芯片封裝基板的制作方法以及芯片封裝基板技術(shù)

一種封裝基板制作方法，其包括：提供覆銅板，該覆銅板包括基材層及位于基材層相對兩側(cè)的第一及第二銅箔層；將該第一銅箔層制作成第一導(dǎo)電線路層，該第一導(dǎo)電線路層包括第一開口；在該第一導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)形成第三銅箔層；將該第二銅箔層制作成第二導(dǎo)電線路層，該第二導(dǎo)電線路層包括第二開口,該第一與第二開口不相互重疊；在該第二導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)形成第四銅箔層；分別將該第三及該第四銅箔層形成第三及第四導(dǎo)電線路層；在該第三與該第四導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)形成防焊層，未被防焊層覆蓋的該第三與該第四導(dǎo)電線路層成為焊墊；該第一與該第三導(dǎo)電線路層的厚度之和等于該第二導(dǎo)與該第四導(dǎo)電線路層的厚度之和。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及電路板制作領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片封裝基板的制作方法及用此方法制作而成的芯片封裝基板。
技術(shù)介紹
隨著對智能移動設(shè)備的需求的日益增加，在封裝
，對封裝產(chǎn)品輕薄化的要求也更為迫切。為使最終成型的產(chǎn)品能夠更加輕薄短小，以適用于逐漸輕薄化的移動電子設(shè)備，承載芯片的封裝基板需要盡可能的薄型化。因此，如何使得芯片封裝基板薄型化是本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
有鑒于此，有必要提供一種能解決上述問題的芯片封裝基板制作方法。一種芯片封裝基板制作方法，其包括：提供覆銅板，該覆銅板包括基材層及位于該基材層相對兩側(cè)的第一銅箔層及第二銅箔層；將該第一銅箔層制作形成第一導(dǎo)電線路層，該第一導(dǎo)電線路層包括一第一開口；在該第一導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)形成第三銅箔層；將該第二銅箔層制作形成第二導(dǎo)電線路層，該第二導(dǎo)電線路層包括一第二開口；在該第二導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)形成第四銅箔層；分別將該第三銅箔層及該第四銅箔層制作形成第三導(dǎo)電線路層及第四導(dǎo)電線路層；分別在該第三導(dǎo)電線路層與該第四導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)形成防焊層，未被防焊層覆蓋的該第三導(dǎo)電線路層與該第四導(dǎo)電線路層成為焊墊；該第一開口與該第二開口不相互重疊；該第一導(dǎo)電線路層的厚度不等于該第二導(dǎo)電線路層的厚度；該第一導(dǎo)電線路層與該第三導(dǎo)電線路層的厚度之和等于該第二導(dǎo)電線路層與該第四導(dǎo)電線路層的厚度之和。一種芯片封裝基板，其包括基材層及位于該基材層相對兩側(cè)的第一導(dǎo)電線路層與第二導(dǎo)電線路層、位于該第一導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)的第三導(dǎo)電線路層、位于該第二導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)的第四導(dǎo)電線路層、以及分別位于第三導(dǎo)電線路層與第四導(dǎo)電線路層表面的防焊層，該防焊層包括防焊層開口，被防焊層開口暴露的該第三導(dǎo)電線路層與該第四導(dǎo)電線路層為焊墊，該第一導(dǎo)電線路層包括一第一開口，該第二導(dǎo)電線路層包括一第二開口，其特征在于：該第一開口與該第二開口不相互重疊；該第一導(dǎo)電線路層的厚度不等于該第二導(dǎo)電線路層的厚度；該第一導(dǎo)電線路層與該第三導(dǎo)電線路層的厚度之和等于該第二導(dǎo)電線路層與該第四導(dǎo)電線路層的厚度之和。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本專利技術(shù)提供的封裝基板的制作方法中，在將第二銅箔層制作形成第二導(dǎo)電線路層之前，先將第二銅箔層進(jìn)行蝕刻，降低第二銅箔層的厚度，然后將第一銅箔層制作形成第一導(dǎo)電線路層與將第二銅箔層制作形成第二導(dǎo)電線路層，且第一導(dǎo)電線路層與第二導(dǎo)電線路層分開進(jìn)行，也即采用單面蝕刻以及水平DES生產(chǎn)線的方式分別制作形成第一導(dǎo)電線路層與第二導(dǎo)電線路層，從而可以實(shí)現(xiàn)封裝基板的內(nèi)層導(dǎo)電線路的薄型化，從而降低封裝基板的整體厚度。