本實(shí)用新型專利技術(shù)公開了一種芯片失效分析的測(cè)試裝置，其測(cè)試夾具包括底板、載板及夾板，底板中央設(shè)有均勻布置的金屬凸起，貫穿載板上表面、下表面設(shè)有與金屬凸起對(duì)應(yīng)的均勻布置的通孔，通孔內(nèi)設(shè)有用于與被測(cè)芯片的引腳連接的連接件，連接件包括設(shè)于載板上表面的金屬薄片及連接于金屬薄片下的金屬探針，金屬探針套設(shè)有彈性部件，且彈性部件固定于通孔內(nèi)壁，被測(cè)芯片置于載板上表面時(shí)，夾板輕壓于被測(cè)芯片上，被測(cè)芯片的引腳壓于金屬薄片上，彈性部件一起被壓縮，且金屬探針與金屬凸起電性連接；其測(cè)試機(jī)臺(tái)用于對(duì)被測(cè)芯片輸出測(cè)試信號(hào)，且可選擇地與金屬凸起電性連接。本實(shí)用新型專利技術(shù)是一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進(jìn)行失效分析的測(cè)試設(shè)備。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及芯片失效分析
，尤其涉及一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進(jìn)行失效分析的測(cè)試裝置。
技術(shù)介紹
一般來說，集成電路在研制、生產(chǎn)和使用過程中失效不可避免，隨著人們對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高，失效分析工作也顯得越來越重要，通過芯片失效分析，可以幫助集成電路設(shè)計(jì)人員找到設(shè)計(jì)上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或設(shè)計(jì)與操作中的不當(dāng)?shù)葐栴}。失效分析的意義主要表現(xiàn)具體來說，失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：失效分析是確定芯片失效機(jī)理的必要手段。失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。失效分析為設(shè)計(jì)工程師不斷改進(jìn)或者修復(fù)芯片的設(shè)計(jì)，使之與設(shè)計(jì)規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息。失效分析可以評(píng)估不同測(cè)試向量的有效性，為生產(chǎn)測(cè)試提供必要的補(bǔ)充，為驗(yàn)證測(cè)試流程優(yōu)化提供必要的信息基礎(chǔ)。失效分析主要步驟和內(nèi)容芯片開封：去除IC封膠，同時(shí)保持芯片功能的完整無損，保持die，bondpads，bondwires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。SEM掃描電鏡/EDX成分分析：包括材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察、元素組成常規(guī)微區(qū)分析、精確測(cè)量元器件尺寸等等。探針測(cè)試：以微探針快捷方便地獲取IC內(nèi)部電信號(hào)。鐳射切割：以微激光束切斷線路或芯片上層特定區(qū)域。在提高產(chǎn)品良率的過程中，產(chǎn)品工程師需要對(duì)問題產(chǎn)品進(jìn)行電性及物理失效分析，從而對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行診斷。通過電性失效分析，往往可以找出缺陷在版圖上的位置，為明確缺陷的具體情況，需要進(jìn)行物理失效分析，主要包括剝層、聚焦離子束、掃描電子顯微鏡(TEM)、VC定位技術(shù)和缺陷化學(xué)成分分析。電性失效分析是物理失效分析的前提，物理失效分析結(jié)果是電性失效分析的目的和佐證。在失效分析中，各個(gè)步驟工作配合應(yīng)用，缺一不可。為了確定物理失效分析和電性失效分析，需要對(duì)芯片的各個(gè)引腳進(jìn)行連接測(cè)試，而在檢測(cè)行業(yè)中，往往會(huì)遇到各種尺寸和封裝類型的芯片，每種芯片在測(cè)試之前需要制作夾具，這是一項(xiàng)相當(dāng)繁瑣的工作，因此有必要研發(fā)出一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進(jìn)行失效分析的測(cè)試裝置。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的是提供一種能夠廣泛適用于各種封裝結(jié)構(gòu)的芯片進(jìn)行失效分析的測(cè)試裝置。