圖9為本專利技術另一較佳實施例的薄膜晶體管結構的上視圖。附圖標記說明11基板12第一金屬導電層12a第一邊緣13絕緣層14半導體層141頂面14a半導體層邊緣151第一部分151a第二邊緣152第二部分153通道區161資料線2對側基板21黑色矩陣層3顯示層41,42透明導電層421狹縫421a狹縫邊緣422條狀電極a最大寬度b最大長度P1,P2中心點P3,P4點S遮蔽區域W寬度W1第一最大寬度W2第二最大寬度具體實施方式為使本專利技術的目的、技術方案和優點更加清楚明白，以下結合具體實施例，并參照附圖，對本專利技術進一步詳細說明。圖1為本專利技術一較佳實施例的顯示設備的剖面示意圖。其中，本實施例的顯示設備包括：一基板11；一對側基板2，與基板11相對設置；以及一顯示層3，設于對側基板2與基板11間。于本實施例中，基板11可為上方設置有薄膜電晶結構(圖未示)的薄膜晶體管基板，而對側基板2可為上方設置有彩色濾光層(圖未示)的彩色濾光片基板；然而，于本專利技術的其他實施例中，彩色濾光層(圖未示)也可設置在基板11上，此時，基板11則為一整合彩色濾光片陣列的薄膜晶體管基板(colorfilteronarray,COA)。此外，本實施例的顯示設備中的顯示層3可為一液晶層或一有機發光二極管元件層。當本實施例的顯示設備中的顯示層3為液晶層時，本實施例的顯示設備更包括一背光模塊，設于基板11下方。接下來，將詳細描述基板11上方的薄膜晶體管結構的結構特征。圖2及圖3分別為本專利技術一較佳實施例的薄膜晶體管結構的上視圖及剖面示意圖，其中，圖3為圖2所示A-A’剖面線的剖面示意圖。于本實施例的顯示設備中，顯示設備包含：一基板11；一第一金屬導電層12，位于基板11上；一絕緣層13，位于第一金屬導電層12上；一半導體層14，位于絕緣層13及第一金屬導電層12上且具有一頂面141；以及一第二金屬導電層，位于頂面141上且與第一金屬導電層12、半導體層14配合構成一薄膜晶體管結構，并具有一第一部分151及一第二部分152，其中，第一部分151朝第二部分152延伸并與第二部分152相距一距離且與半導體層14形成一通道區153。于本實施例中，基板11其可使用例如玻璃、塑料、可撓性材質等基材材料所制成。絕緣層13可使用如氧化物、氮化物或氮氧化物等絕緣層材料制作；于本實施例中，絕緣層13的材料為氮化硅(SiNx)。第一金屬導電層12及第二金屬導電層(包括第一部分151及本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種顯示設備，其特征在于，包含：一基板；一第一金屬導電層，位于該基板上；一半導體層，位于該第一金屬導電層上且具有一頂面；以及一第二金屬導電層，位于該頂面上且與該第一金屬導電層、該半導體層配合構成一薄膜晶體管結構，并具有一第一部分及一第二部分，該第一部分朝該第二部分延伸并與該第二部分相距一距離且與該半導體層形成一通道區；其中，該第一部分朝該第二部分的方向為一第一延伸方向，該第一部分于該第一延伸方向上與該第一金屬導電層重疊的區域具有一最大長度，該第一部分于垂直該第一延伸方向上與該半導體層重疊的區域具有一最大寬度，該最大長度大于該最大寬度且小于或等于兩倍該最大寬度。

【技術特征摘要】
1.一種顯示設備，其特征在于，包含：一基板；一第一金屬導電層，位于該基板上；一半導體層，位于該第一金屬導電層上且具有一頂面；以及一第二金屬導電層，位于該頂面上且與該第一金屬導電層、該半導體層配合構成一薄膜晶體管結構，并具有一第一部分及一第二部分，該第一部分朝該第二部分延伸并與該第二部分相距一距離且與該半導體層形成一通道區；其中，該第一部分朝該第二部分的方向為一第一延伸方向，該第一部分于該第一延伸方向上與該第一金屬導電層重疊的區域具有一最大長度，該第一部分于垂直該第一延伸方向上與該半導體層重疊的區域具有一最大寬度，該最大長度大于該最大寬度且小于或等于兩倍該最大寬度。2.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第一金屬導電層具有一第一邊緣，該第一邊緣位于該第一金屬導電層與該第一部分重疊處，該半導體層具有一半導體層邊緣，該半導體層邊緣位于該半導體層與該第一部分重疊處，其中該第一邊緣的中心點與該半導體層邊緣的中心點連線為該第一延伸方向。3.如權利要求1所述的顯示設備，其特征在于，該第二金屬導電層更包括一數據線，該顯示設備更包括一透明導電層，該數據線與該第二部分連接，該透明導電層設于該第二金屬導電層上且實質上平行于該資料線，且該第二金屬導電層與該透明導電層有一重疊區域。4.權利要求3所述的顯...

【專利技術屬性】
技術研發人員：汪安昌，崔博欽，朱夏青，孫銘謙，
申請(專利權)人：群創光電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣,71