本發(fā)明專利技術公開了一種納米銀線導電透明薄膜,包括透明基材,層疊在透明基材的頂面上的第一納米銀線導電層,以及通過粘合層層疊在透明基材的底面上的第二納米銀線導電層;第一納米銀線導電層具有在第一方向平行排列的第一納米銀線,第二納米銀線導電層具有在第二方向平行排列的第二納米銀線;第一方向和第二方向呈垂直正交,第一納米銀線和第二納米銀線形成網格形狀。在單張基材的雙面上實現具有方向垂直的納米銀線網格,不僅大幅降低產品厚度、實現輕薄要求,而且透光率好、大幅提高應用范圍。本發(fā)明專利技術還提供一種納米銀線導電透明薄膜的制作方法,實現方法簡單、成本較低、可大規(guī)模快速批量生產、無技術風險,無需新的設備投入即可完成制備。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種導電透明薄膜及制作方法,特別是涉及一種納米銀線導電透明薄膜及其制作方法,屬于導電薄膜
技術介紹
透明導電薄膜(TCFs)是指在可見光范圍內(λ=380-780nm)有較高的透光率,導電性優(yōu)良(電阻率一般低于10-3Ω·cm)的薄膜材料。透明導電膜應用非常廣泛,主要用于光電器件如液晶顯示器的透明電極、觸摸屏、薄膜太陽能電池的透明電極等領域。透光度和導電性是兩個相互牽制的指標,一般來講,導電性提高,透光度就會下降,反之也一樣。目前常見的透明導電薄膜包括ITO(IndiumTinOxides錫摻雜三氧化銦)、GZO(GalliumZincOxides鎵摻雜氧化鋅)、AZO(AluminumZincOxides鋁摻雜氧化鋅)等,這些氧化物只吸收紫外光,不吸收可見光。在最近20年里,透明導電膜應用主要以ITO材料為主,而在制程上以磁控濺鍍工藝為主。高的可見光透光率與相當低的電阻率結合在一起,使ITO薄膜成為綜合性能優(yōu)異的透明導電材料之一。但是ITO材料本身暴露出諸多缺陷,如原材料缺乏、成本高、制備工藝復雜等。而且,未來移動終端、可穿戴設備、智能家電等產品,對觸摸面板有著更強勁需求,同時隨著觸控面板大尺寸化、低價化,以及傳統(tǒng)ITO薄膜不能用于可彎曲應用,導電性及透光率等本質問題不易克服等因素,業(yè)界紛紛開始研究ITO的替代品,納米銀線(SNW,silvernanowire)技術是未來最可取代ITO方案之一。納米銀線是將納米銀線墨水材料涂抹在塑膠或者玻璃基板上,然后利用鐳射光刻技術,刻畫制成具有納米級別銀線導電網絡圖案的透明的導電薄膜。受限于現有鐳射光刻技術及加工成本,現納米銀線大多以單方向排列為主,如要達成網格形狀,則成本呈幾何級增長,無法承受。但單方向之納米銀線,對于多點觸控及定位方面有精度較低及反應較慢問題,業(yè)界基本上采用兩張納米銀線方向垂直的導電薄膜用OCA膠粘合方式實現網格。如圖1所示,第一張導電薄膜包括自上而下層疊的第一納米銀線層11和第一基材12,第二張導電薄膜包括自上而下層疊的第二基材13和第二納米銀線層14,第一基材12和第二基材13之間通過OCA膠15進行粘合,第一納米銀線層11的納米銀線和第二納米銀線層14的納米銀線方向垂直形成網格。所以整個導電薄膜包括自上而下層疊的第一納米銀線層11、第一基材12、OCA粘著層15、第二基材13和第二納米銀線層14,共5層。此種方式不僅增加了產品的厚度,不符合現有輕薄化趨勢;而且需要兩塊基材,多了一塊基材及OCA粘著層,大幅降低透光率;更是由于OCA膠的溫度使用范圍有限,使得產品的應用范圍受到很大的限制,譬如室外、車用屏幕的場所等。
技術實現思路
本專利技術的主要目的在于,克服現有技術中的不足,提供一種結構緊湊、拆裝方便、制作容易、安全可靠、實用性強的納米銀線導電透明薄膜,同時提供一種實現方法簡單、成本較低、可大規(guī)??焖倥可a、無技術風險的納米銀線導電透明薄膜的制作方法,特別適用于各種高分辨率及大尺寸電容觸控屏幕產品,且具有產業(yè)上的利用價值。為了達到上述目的,本專利技術所采用的技術方案是:一種納米銀線導電透明薄膜,包括透明基材,層疊在透明基材的頂面上的第一納米銀線導電層,以及通過粘合層層疊在透明基材的底面上的第二納米銀線導電層。其中,所述第一納米銀線導電層具有在第一方向平行排列的第一納米銀線,所述第二納米銀線導電層具有在第二方向平行排列的第二納米銀線;所述第一方向和第二方向呈垂直正交,所述第一納米銀線和第二納米銀線形成網格形狀。進一步的:所述透明基材為透明塑膠或透明玻璃。進一步的:所述透明基材的厚度為0.02mm~0.5mm。進一步的:所述第一納米銀線的厚度為10nm~0.1mm。進一步的:所述第二納米銀線的厚度為10nm~0.1mm。進一步的:所述粘合層采樣高分子粘合劑。本專利技術還提供一種納米銀線導電透明薄膜的制作方法,包括以下步驟:1)將納米銀線墨水材料涂抹在第一透明基材的頂面上,利用鐳射光刻技術,刻畫制成具有第一納米銀線導電層的第一導電薄膜;其中,第一納米銀線導電層具有在第一方向平行排列的第一納米銀線;2)將離型劑印刷或涂布于第二透明基材的頂面上,形成層疊在第二透明基材的頂面上的離型層;將納米銀線墨水材料涂抹在第二透明基材的離型層上,利用鐳射光刻技術,刻畫制成具有第二納米銀線導電層的第二導電薄膜;其中,第二納米銀線導電層具有在第二方向平行排列的第二納米銀線;3)將第一導電薄膜和第二導電薄膜通過粘合層相疊加,保持第一導電薄膜的底面通過粘合層層疊于第二導電薄膜的第二納米銀線導電層上,并使得第一方向和第二方向呈垂直正交,以使第一納米銀線和第二納米銀線形成網格形狀;4)將第二導電薄膜的第二透明基材和離型層剝離,使得第二納米銀線導電層通過粘合層層疊在第一透明基材的底面上。