一種碲鋅鎘襯底、制備方法及其應用技術

本發明專利技術涉及光電技術領域，特別涉及一種碲鋅鎘襯底、制備方法及其應用。本發明專利技術提供的碲鋅鎘襯底，在所述碲鋅鎘襯底的任意一個表面上設有增透結構，所述增透結構為周期變化的圖形，占空比小于0.8，周期小于6微米。表面設有增透結構的碲鋅鎘襯底的透過率明顯高于普通的碲鋅鎘襯底，也高于在碲鋅鎘表面鍍紅外膜層的碲鋅鎘襯底，本發明專利技術提供的碲鋅鎘襯底應用于碲鎘汞紅外焦平面探測器組件中，可以提高碲鎘汞紅外焦平面探測器組件的探測能力。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及光電
，特別涉及一種碲鋅鎘襯底、制備方法及其應用。
技術介紹
碲鎘汞紅外焦平面探測器組件應用于機載、車載等多個成像領域，在實際應用的紅外成像系統中，希望探測器組件具有較強的探測能力，使這些系統既具有較好的目標發現能力、又具有較強的反偵破能力。碲鎘汞芯片采用背光照的方式，紅外輻射經過碲鋅鎘襯底后照射到碲鎘汞芯片上，在同等入射輻射能量的情況下，碲鋅鎘襯底的透過率高，碲鎘汞芯片接收的輻射能量就多，信號就強，從而探測能力就得到提高。碲鋅鎘材料自身的透過率不高，為了增加透過的能量，通常是在碲鋅鎘材料表面鍍紅外膜，但是因為可選的紅外膜層材料非常有限，它與理想膜層材料的折射率相差較多，設計透過率就較低，鍍膜后，透過率較基底的增加量較小，不利于碲鎘汞芯片吸收能量的提高。
技術實現思路
為了解決現有技術中在碲鋅鎘材料表面鍍紅外膜后透過率較沒有鍍膜的碲鋅鎘襯底的增加量較小的問題，本專利技術提供了一種碲鋅鎘襯底、制備方法及其應用。本專利技術提供的碲鋅鎘襯底，在所述碲鋅鎘襯底的任意一個表面上設有增透結構，所述增透結構為周期變化的圖形，占空比小于0.8，周期小于6微米。本專利技術還提供了一種碲鋅鎘襯底的制備方法，包括：通過激光直寫在碲鋅鎘襯底上光刻出增透結構的形狀；用干法刻蝕按照所述增透結構的形狀刻蝕出增透結構本專利技術進一步提供了一種碲鎘汞紅外焦平面探測器組件，采用上述的碲鋅鎘襯底。本專利技術有益效果如下：本專利技術實施例另辟蹊徑，沒有在碲鋅鎘表面鍍紅外膜層材料，而是在碲鋅鎘表面設計、制作了增透結構，表面設有增透結構的碲鋅鎘襯底的透過率明顯高于普通的碲鋅鎘襯底，也高于在碲鋅鎘表面鍍紅外膜層的碲鋅鎘襯底。本專利技術實施例提供的碲鋅鎘襯底應用于碲鎘汞紅外焦平面探測器組件中，可以提高碲鎘汞紅外焦平面探測器組件的探測能力。附圖說明圖1是本專利技術實施例碲鋅鎘襯底的結構示意圖；圖2是本專利技術實施例在激光共聚焦顯微鏡下觀察到的增透結構的實拍圖；圖3是本專利技術實施例碲鎘汞襯底制備方法的流程圖；圖4是本專利技術實施例的碲鋅鎘襯底與碲鎘汞芯片結合后的結構示意圖；圖5是本專利技術實施例的碲鋅鎘襯底與表面鍍紅外膜的碲鋅鎘襯底的透過率對比圖；其中，1、碲鋅鎘襯底；2、增透結構，3、碲鎘汞芯片。具體實施方式為了解決現有技術中在碲鋅鎘材料表面鍍紅外膜后透過率較沒有鍍膜的碲鋅鎘襯底的增加量較小的問題，本專利技術提供了碲鋅鎘襯底及其應用，以下結合附圖以及實施例，對本專利技術進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本專利技術，并不限定本專利技術。