有機發光顯示設備和制造有機發光顯示設備的方法技術

提供了有機發光顯示設備和制造有機發光顯示設備的方法。所述有機發光顯示設備包括：基底；薄膜晶體管(TFT)，位于基底上；第一層間絕緣層，位于TFT的柵電極與源電極之間并且位于TFT的柵電極與漏電極之間，并且包括無機材料；第二層間絕緣層，位于第一層間絕緣層與源電極之間并且位于第一層間絕緣層與漏電極之間，并且包括有機材料；第一有機層，位于源電極和漏電極上；電容器，包括第一電極、第二電極以及位于第一電極與第二電極之間的第一層間絕緣層；像素電極，位于第二層間絕緣層中的與薄膜晶體管和電容器相鄰的開口中，并且結合到源電極或漏電極；有機發射層；以及對電極。

Organic light emitting display device and method of manufacturing organic light emitting display device

Organic light emitting display device and method of manufacturing organic light emitting display device. The organic light emitting display device includes: a substrate; a thin film transistor (TFT), located on the substrate; a first interlayer insulating layer between the gate electrode between the gate electrode and the source electrode is located in TFT and is located in the TFT and the drain electrode, and includes inorganic materials; second interlayer insulating layer located between the first interlayer insulating layer with the source electrode and is located on the first interlayer insulating layer and the drain electrode, and includes organic materials; the first organic layer located at the source and drain electrodes; the capacitor includes a first electrode, a second electrode and the first layer is located between the first electrode and the second electrode insulation layer; a pixel electrode, located on the second floor openings insulation of transistors and capacitors in the adjacent layers and thin films, and according to a source electrode or drain electrode; the organic emitting layer and the electrode.