本專利技術的方法進一步設置為:所述步驟3)中的粘合層是通過在鐳射光刻之前或之后采用高分子粘合劑印刷在第一透明基材的底面或第二納米銀線導電層的頂面形成,形成的粘合層層疊在第一透明基材的底面上或第二納米銀線導電層的頂面上。本專利技術的方法進一步設置為:所述第一透明基材為透明塑膠或透明玻璃。本專利技術的方法進一步設置為:所述第二透明基材為透明塑膠或透明玻璃。與現有技術相比,本專利技術具有的有益效果是:1、本專利技術提供一種結構緊湊、拆裝方便、制作容易、安全可靠、實用性強的納米銀線導電透明薄膜,在單張基材的雙面上實現具有方向垂直的納米銀線網格,不僅大幅降低產品厚度、實現輕薄要求,而且透光率好、大幅提高應用范圍。2、本專利技術提供提供一種實現方法簡單、成本較低、可大規(guī)模快速批量生產、無技術風險的納米銀線導電透明薄膜的制作方法,可利用現有非常成熟的涂布及印刷技術,進行卷對卷(ROLLTOROLL)生產,實現批量生產的同時,可利用現有納米銀線導電薄膜的制程設備,無需新的投入即可制備高性能要求的新型納米銀線導電透明薄膜。上述內容僅是本專利技術技術方案的概述,為了更清楚的了解本專利技術的技術手段,下面結合附圖對本專利技術作進一步的描述。附圖說明圖1為現有技術中納米銀線導電薄膜的結構剖示圖;圖2為本專利技術一種納米銀線導電透明薄膜的結構剖示圖;圖3為本專利技術一種納米銀線導電透明薄膜的俯視結構示意圖;圖4為本專利技術一種納米銀線導電透明薄膜的制作方法的工藝流程圖;圖5為本專利技術一種納米銀線導電透明薄膜的制作方法的產品流程圖。具體實施方式下面結合說明書附圖,對本專利技術作進一步的說明。本專利技術提供一種納米銀線導電透明薄膜,如圖2所示,包括透明基材1,層疊在透明基材1的頂面上的第一納米銀線導電層2,以及通過粘合層10層疊在透明基材1的底面上的第二納米銀線導電層3;其中,所述透明基材1為透明塑膠或透明玻璃,厚度為0.02mm~0.5mm。如圖2和圖3所示,所述第一納米銀線導電層2具有在第一方向平行排列的第一納米銀線20,所述第二納米銀線導電層3具有在第二方向平行排列的第二納米銀線30;所述第一方向和第二方向呈垂直正交,所述第一納米銀線20和第二納米銀線30形成網格形狀。所述第一納米銀線20和第二納米銀線30的厚度一般為10nm~0.1mm,所述粘合層10采樣高分子粘合劑印刷制成。本專利技術還提供一種納米銀線導電透明薄膜的制作方法,如圖4和圖5所示,包括以本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種納米銀線導電透明薄膜,其特征在于:包括透明基材,層疊在透明基材的頂面上的第一納米銀線導電層,以及通過粘合層層疊在透明基材的底面上的第二納米銀線導電層;所述第一納米銀線導電層具有在第一方向平行排列的第一納米銀線,所述第二納米銀線導電層具有在第二方向平行排列的第二納米銀線;所述第一方向和第二方向呈垂直正交,所述第一納米銀線和第二納米銀線形成網格形狀。
【技術特征摘要】
1.一種納米銀線導電透明薄膜,其特征在于:包括透明基材,層疊在透明基材的頂面上的第一納米銀線導電層,以及通過粘合層層疊在透明基材的底面上的第二納米銀線導電層;所述第一納米銀線導電層具有在第一方向平行排列的第一納米銀線,所述第二納米銀線導電層具有在第二方向平行排列的第二納米銀線;所述第一方向和第二方向呈垂直正交,所述第一納米銀線和第二納米銀線形成網格形狀。2.根據權利要求1所述的一種納米銀線導電透明薄膜,其特征在于:所述透明基材為透明塑膠或透明玻璃。3.根據權利要求1所述的一種納米銀線導電透明薄膜,其特征在于:所述透明基材的厚度為0.02mm~0.5mm。4.根據權利要求1所述的一種納米銀線導電透明薄膜,其特征在于:所述第一納米銀線的厚度為10nm~0.1mm。5.根據權利要求1所述的一種納米銀線導電透明薄膜,其特征在于:所述第二納米銀線的厚度為10nm~0.1mm。6.根據權利要求1所述的一種納米銀線導電透明薄膜,其特征在于:所述粘合層采樣高分子粘合劑。7.一種納米銀線導電透明薄膜的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:1)將納米銀線墨水材料涂抹在第一透明基材的頂面上,利用鐳射光刻技術,刻畫制成具有第一納米銀線導電層的第一導電薄膜;其中,第一納米銀線導電層具有在第一方...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員:廖儒范,王武云,
申請(專利權)人:昆山峰實電子科技有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:江蘇;32
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