根據本專利技術的實施例，提供了一種碲鋅鎘襯底，圖1是本專利技術實施例碲鋅鎘襯底的結構示意圖，如圖1所示，根據本專利技術實施例的碲鋅鎘襯底，在所述碲鋅鎘襯底1的任意一個表面上設有增透結構2，所述增透結構2為周期變化的圖形，占空比小于0.8，周期小于6微米。優選的，所述增透結構為周期變化的圖形，占空比為0.4～0.7，周期為2～4微米。所述占空比為周期變化的圖形凸臺的尺寸與周期的比值，所述周期為相鄰凸臺的中心間距。具體地，所述增透結構2的高度小于等于2微米。更加優選地，所述周期變化的圖形為周期變化的長方形或錐形，所述錐形的底邊與長方形相同，即錐形底邊長為2～4微米，寬為2～4微米。圖2為本專利技術實施例在激光共聚焦顯微鏡下觀察到的增透結構的實拍圖，在圖2中所述周期變化的圖形為周期變化的錐形，需要說明的是由于增透結構的數量級非常小，僅為微米級，所以由于制作過程中誤差或其他因素的影響，當設計的增透結構為周期變化的長方形時，實際得到的則如圖2所示。本專利技術實施例還提供了一種碲鋅鎘襯底的制備方法，圖3是本專利技術實施例碲鎘汞襯底制備方法的流程圖，如圖3所示，根據本專利技術實施例的碲鋅鎘襯底的制備方法包括如下處理：步驟301，通過激光直寫在碲鋅鎘襯底上光刻出增透結構的形狀；步驟302，用干法刻蝕按照所述增透結構的形狀刻蝕出增透結構。本專利技術還提供了一種碲鎘汞紅外焦平面探測器組件，其采用上述的碲鋅鎘襯底。圖4是本專利技術實施例的碲鋅鎘襯底與碲鎘汞芯片結合后的結構示意圖。在波段范圍為7～16μm范圍內，在傅里葉光譜儀上進行透過率測試，本專利技術實施例提供的碲鋅鎘襯底的透過率大于等于75％。圖5是本專利技術實施例的碲鋅鎘襯底與表面鍍紅外膜的碲鋅鎘襯底的透過率對比圖，在圖5中，橫坐標代表波長，單位為微米，縱坐標代表透過率，A代表本專利技術實施例的碲鋅鎘襯底的透過率，B代表表面鍍紅外膜的碲鋅鎘襯底的透過率，由圖5可知，本專利技術實施例的碲鋅鎘襯底的透過率明顯高于表面鍍紅外膜的碲鋅鎘襯底的透過率。本專利技術實施例使碲鋅鎘襯底在長波段獲得了較高的透過率，提高了碲鎘汞探測器的信號強度，探測器性能得到提高，對機載、車載等成像系統的探測距離的提高可帶來直接的改善，同時由于探測距離的提高也可改善紅外成像系統對激光等探測系統的反偵破能力。顯然，本領域的技術人員可以對本專利技術進行各種改動和變型而不脫離本專利技術的精神和范圍。這樣，倘若本專利技術的這些修改和變型屬于本專利技術權利要求及其等同技術的范圍之內，則本專利技術也意圖包含這些改動和變型在內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種碲鋅鎘襯底，其特征在于：在所述碲鋅鎘襯底的任意一個表面上設有增透結構，所述增透結構為周期變化的圖形，占空比小于0.8，周期小于6微米。

【技術特征摘要】
1.一種碲鋅鎘襯底，其特征在于：在所述碲鋅鎘襯底的任意一個表面上設有增透結構，所述增透結構為周期變化的圖形，占空比小于0.8，周期小于6微米。2.如權利要求1所述的碲鋅鎘襯底，其特征在于，所述增透結構的高度小于等于2微米。3.如權利要求1所述的碲鋅鎘襯底，其特征在于，所述增透結構為周期變化的圖形，占空比為0.4～0.7，周期為2～4微米。4.如權利要求1所述的碲鋅鎘襯底，其特征在于，所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：林國畫，陳慧卿，張敏，梁宗久，寧提，
申請(專利權)人：中國電子科技集團公司第十一研究所，
類型：發明
國別省市：北京;11