【技術實現步驟摘要】
本申請要求于2015年6月23日提交的韓國專利申請第10-2015-0089105號的優先權以及由此產生的所有權益,通過引用將其全部內容結合在此。
本專利技術的示例性實施方式涉及用于形成圖案的曝光掩模以及使用掩模制造顯示裝置的方法。
技術介紹
基于顯示裝置的發光方案,顯示裝置被分類為包括液晶顯示(“LCD”)裝置、有機發光二極管(“OLED”)顯示裝置、等離子體顯示面板(“PDP”)裝置、電泳顯示(“EPD”)裝置等的類型。在這些顯示裝置中,LCD裝置通常包括彼此相對的兩個基板以及介于兩個基板之間的液晶層。LCD裝置的兩個基板之一包括多個薄膜晶體管(“TFT”)以及布置在其上的像素電極,并且像素電極由TFT驅動。隨著對具有高分辨率的顯示裝置的需要日益增長,像素可以包括三個以上的TFT,并且TFT可具有明顯小的尺寸。
技術實現思路
在制造這樣小尺寸的薄膜晶體管(“TFT”)的情況下,由于在它的制造處理過程中的誤差,TFT中可能會出現缺陷。本專利技術的示例性實施方式涉及可用于制造包括小尺寸的TFT的顯示裝置的掩模。本專利技術的示例性實施方式還涉及使用掩模制造顯示裝置的方法。根據本專利技術的示例性實施方式,一種掩模,包括基底基板以及在基底基板上的包括透光部和遮光部的遮光圖案,其中,遮光部包括第一源電極部、與第一源電極部間隔開的第一漏電極部、連接至第一源電極部的第二源電極部、與第二源電極部間隔開的第二漏電極部、連接至第二漏電極部的第三源電極部、與第三源電極部間隔開并且包括平行于第三源電極部的至少一部分的第三漏電極部、在第三源電極部的面向第三漏電極部的端部處的第一輔助遮 ...
【技術保護點】
一種掩模,包括:基底基板;以及遮光圖案,在所述基底基板上,包括透光部和遮光部,其中,所述遮光部包括:第一源電極部;第一漏電極部,與所述第一源電極部間隔開;第二源電極部,連接至所述第一源電極部;第二漏電極部,與所述第二源電極部間隔開;第三源電極部,連接至所述第二漏電極部;第三漏電極部,與所述第三源電極部間隔開并且包括平行于所述第三源電極部的至少一部分;第一輔助遮光部,在所述第三源電極部的面向所述第三漏電極部的端部處;以及第二輔助遮光部,在所述第三漏電極部的面向所述第三源電極部的端部處。
【技術特征摘要】
2015.06.23 KR 10-2015-00891051.一種掩模,包括:基底基板;以及遮光圖案,在所述基底基板上,包括透光部和遮光部,其中,所述遮光部包括:第一源電極部;第一漏電極部,與所述第一源電極部間隔開;第二源電極部,連接至所述第一源電極部;第二漏電極部,與所述第二源電極部間隔開;第三源電極部,連接至所述第二漏電極部;第三漏電極部,與所述第三源電極部間隔開并且包括平行于所述第三源電極部的至少一部分;第一輔助遮光部,在所述第三源電極部的面向所述第三漏電極部的端部處;以及第二輔助遮光部,在所述第三漏電極部的面向所述第三源電極部的端部處。2.根據權利要求1所述的掩模,其中,所述第一輔助遮光部接觸所述第三源電極部并且朝向所述第三漏電極部突出。3.根據權利要求1所述的掩模,其中,所述第一輔助遮光部在所述第三源電極部與所述第三漏電極部之間并且與所述第三源電極部間隔開。4.根據權利要求1所述的掩模,其中,所述第一輔助遮光部具有條形。5.根據權利要求1所述的掩模,其中,所述第一輔助遮光部具有圓形和多邊形之一。6.根據權利要求1所述的掩模,其中,所述第二輔助遮光部接觸所述第三漏電極部并且朝向所述第三源電極部突出。7.根據權利要求1所述的掩模,其中,所述第二輔助遮光部在所述第三源電極部與所述第三漏電極部之間并且與所述第三漏電極部間隔開。8.根據權利要求1所述的掩模,其中,所述第二輔助遮光部具有條形。9.根據權利要求1所述的掩模,其中,所述第二輔助遮光部具有圓形和多邊形之一。10.根據權利要求1所述的掩模,進一步包括在所述第三源電極部與所述第三漏電極部之間的溝道部。11.根據權利要求10所述的掩模,其中,所述溝道部是半透射部。12.根據權利要求10所述的掩模,其中,所述第三源電極部和所述第三漏電極部分別在所述溝道部的兩側被布置為彼此平行,并且所述第三源電極部和所述第三漏電極部中的每一個具有條形。13.根據權利要求10所述的掩模,其中,所述第三源電極部和所述第三漏電極部分別在所述溝道部的兩側被布置為彼此平行,并且所述第三源電極部和所述第三漏電極部中的每一個具有彎曲條形。14.根據權利要求1所述的掩模,其中,在所述第一源電極部的端部、所述第一漏電極部的端部、所述第二源電極部的端部以及所述第二漏電極部的端部處不存在輔助遮光部。15.一種顯示裝置,包括:第一基板;所述第一基板上的第一柵電極、第二柵電極以及第三柵電極;所述第一柵電極、所述第二柵電極和所述第三柵電極上的柵極絕緣層;所述柵極絕緣層上的第一半導體層,所述第一半導體層包括與所述第一柵電極重疊的至少一部分;第一源電極,包括與所述第一半導體層重疊的至少一部分;第一漏電極,與所述第一源電極間隔開,所述第一漏電極包括與所述第一半導體層重疊的至少一部分;所述柵極絕緣層上的第二半導體層,所述第二半導體層包括與所述第二柵電極重疊的至少一部分;第二源電極,連接至所述第一源電極,所述第二源電極包括與所述第二半導體層重疊的至少一部分;第二漏電極,與所述第二源電極間隔開,所述第二漏電極包括與所述第二半導體層重疊的至少一部分;所述柵極絕緣層上的第三半導體層,所述第三半導體層包括與所述第三柵電極重疊的至少一部分;第三源電極,連接至所述第二漏電極,所述第三源電極包括與所述第三半導體層重疊的至少一部分;以及第三漏電極,與所述第三源電極間隔開,所述第三漏電極包括與所述第三半導體層重疊的至少一部分;其中,朝向所述第三漏電極突出的第一突起布置在所述第三源電極的端部處,以及朝向所述第三源電極突出的第二突起布置在所述第三漏電極的端部處。16.根據權利要求15所述的顯示裝置,其中,所述第三源電極和所述第三漏電極中的每一個具有在3微米至5微米的范圍內的寬度,并...
【專利技術屬性】
技術研發人員:樸仁浩,柳世桓,金京準,孫智賢,
申請(專利權)人:三星顯示有限公司,
類型:發明
國別省市:韓國;KR
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