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提供的技術(shù)方案為：提供一種芯片失效分析的測(cè)試裝置，包括：測(cè)試夾具，所述測(cè)試夾具包括底板、載板及夾板，所述底板中央設(shè)有均勻布置的金屬凸起，貫穿所述載板上表面、下表面設(shè)有與所述金屬凸起對(duì)應(yīng)的均勻布置的通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)有用于與被測(cè)芯片的引腳連接的連接件，所述連接件包括設(shè)于所述載板上表面的金屬薄片及連接于所述金屬薄片下的金屬探針，所述金屬探針套設(shè)有彈性部件，且所述彈性部件固定于所述通孔內(nèi)壁，被測(cè)芯片置于所述載板上表面時(shí)，所述夾板輕壓于所述被測(cè)芯片上，被測(cè)芯片的引腳壓于所述金屬薄片上，所述彈性部件一起被壓縮，且所述金屬探針與所述金屬凸起電性連接；測(cè)試機(jī)臺(tái)，所述測(cè)試機(jī)臺(tái)用于對(duì)被測(cè)芯片輸出測(cè)試信號(hào)，且可選擇地與所述金屬凸起電性連接。所述金屬薄片微凸地設(shè)于所述載板上表面。所述底板上還設(shè)有印刷電路及若干金屬柱，所述印刷電路一端與所述金屬凸起電性連接，另一端與所述金屬柱電性連接，且所述測(cè)試機(jī)臺(tái)可選擇地與任一根所述金屬柱電性連接。所述金屬薄片與所述金屬探針為一體結(jié)構(gòu)，且所述彈性部件為下端具有向所述通孔內(nèi)壁方向凸設(shè)的凸臺(tái)，且所述彈性部件為彈簧，且所述彈簧上端抵觸于所述金屬薄片的下端面，所述彈簧下端通過所述凸臺(tái)卡合于所述通孔內(nèi)壁處。所述通孔內(nèi)設(shè)有電磁屏蔽層，并在所述通孔內(nèi)壁處涂覆有粗糙的絕緣層結(jié)構(gòu)。所述通孔分為上、下兩段，且所述通孔的上段內(nèi)徑稍大于下段內(nèi)徑，且下段與上段之間形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)，且所述彈簧上端抵觸于所述金屬薄片的下端面，所述彈簧下端卡合于所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)上。所述通孔為上大下小的圓臺(tái)狀結(jié)構(gòu)，所述彈簧上端抵觸于所述金屬薄片的下端面，所述彈簧下端卡合于所述通孔內(nèi)壁處。所述夾板包括夾板主體及可連接于所述夾板主體下部的固定板，所述固定板根據(jù)被測(cè)芯片的外形開設(shè)固定槽，且被測(cè)芯片嵌合于所述固定槽內(nèi)，所述固定板與所述夾板主體螺紋連接固定。還包括高倍攝像頭，所述高倍攝像頭設(shè)于所述夾板上方，且所述夾板主體及固定板均為高度透明結(jié)構(gòu)，當(dāng)所述夾板輕壓于所述被測(cè)芯片并將被測(cè)芯片的引腳壓于所述金屬薄片上時(shí)，可通過所述高倍攝像頭觀察被測(cè)芯片的引腳與所述金屬薄片的接觸是否良好。所述金屬薄片刷有用于與被測(cè)芯片引腳良好接觸的錫膏層或?qū)щ娿y漿層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)芯片失效分析的測(cè)試裝置，由于所述載板中，貫穿所述載板上表面及下表面設(shè)有均勻布置的通孔，因此，當(dāng)被測(cè)芯片放置于所述載板上時(shí)，無論是哪種封裝類型的芯片，均能夠?qū)⒁_置于所述通孔上的所述金屬薄片上，所述金屬薄片由于和所述金屬探針電性連接，因此所述金屬薄片受壓時(shí)，所述金屬探針與所述金屬凸起連接，而所述測(cè)試機(jī)臺(tái)只需將對(duì)應(yīng)的所述金屬凸起電性連接，則可以向被測(cè)芯片輸入測(cè)試信號(hào)。因此，本技術(shù)是一種能夠?qū)Σ煌男酒M(jìn)行測(cè)試的適用范圍極廣的測(cè)試設(shè)備，極大地縮短了測(cè)試設(shè)備的研發(fā)時(shí)間和降低設(shè)備的開發(fā)費(fèi)用。通過以下的描述并結(jié)合附圖，本技術(shù)將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本技術(shù)的實(shí)施例。附圖說明圖1為本技術(shù)芯片失效分析的測(cè)試裝置一個(gè)實(shí)施例的示意圖。圖2為如圖1所示的芯片失效分析的測(cè)試裝置的底板的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為如圖1所示的芯片失效分析的測(cè)試裝置的載板的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為如圖1所示的芯片失效分析的測(cè)試裝置的連接件的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為如圖1所示的芯片失效分析的測(cè)試裝置的通孔的一個(gè)實(shí)施例的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6為如圖1所示的芯片失效分析的測(cè)試裝置的通孔的另一個(gè)實(shí)施例的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)在參考附圖描述本技術(shù)的實(shí)施例，附圖中類似的元件標(biāo)號(hào)代表類似的元件。