【技術實現步驟摘要】
本申請要求于2014年10月14日在韓國知識產權局提交的第10-2014-0138613號韓國專利申請的優先權和權益，該韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。
本專利技術的一個或更多個示例性實施例涉及有機發光顯示設備和制造有機發光顯示設備的方法。
技術介紹
有機發光顯示設備是包括空穴注入電極、電子注入電極和形成在空穴注入電極與電子注入電極之間的有機發射層的自發射顯示設備，在有機發射層中，從空穴注入電極注入的空穴和從電子注入電極注入的電子復合，從而發射光。有機發光顯示設備具有諸如功耗低、亮度高和響應時間快的各種高質量特性，因此，已經作為下一代顯示設備受到關注。
技術實現思路
本專利技術的一個或更多個示例性實施例包括具有改善的顯示質量和良率的有機發光顯示設備以及制造有機發光顯示設備的方法。將在下面的描述中部分地闡述附加方面，并且附加方面將部分地通過該描述而明顯，或者可以通過給出的實施例的實踐而獲知。根據本專利技術的一個或更多個示例性實施例，有機發光顯示設備包括：基底；薄膜晶體管，位于基底上并包括有源層、柵電極、源電極和漏電極；第一層間絕緣層，位于柵電極與源電極之間并且位于柵電極與漏電極之間，第一層間絕緣層包括無機材料；第二層間絕緣層，位于第一層間絕緣層與源電極之間并且位于第一層間絕緣層與漏電極之間，第二層間絕緣層包括有機材料；第一有機層，位于源電極和漏電極上；電容器，包括第一電極、第二電<br>極和位于第一電極與第二電極之間的第一層間絕緣層，其中，第一電極包括與柵電極的材料相同的材料，第二電極包括與源電極和漏電極的材料相同的材料；像素電極，位于第二層間絕緣層中的開口中，其中，所述開口位于與薄膜晶體管和電容器相鄰的區域處，像素電極結合到源電極和漏電極中的一個電極；有機發射層，位于像素電極上；以及對電極，位于有機發射層上。在一些實施例中，像素電極可以是半透射電極，對電極是反射電極。在一些實施例中，像素電極可以包括第一透明導電氧化物層、半透射金屬層和第二透明導電氧化物層。在一些實施例中，像素電極的端部可以位于第一層間絕緣層上，并且可以被第二層間絕緣層覆蓋。在一些實施例中，設置有像素電極的開口可以形成在第二層間絕緣層和第一有機層中。在一些實施例中，第二層間絕緣層中的開口的直徑可以大于第一有機層中的開口的直徑。在一些實施例中，第二層間絕緣層中的開口的直徑可以小于第一有機層中的開口的直徑。在一些實施例中，第一有機層的端部可以位于第二層間絕緣層中的開口的外部。在一些實施例中，像素電極的下表面可以接觸第一層間絕緣層的上表面。在一些實施例中，柵電極的厚度可以在大約到大約的范圍內。在一些實施例中，電容器的第二電極可以位于第二層間絕緣層中的另一個開口中。在一些實施例中，電容器的第二電極的下表面可以接觸第一層間絕緣層的上表面。在一些實施例中，保護層可以位于源電極上并且位于漏電極上。在一些實施例中，有機發光顯示設備還可以包括與源電極和漏電極位于同一層上的墊電極。在一些實施例中，保護層可以位于墊電極上。在一些實施例中，有機發光顯示設備還可以包括位于第二層間絕緣層上并通過第一有機層中的接觸開口接觸對電極的陰極接觸層。在一些實施例中，陰極接觸層可以包括與源電極和漏電極的材料相同的材料。在一些實施例中，保護層可以位于陰極接觸層上。在一些實施例中，像素電極可以包括第一透明導電氧化物層、半透射金屬層和第二透明導電氧化物層。根據本專利技術的一個或更多個示例性實施例，制造有機發光顯示設備的方法包括以下步驟：第一工藝，包括在基底上形成半導體層，將半導體層圖案化，從而形成薄膜晶體管的有源層；第二工藝，包括形成第一絕緣層，在第一絕緣層上形成第一金屬層，將第一金屬層圖案化以形成薄膜晶體管的柵電極和電容器的第一電極；第三工藝，包括形成第一層間絕緣層，在第一層間絕緣層上形成半透射金屬層，將半透射金屬層圖案化以形成像素電極；第四工藝，包括將第一層間絕緣層圖案化以在第一層間絕緣層中形成開口以暴露有源層的部分；第五工藝，包括形成第二層間絕緣層，并且將第二層間絕緣層圖案化，以形成分別暴露有源層的所述部分、像素電極的上部以及與電容器的第一電極對應的第一層間絕緣層的開口；第六工藝，包括形成第二金屬層和保護層并且將第二金屬層和保護層圖案化以形成源電極、漏電極、電容器的第二電極和墊電極；第七工藝，包括形成第一有機層，并且將第一有機層圖案化以形成分別暴露像素電極的上部和墊電極的上部的開口。在一些實施例中，第一層間絕緣層可以包括無機膜，第二層間絕緣層可以包括有機膜。在一些實施例中，在第五工藝中，可以將第二層間絕緣層圖案化，使得第二層間絕緣層的一部分保留在像素電極的上表面上，在第七工藝中，可以將第一有機層和第二層間絕緣層的保留部分圖案化，以暴露像素電極的上表面。在一些實施例中，在第七工藝中，第一有機層的端部可以位于第二層間絕緣層中的暴露像素電極的上部的開口的外部。附圖說明通過下面結合附圖進行的對示例性實施例的描述，這些和/或其它方面和特性將變得明顯和更容易理解，在附圖中：圖1是示出根據本專利技術的實施例的有機發光顯示設備的示意性平面圖；圖2是示出根據本專利技術的實施例的有機發光顯示設備的發射像素和墊的某些部分的示意性剖視圖；圖3A至圖3G是示出根據本專利技術的實施例的制造有機發光顯示設備的方法的示意性剖視圖；圖4是根據本專利技術的實施例的有機發光顯示設備的陰極接觸部的一部分的示意性剖視圖；圖5A至圖5C是示出根據本專利技術的另一個實施例的制造有機發光顯示設備的方法的示意性剖視圖；圖6是示出根據本專利技術的另一個實施例的有機發光顯示設備的發光像素和墊的某些部分的示意性剖視圖；圖7是示出根據本專利技術的實施例的第一有機層的空氣暴露時間與吸水率之間的關系的曲線圖。具體實施方式現在，將詳細參照本專利技術的示例性實施例，附圖中示出了本專利技術的示例性實施例的示例，其中，同樣的附圖標記始終指示同樣的元件。給出的示例性實施例可以具有不同的形式，并且不應該被解釋為局限于這里所闡述的描述。因此，下面通過參照附圖僅描述示例性實施例，以對本說明書的各方面進行解釋。如這里所使用的，術語“和/或”包括一個或更多個相關所列項的任意和全部組合。此外，當使用“可以”來描述本專利技術的實施例時，指的是“本發明的一個或更多個實施例本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種有機發光顯示設備，其特征在于，所述有機發光顯示設備包括：基底；薄膜晶體管，位于所述基底上，并且包括有源層、柵電極、源電極和漏電極；第一層間絕緣層，位于所述柵電極與所述源電極之間并且位于所述柵電極與所述漏電極之間，所述第一層間絕緣層包括無機材料；第二層間絕緣層，位于所述第一層間絕緣層與所述源電極之間并且位于所述第一層間絕緣層與所述漏電極之間，所述第二層間絕緣層包括有機材料；第一有機層，位于所述源電極和所述漏電極上；電容器，包括第一電極、第二電極和位于所述第一電極與所述第二電極之間的所述第一層間絕緣層，其中，所述第一電極包括與所述柵電極的材料相同的材料，所述第二電極包括與所述源電極和所述漏電極的材料相同的材料；像素電極，位于所述第二層間絕緣層中的開口中，所述開口位于與所述薄膜晶體管和所述電容器相鄰的區域處，所述像素電極結合到所述源電極和所述漏電極中的一個電極；有機發射層，位于所述像素電極上；以及對電極，位于所述有機發射層上。