附圖說明圖1是本專利技術(shù)第一實(shí)施方式所提供的第一基板包括第一銅箔層與第二銅箔層的剖面示意圖。圖2是在第一基板的相背的兩個表面分別壓合第一抗蝕膜與第二抗蝕膜、曝光及顯影的示意圖。圖3是將第一銅箔層形成第一導(dǎo)電線路層、并且將第一導(dǎo)電線路層表面微蝕化的示意圖。圖4是在第一導(dǎo)電線路層的表面壓合包括有第三銅箔層的第二基板，并且降低第二銅箔層厚度的剖面示意圖。圖5對降低厚度的第二銅箔層進(jìn)行微蝕化提高第二銅箔層表面粗糙度的剖面示意圖。圖6是在第三銅箔層的表面壓合第三抗蝕膜，在第二銅箔層的表面壓合第四抗蝕膜，并且對第四抗蝕膜曝光顯影的剖面示意圖。圖7是移除第三抗蝕膜與第四抗蝕膜的示意圖。圖8是在第二導(dǎo)線線路層的表面壓合第三基板的示意圖。圖9是在圖8的基礎(chǔ)上形成第一貫通孔與第二貫通孔的示意圖。圖10是在圖9的基礎(chǔ)上形成第一導(dǎo)通孔與第二導(dǎo)通孔的示意圖。圖11是在第三銅箔層上形成第三抗蝕膜，在第四銅箔層上形成第四抗蝕膜，并且對第三抗蝕膜與第四抗蝕膜進(jìn)行曝光顯影的示意圖。圖12是將第三銅箔層形成第三導(dǎo)電線路層，將第四銅箔層形成第四線路層的結(jié)構(gòu)示意圖。圖13是在第三導(dǎo)電線路層與第四導(dǎo)電線路層的表面分別壓合第五與第六抗蝕膜的示意圖。圖14是對第五抗蝕膜進(jìn)行曝光顯影及對第三導(dǎo)電線路層蝕刻處理以暴露電阻層的示意圖。圖15是在第一與第四導(dǎo)電線路層的表面形成防焊層從而形成焊墊，得到芯片封裝基板的示意圖。圖16是在焊墊上形成有機(jī)保焊膜的示意圖。圖17芯片封裝基板上設(shè)置芯片形成芯片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。主要元件符號說明芯片封裝基板100第一基板10第一銅箔層11第二銅箔層12基材層13第一導(dǎo)電線路層110第一開口112第一抗蝕膜111第二抗蝕膜121第二基板20第一粘結(jié)層23電阻層22第三銅箔層21第三抗蝕膜211第四抗蝕膜221第二導(dǎo)電線路層120第二開口122第三基板30第四銅箔層31第二粘結(jié)層32第一貫通孔36第二貫通孔37第三導(dǎo)電線路層130第四導(dǎo)電線路層140導(dǎo)通孔34第一導(dǎo)通孔340第二導(dǎo)通孔350焊墊150防焊層160第五抗蝕膜311第六抗蝕膜411第七抗蝕膜511第八抗蝕膜611有機(jī)保焊膜180封裝基板中間結(jié)構(gòu)40芯片50錫球51封裝膠體52第三開口170第四開口171防焊層開口161如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本專利技術(shù)。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本技術(shù)方案提供的封裝基板的制作方法作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。本技術(shù)方案第一實(shí)施方式提供的芯片封裝基板100的制作方法，包括以下步驟。應(yīng)該了解，專利技術(shù)該芯片封裝基板100的制作方法并不限于下文介紹的步驟及順序。根據(jù)不同的實(shí)施例，以下的步驟可以增加、移除、或者改變順序。第一步，請參閱圖1，提供第一基板10，所述第一基板10包括基材層13以及位于基材層相對兩側(cè)的第一銅箔層11及第二銅箔層12，該第一基板10后續(xù)用于形成芯片封裝基板100的核心層(Core)。該第一銅箔層11、第二銅箔層12的厚度相等且均為18μm或者均為36μm。在本實(shí)施方式中，該基材層13為絕緣材料層，譬如可以為聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等，其厚度約為8～15μm。在本實(shí)施方式中，該第一與第二銅箔層11、12后續(xù)用于形成薄膜電容器(FilmCapacitor)的相對兩個電極，該基材層13用于形成芯片封裝基板的薄膜電容器的介質(zhì)層，也即(薄膜)電容器直接通過第一、第二銅箔層11、12與基材層13形成，而非在芯片封裝基板中直接焊接電容，如此，也可以使芯片封裝基板薄型化。因?yàn)榛膶?3形成在第一與第二銅箔層11、12之間，第一與第二銅箔層11、12充當(dāng)了(薄膜)電容器的兩個金屬電極，基材層13為(薄膜)電容器的介質(zhì)層，當(dāng)在第一與第二銅箔層11、12之間加上電壓時，可在第一與第二銅箔層11、12間形成一個電勢差，且由于電荷在電場中會受力而移動，且位于第一與第二銅箔層11、12之間的基材層13這一介質(zhì)層，則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在第一與第二銅箔層11、12上，造成電荷的累積儲存，儲存的電荷量則稱為電容。第二步，請參閱圖2-3，將第一銅箔層11制作形成第一導(dǎo)電線路層110，該第一導(dǎo)電線路層110包括第一開口112，該第一開口112暴露該基材層13。