【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及從傳輸線到波導的過渡，更具體地涉及在基片上的印刷傳輸線與矩形波導之間的過渡。
技術介紹
已知在基片上的印刷傳輸線與矩形波導之間有幾種類型的過渡。第一類型依靠基于在包含基片的平面和波導的縱向軸線之間的垂直配置的設定。在這種情況下，支撐傳輸線的基片完全阻斷了波導的端部，并且在這條線與這個波導之間的電磁耦合隨后由下列之中任一提供：·布置在印刷電路的一個或多個接地平面中的一個或更多凹口，所述一個或更多凹口包括朝向波導的開窗，例如在文獻US2011/0267153中；·例如貼片天線類型的一個或更多輻射元件，所述一個或更多輻射元件定向成朝向波導內部輻射，如在文獻US5793263中顯著地說明的；·相當于激勵探頭的元件，其定位在波導的入口處，例如像在文獻US8022784中；·或者這些元件的任意可能的組合，乃至具有插入波導的其它元件例如空腔或“脊”，例如像在文獻US6794950中。這種第一類型過渡的一個問題在于在基片和波導之間的垂直幾何形狀以及使用的各種耦合工具導致關于這種結構的組裝的容易程度的嚴重問題，特別是關于在構成所述過渡的各個元件之間的定位的精細控制。第二類型過渡包括以下配置，其中：·要么基片被直接施加到波導的一個側面上，典型地為它的下表面或上表面；·要么波導自身轉移到印刷電路的表面上。在所有情況下，印刷傳輸線到波導的耦合是由在基片和波導的側面上<...
【技術保護點】
一種在介電基片(20)上的印刷傳輸線(10)和矩形波導(30)之間的過渡裝置，該矩形波導包括形成所述波導(30)的入口的前表面(31)、平行于所述前表面(31)并形成所述波導(30)的出口的后表面(32)、下表面(33)、平行于所述下表面(33)的上表面(34)，所述上表面和所述下表面在所述前表面(31)和所述后表面(32)之間延伸，所述波導(30)是一塊介電材料，其除了所述前表面和所述后表面之外的表面完全金屬化，所述過渡裝置包括：在加寬的同時在所述波導(30)的容積中形成于所述波導的所述入口(31)和所述后表面(32)之間的三維空腔(40)，所述入口進一步形成所述空腔的入口，所述空腔在所述波導(30)的所述下表面(33)的入口高度(H1)處并在大于所述入口高度(H1)的出口高度(H2)處距所述空腔的所述入口距離(L)處結束；沿所述波導的所述前表面(31)從所述傳輸線(10)延伸到所述三維空腔的所述入口(31)的電連接(50)。
【技術特征摘要】 【專利技術屬性】
【國外來華專利技術】2013.09.19 FR 13590451.一種在介電基片(20)上的印刷傳輸線(10)和矩形波導(30)之
間的過渡裝置，該矩形波導包括形成所述波導(30)的入口的前表面(31)、
平行于所述前表面(31)并形成所述波導(30)的出口的后表面(32)、下
表面(33)、平行于所述下表面(33)的上表面(34)，所述上表面和所述
下表面在所述前表面(31)和所述后表面(32)之間延伸，所述波導(30)
是一塊介電材料，其除了所述前表面和所述后表面之外的表面完全金屬化，
所述過渡裝置包括：
在加寬的同時在所述波導(30)的容積中形成于所述波導的所述入口
(31)和所述后表面(32)之間的三維空腔(40)，所述入口進一步形成所
述空腔的入口，所述空腔在所述波導(30)的所述下表面(33)的入口高
度(H1)處并在大于所述入口高度(H1)的出口高度(H2)處距所述空腔
的所述入口距離(L)處結束；
沿所述波導的所述前表面(31)從所述傳輸線(10)延伸到所述三維
空腔的所述入口(31)的電連接(50)。
2.根據前述權利要求所述的裝置，其中所述空腔(40)具有入口寬度
(W1)和大于所述入口寬度(W1)的出口寬度(W2)，使得所述空腔的加
寬導致高度/寬度對沿所述波導增加。
3.根據前述權利要求之一所述的裝置，其中所述介電基片(20)包括
前表面(21)和平行于所述前表面的后表面(22)，所述前表面包括形成接
地平面的導電沉積物(210)，所述后表面上印有所述傳輸線(10)，所述波
導(30)布置在所述接地平面(210)上，所述介電基片包括配置用于給所
述空腔(40)的所述入口帶來所述電連接(50)的凹口(23)，所述波導在
其下表面上包括在所述電連接高度處的未金屬化的局部區域(37)，用以防
止在所述電連接和所述波導的所述下表面之間的任何電接觸。
4.根據權利要求1或2中的一個所述的裝置，其中所述介電基片(20)
技術研發人員：JP·庫佩，S·舍尼，
申請(專利權)人：法國礦業電信學校聯盟法國國立高等電信布列塔尼學院，
類型：發明
國別省市：法國;FR
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