如上所述，如圖1-6所示，本技術(shù)實(shí)施例提供的芯片失效分析的測(cè)試裝置100，包括：測(cè)試夾具1，所述測(cè)試夾1具包括底板10、載板11及夾板12，所述底板10中央設(shè)有均勻布置的金屬凸起101，貫穿所述載板11上表面、下表面設(shè)有與所述金屬凸起101對(duì)應(yīng)的均勻布置的通孔110，所述通孔110內(nèi)設(shè)有用于與被測(cè)芯片的引腳連接的連接件111，所述連接件111包括設(shè)于所述載板11上表面的金屬薄片1110及連接于所述金屬薄片1110下的金屬探針1111，所述金屬探針1111套設(shè)有彈性部件，且所述彈性部件固定于所述通孔110內(nèi)壁，被測(cè)芯片2置于所述載板11上表面時(shí)，所述夾板12輕壓于所述被測(cè)芯片2上，被測(cè)芯片2的引腳壓于所述金屬薄片1110上，所述彈性部件一起被壓縮，且所述金屬探針1111與所述金屬凸起101電性連接；在本實(shí)施例中，所述底板10中央布設(shè)的金屬凸起101和所述載板11設(shè)置的所述通孔110均是一個(gè)陣列，該陣列中的凸起和通孔的數(shù)量及凸起與通孔的大小也是可以預(yù)先設(shè)置的，根據(jù)目前常見的芯片的引腳的結(jié)構(gòu)和引腳之間的間距設(shè)置。需要說明的是，由于目本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種芯片失效分析的測(cè)試裝置，其特征在于，包括：測(cè)試夾具，所述測(cè)試夾具包括底板、載板及夾板，所述底板中央設(shè)有均勻布置的金屬凸起，貫穿所述載板上表面、下表面設(shè)有與所述金屬凸起對(duì)應(yīng)的均勻布置的通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)有用于與被測(cè)芯片的引腳連接的連接件，所述連接件包括設(shè)于所述載板上表面的金屬薄片及連接于所述金屬薄片下的金屬探針，所述金屬探針套設(shè)有彈性部件，且所述彈性部件固定于所述通孔內(nèi)壁，被測(cè)芯片置于所述載板上表面時(shí)，所述夾板輕壓于所述被測(cè)芯片上，被測(cè)芯片的引腳壓于所述金屬薄片上，所述彈性部件一起被壓縮，且所述金屬探針與所述金屬凸起電性連接；測(cè)試機(jī)臺(tái)，所述測(cè)試機(jī)臺(tái)用于對(duì)被測(cè)芯片輸出測(cè)試信號(hào)，且可選擇地與所述金屬凸起電性連接。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種芯片失效分析的測(cè)試裝置，其特征在于，包括：
測(cè)試夾具，所述測(cè)試夾具包括底板、載板及夾板，所述底板中央設(shè)有均勻布置的金屬凸起，貫穿所述載板上表面、下表面設(shè)有與所述金屬凸起對(duì)應(yīng)的均勻布置的通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)有用于與被測(cè)芯片的引腳連接的連接件，所述連接件包括設(shè)于所述載板上表面的金屬薄片及連接于所述金屬薄片下的金屬探針，所述金屬探針套設(shè)有彈性部件，且所述彈性部件固定于所述通孔內(nèi)壁，被測(cè)芯片置于所述載板上表面時(shí)，所述夾板輕壓于所述被測(cè)芯片上，被測(cè)芯片的引腳壓于所述金屬薄片上，所述彈性部件一起被壓縮，且所述金屬探針與所述金屬凸起電性連接；
測(cè)試機(jī)臺(tái)，所述測(cè)試機(jī)臺(tái)用于對(duì)被測(cè)芯片輸出測(cè)試信號(hào)，且可選擇地與所述金屬凸起電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片失效分析的測(cè)試裝置，其特征在于，所述金屬薄片微凸地設(shè)于所述載板上表面。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片失效分析的測(cè)試裝置，其特征在于，所述底板上還設(shè)有印刷電路及若干金屬柱，所述印刷電路一端與所述金屬凸起電性連接，另一端與所述金屬柱電性連接，且所述測(cè)試機(jī)臺(tái)可選擇地與任一根所述金屬柱電性連接。
4.如權(quán)利要求2所述的芯片失效分析的測(cè)試裝置，其特征在于，所述金屬薄片與所述金屬探針為一體結(jié)構(gòu)，且所述彈性部件為下端具有向所述通孔內(nèi)壁方向凸設(shè)的凸臺(tái)，且所述彈性部件為彈簧，且所述彈簧上端抵觸于所述金屬薄片的下端面，所述彈簧下端通過所述凸臺(tái)卡合于所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：董寧，劉攀超，劉澤華，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：華測(cè)檢測(cè)認(rèn)證集團(tuán)股份有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：廣東;44
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