【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本揭示內容涉及化學機械研磨,且更具體而言涉及修改基板厚度輪廓。
技術介紹
集成電路通常通過導電層、半導電層或絕緣層在硅晶片上的依序沉積而在基板上形成。各種制造工藝要求基板上的層的平坦化。例如,一個制造步驟涉及在非平面表面上沉積填料層,并將該填料層平坦化。對于特定的應用,該填料層被平坦化直到圖案化層的頂表面暴露為止。例如,金屬層可被沉積于圖案化絕緣層上,以填充該絕緣層中的溝槽及孔洞。平坦化之后,在該圖案化層的溝槽及孔洞中的金屬的剩余部分形成了通孔、插頭及接線,以提供基板上的薄膜電路之間的導電路徑。化學機械研磨(CMP)是平坦化的一種公認方法。此平坦化方法通常要求基板被安裝在承載頭上。該基板的暴露表面通常被放置成抵靠旋轉研磨墊。該承載頭在背側基板上提供可控制的負載,以將該基板的前側推靠至該研磨墊。具有研磨顆粒的研磨漿料(slurry)通常被供應到研磨墊的表面。
技術實現思路
在可商購的研磨系統中,基板接收背側壓力,該背側壓力將基板的暴露表面推靠至旋轉研磨墊。然而,該基板具有相對高的剛性(stiffness),導致基板的背側上的壓力被分散到該基板的前表面上的較大區域。例如,施加到該基板的背側上的1mm直徑點的壓力可被分散以覆蓋具有例如30mm直徑的區域。作為結果,難以利用該背側壓力來精細地控制該基板的暴露表面上的壓力分布。校正位于該暴露表面上的小區域內的不期望的尖峰或凹谷可能變得困難。一種用來解決此問題的技術是控制研磨墊抵靠基板的壓力。在一個方面中,研磨系統包括支座以固持具有將被研磨的基板表面的基板、保持研磨墊與該基板表面接觸的載體,以及壓力施加器以用于在研磨墊的 ...
【技術保護點】
一種研磨系統,所述研磨系統包含:支座,以固持基板,所述基板具有將被研磨的基板表面;載體,以保持研磨墊的研磨表面與所述基板表面接觸;以及壓力施加器,以在所述研磨墊的背面的選定區域處施加壓力,所述背面與所述研磨表面相對,其中所述壓力施加器包括致動器及主體,所述主體經配置以由所述致動器移動來接觸及不接觸所述研磨墊的所述背面的所述選定區域。
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2014.07.18 US 14/334,948;2014.07.18 US 62/026,2691.一種研磨系統,所述研磨系統包含:支座,以固持基板,所述基板具有將被研磨的基板表面;載體,以保持研磨墊的研磨表面與所述基板表面接觸;以及壓力施加器,以在所述研磨墊的背面的選定區域處施加壓力,所述背面與所述研磨表面相對,其中所述壓力施加器包括致動器及主體,所述主體經配置以由所述致動器移動來接觸及不接觸所述研磨墊的所述背面的所述選定區域。2.如權利要求1所述的研磨系統,其中所述載體經配置以固持所述研磨墊,所述研磨墊具有比所述基板更大的寬度,使得所述研磨墊接觸基本上所有的所述基板。3.如權利要求2所述的研磨系統,其中所述載體經配置以僅在所述研磨墊的邊緣處固定至所述研磨墊,以及所述邊緣內的所述研磨墊的所述背面的剩余部分對于腔室中的流體是開放的。4.如權利要求1所述的研磨系統,其中所述壓力施加器包含壓力控制墊,所述壓力控制墊相對于所述研磨墊可橫向移動。5.如權利要求4所述的研磨系統,其中所述壓力施加器包含一或更多個壓力控制墊,每一個壓力控制墊獨立于其他的壓力控制墊可橫向移動。6.如權利要求4所述的研磨系統,其中所述壓力施加器包含一對壓力控制墊,當所述基板被所述基板支座固持時,所述一對壓力控制墊可相對于所述基板表面的中心協調地移動。7.如權利要求1所述的研磨系統,其中所述壓力施加器包含柔性環,所述柔性環具有頂部結構及底部結構,所述頂部結構具有固定直徑,且所述底部結構具有橫截面以用于接觸所述研磨墊的所述背面且具有可調整的直徑。8.如權利要求7所述的研磨系統,其中所述柔性環進一步包含肋部及移動機制,每個肋部在所述主體的相鄰槽之間具有連接到所述移動機制的一端以及連接到所述主體的底部的另一端,其中所述移動機制經配置以沿著所述主體的長軸移動,以便調整所述主體在所述底部處的直徑。9.一種研磨工具,包括:體塊(bulk)研磨站,所述體塊研磨站包括:可旋轉平臺,以支撐研磨制品,及承載頭,以保持基板與所述研磨制品的研磨表面接觸,所述基板具有基板表面,所述承載頭具有一或更多個可控制區域;修改站,所述修改站包括:支座,以固持將被研磨的所述基板;載體,以保持研磨墊的研磨表面與所述基板表面接觸;及壓力施加器,以在所述研磨墊的背面的選定區域處施加壓力,所述背面與所述研磨表面相對,其中所述壓力施加器包括致動器及主體,所述主體經配置以由所述致動器移動來接觸及不接觸所述研磨墊的所述背面的選定區域;及轉移機制,所述轉移機制經配置以在所述體塊研磨站與所述修改站之間轉移所述基板。10.一種研磨的方法,所述方法包括以下步驟:使基板的表面與研磨墊的研磨表面接觸,所述基板的表面包含一或更多個研磨不足的區域,所述研磨墊跨越所述基板的表面;將壓力施加到所述研磨墊的背面的一或更多個選定區域,而基本上不施加壓力至所述研磨表面的所述背面的剩余部分,所述背面與所述研磨表面相對,所述背面的一或更多個選定區域對應于所述一或更多個硏磨...
【專利技術屬性】
技術研發人員:J·古魯薩米,H·C·陳,
申請(專利權)人:應用材料公司,
類型:發明
國別省市:美國;US
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。