【技術特征摘要】
2014.10.14 KR 10-2014-01386131.一種有機發光顯示設備，其特征在于，所述有機發光顯示設備包括：
基底；
薄膜晶體管，位于所述基底上，并且包括有源層、柵電極、源電極和漏
電極；
第一層間絕緣層，位于所述柵電極與所述源電極之間并且位于所述柵電
極與所述漏電極之間，所述第一層間絕緣層包括無機材料；
第二層間絕緣層，位于所述第一層間絕緣層與所述源電極之間并且位于
所述第一層間絕緣層與所述漏電極之間，所述第二層間絕緣層包括有機材料；
第一有機層，位于所述源電極和所述漏電極上；
電容器，包括第一電極、第二電極和位于所述第一電極與所述第二電極
之間的所述第一層間絕緣層，其中，所述第一電極包括與所述柵電極的材料
相同的材料，所述第二電極包括與所述源電極和所述漏電極的材料相同的材
料；
像素電極，位于所述第二層間絕緣層中的開口中，所述開口位于與所述
薄膜晶體管和所述電容器相鄰的區域處，所述像素電極結合到所述源電極和
所述漏電極中的一個電極；
有機發射層，位于所述像素電極上；以及
對電極，位于所述有機發射層上。
2.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，其特征在于，所述像素電極
是半透射電極，所述對電極是反射電極。
3.如權利要求2所述的有機發光顯示設備，其特征在于，所述像素電極
包括第一透明導電氧化物層、半透射金屬層和第二透明導電氧化物層。
4.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，其特征在于，所述像素電極
的端部位于所述第一層間絕緣層上并且被所述第二層間絕緣層覆蓋。
5.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，其特征在于，設置有所述像
素電極的所述開口形成在所述第二層間絕緣層和所述第一有機層中。
6.如權利要求5所述的有機發光顯示設備，其特征在于，所述第二層間
絕緣層中的所述開口的直徑大于所述第一有機層中的開口的直徑。
7.如權利要求5所述的有機發光顯示設備，其特征在于，所述第二層間

\t絕緣層中的所述開口的直徑小于所述第一有機層中的開口的直徑。
8.如權利要求7所述的有機發光顯示設備，其特征在于，所述第一有機
層的端部位于所述第二層間絕緣層中的所述開口的外部。
9.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，其特征在于，所述像素電極
的下表面接觸所述第一層間絕緣層的上表面。
10.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，其特征在于，所述柵電極
的厚度在到的范圍內。
11.如權利要求1所述的有機發光顯示設備，其特征在于，所述電容器
的所述第二電極位于所述第二層間絕緣層中的另一個開口中。
12.如權利要求11所述的有機發光顯示設備，其特征在于，所述電容器
的所述第二電極的下表面接觸所述第一層間絕緣層的上表面。
13.如權利要求1所述的有機...

【專利技術屬性】
技術研發人員：柳春基，
申請(專利權)人：三星顯示有限公司，
類型：發明
國別省市：韓國;KR