形成第一導(dǎo)電線路層110包括：請參閱圖2，在第一銅箔層11及第二銅箔層12的表面分別壓合第一抗蝕膜111與第二抗蝕膜121；對第一抗蝕膜111進(jìn)行曝光，利用紫外線的能量使第一抗蝕膜111中的光敏物質(zhì)進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)，完成影像轉(zhuǎn)移的過程；利用顯影液將第一抗蝕膜111中未曝光區(qū)域去除，本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種芯片封裝基板制作方法，其包括：提供覆銅板，該覆銅板包括基材層及位于該基材層相對兩側(cè)的第一銅箔層及第二銅箔層；將該第一銅箔層制作形成第一導(dǎo)電線路層，該第一導(dǎo)電線路層包括一第一開口；在該第一導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)形成電阻層；在該電阻層遠(yuǎn)離該第一導(dǎo)電線路層的表面形成第三銅箔層；將該第二銅箔層制作形成第二導(dǎo)電線路層，該第二導(dǎo)電線路層包括一第二開口；在該第二導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)形成第四銅箔層，得到一個封裝基板中間結(jié)構(gòu)；將該第三銅箔層及該第四銅箔層分別制作形成第三導(dǎo)電線路層及第四導(dǎo)電線路層；分別在該第三導(dǎo)電線路層與該第四導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)形成防焊層，未被該防焊層覆蓋的該第三導(dǎo)電線路層與該第四導(dǎo)電線路層成為焊墊；其特征在于：該第一開口與該第二開口不相互重疊；該第一導(dǎo)電線路層的厚度不等于該第二導(dǎo)電線路層的厚度；該第一導(dǎo)電線路層、該電阻層與該第三導(dǎo)電線路層的厚度之和等于該第二導(dǎo)電線路層與該第四導(dǎo)電線路層的厚度之和。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種芯片封裝基板制作方法，其包括：提供覆銅板，該覆銅板包括基材層及位于該基材層相對兩側(cè)的第一銅箔層及第二銅箔層；將該第一銅箔層制作形成第一導(dǎo)電線路層，該第一導(dǎo)電線路層包括一第一開口；在該第一導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)形成電阻層；在該電阻層遠(yuǎn)離該第一導(dǎo)電線路層的表面形成第三銅箔層；將該第二銅箔層制作形成第二導(dǎo)電線路層，該第二導(dǎo)電線路層包括一第二開口；在該第二導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)形成第四銅箔層，得到一個封裝基板中間結(jié)構(gòu)；將該第三銅箔層及該第四銅箔層分別制作形成第三導(dǎo)電線路層及第四導(dǎo)電線路層；分別在該第三導(dǎo)電線路層與該第四導(dǎo)電線路層遠(yuǎn)離該基材層的一側(cè)形成防焊層，未被該防焊層覆蓋的該第三導(dǎo)電線路層與該第四導(dǎo)電線路層成為焊墊；其特征在于：該第一開口與該第二開口不相互重疊；該第一導(dǎo)電線路層的厚度不等于該第二導(dǎo)電線路層的厚度；該第一導(dǎo)電線路層、該電阻層與該第三導(dǎo)電線路層的厚度之和等于該第二導(dǎo)電線路層與該第四導(dǎo)電線路層的厚度之和。2.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝基板制作方法，其特征在于，在形成該第三導(dǎo)電線路層之后與形成該防焊層之前還包括蝕刻部分第三導(dǎo)電線路層以暴露部分該電阻層。3.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝基板制作方法，其特征在于，在形成該第四導(dǎo)電線路層之后與形成該防焊層之前還包括在該封裝基板中間結(jié)構(gòu)中形成第一導(dǎo)通孔與第二導(dǎo)通孔，該第一導(dǎo)通孔貫穿該第三導(dǎo)電線路層、該電阻層、該第一開口、該基材層、該第二導(dǎo)電線路層以及該第四導(dǎo)電線路層；
\t該第二導(dǎo)通孔貫穿該第三導(dǎo)電線路層、該電阻層、該第一導(dǎo)電線路層、該基材層、該第二開口以及該第四導(dǎo)電線路層。4.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝基板制作方法，其特征在于，形成該第三銅箔層與形成該電阻層的方法為：提供一第二基板，將該第二基板壓合于該第一導(dǎo)電線路層表面，...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：黃昱程，
申請(專利權(quán))人：碁鼎科技秦皇島有限公司，臻鼎科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：河北;13