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    一種掩模板、采用其制備下基板的方法和該方法的應用技術

    技術編號:14708500 閱讀:328 留言:0更新日期:2017-02-26 00:55
    本發明專利技術公開了一種掩模板、采用其制備下基板的方法和該方法的應用,掩模板包括掩模板主體,掩模板主體上設有透光區域和遮光區域,透光區域的圖案與像素墻圖案相同,遮光區域為多個呈陣列排列的離散區域,每個遮光區域的邊緣區域設有減弱透光量結構;通過設置減弱透光量結構,將掩模板用于制備下基板,遮光區域的邊緣區域的曝光量小于透光區域,使用負性光刻膠,曝光量的減小會使得像素墻的壁的橫截面形狀為倒梯形,在填充的液體的表面張力和倒梯形形成的毛細管力的作用下,填充的液體會鋪展在所述像素墻形成的凹陷內,并且倒梯形的像素墻上表面邊緣可以有效阻止液體填充后流入相鄰像素格,能夠實現液體的均勻填充。

    【技術實現步驟摘要】

    本專利技術涉及電潤濕顯示器件
    ,尤其涉及一種掩模板、采用其制備下基板的方法和該方法的應用
    技術介紹
    電潤濕顯示器,也稱為電濕潤顯示器,是通過改變向顯示單元上施加的電壓,進而改變顯示器件內部的功能疏水材料的親疏水性能,從而驅動期間內流體的相對運動,達到顯示的效果。目前有兩種電潤濕顯示器件的制備工藝流程,分別是傳統的制備工藝(1),如專利WO2003/071346中所描述的:首先在基板上制備一層疏水層,然后在疏水層上制備像素墻結構,再將油墨填充到像素墻圍成的像素格內,最后封裝得到顯示器;以及新興的制備工藝(2),如專利申請號為CN201410159289.1所描述的:首先在基板上制備像素墻結構,然后在像素墻和基板上涂覆一層疏水層,再在像素格內的疏水層上(即凹槽內)設置保護層材料,保護層材料至少覆蓋凹槽中的疏水層,然后去除像素墻上表面覆蓋的疏水層,在凹槽內的疏水層上填充油墨材料,最后封裝得到顯示器。不論是傳統的制備工藝,還是新興的制備工藝,都存在向像素墻形成的凹槽內填充液體困難的問題。對于傳統的制備工藝(1)所述方法,油墨填充過程中,會出現油墨填充不均勻,如圖1中所示,對于新興的制備工藝(2)所述方法,在向凹槽填充保護層材料和油墨的過程中,都會出現填充不均勻的問題,如圖2所示,保護層材料無法十分均勻地填充到凹槽內,填充油墨后顯微鏡下觀察到的填充現象如圖3,油墨縮到像素格的一角,不能均勻鋪展。出現上述液體填充困難的問題是因為一般像素墻形狀如圖4所示,橫截面為方形(如圖4a)或者圓頭形狀(如圖4b),液體填充后容易縮到一角或者滑到相鄰的像素格內,容易造成液體填充不均勻的情況。
    技術實現思路
    本專利技術所要解決的技術問題是提供一種掩模板、采用其制備下基板的方法和該方法的應用。本專利技術所采取的技術方案是:一種掩模板,包括掩模板主體,所述掩模板主體上設有透光區域和遮光區域,所述透光區域的圖案與像素墻圖案相同,所述遮光區域為多個呈陣列排列的離散區域,每個所述遮光區域的邊緣區域設有減弱透光量結構。在一些具體的實施方式中,所述減弱透光量結構包括多個子掩模條,所述子掩模條與所述遮光區域連接,所述子掩模條的形狀可以是任意形狀。作為優選的一種實施方式,所述子掩模條相互平行設置。作為優選的另一種實施方式,所述遮光區域為多個呈陣列排列的方形區域,所述子掩模條垂直/平行于與其靠近的所述遮光區域的邊緣設置。作為優選的一種實施方式,相鄰兩個所述遮光區域的間距為像素墻的的寬度,相鄰所述子掩模條的間距≤1/2的像素墻的寬度。作為進一步優選的一種實施方式,相鄰所述子掩模條的間距為1/10的像素墻寬度。本專利技術還提供了一種采用如上所述的掩模板制備下基板的方法,包括采用如上所述的掩模板制備像素墻的步驟,具體步驟為:提供支撐板,在其上涂覆一層負性光刻膠材料;將如上所述的掩模板與所述支撐板進行對準;基于對準后的掩模板對涂覆的所述光刻膠材料進行曝光,顯影,得到像素墻。在支撐板上涂覆一層負性光刻膠材料,可以是在支撐板的絕緣層或者支撐板的電極層上涂覆負性光刻膠材料,因為所述支撐板可以是制備有絕緣層的,也可以是沒有制備絕緣層的。若是所述支撐板制備有絕緣層,所述支撐板的絕緣層可以是單層疏水層結構,也可以包括疏水層和電介質層,所以在支撐板上涂覆一層負性光刻膠材料,也可以是在支撐板的疏水層或者支撐板上的電介質層上涂覆負性光刻膠材料。本專利技術還提供了一種采用如上所述制備下基板的方法制備得到的下基板。本專利技術還提供了一種電潤濕顯示器件,包括如上所述的下基板。電潤濕顯示器也稱為電濕潤顯示器或電流體顯示器,本專利技術同樣適用于電濕潤顯示器和電流體顯示器。本專利技術的有益效果是:針對目前的電潤濕顯示器均存在在像素墻圍成的凹槽內填充液體困難的問題,本專利技術提供了一種掩模板、采用其制備下基板的方法和該方法的應用,掩模板包括掩模板主體,掩模板主體上設有透光區域和遮光區域,透光區域的圖案與像素墻圖案相同,遮光區域為多個呈陣列排列的離散區域,每個遮光區域的邊緣區域設有減弱透光量結構。通過設置減弱透光量結構,使得遮光區域的邊緣區域透光量小于透光區域,將所述掩模板用于制備下基板,所述遮光區域的邊緣區域的曝光量小于所述透光區域,使用負性光刻膠,曝光量的減小會使得形成的像素墻的上表面的寬度會大于下表面的寬度,使得所述像素墻的壁的橫截面形狀為倒梯形,在填充的液體的表面張力和倒梯形形成的毛細管力的作用下,填充的液體會平鋪在所述像素墻形成的凹陷內,并且倒梯形的像素墻上表面邊緣可以有效阻止液體填充后流入相鄰像素格,能夠實現液體的的均勻填充。其中,減弱透光量的結構可以是任意形狀的。附圖說明圖1為普通電潤濕顯示器件油墨填充效果圖;圖2為新興的電潤濕顯示器件保護層材料填充效果圖;圖3為新興的電潤濕顯示器件的局部像素墻填充油墨的顯微鏡圖;圖4為現有的電潤濕顯示器件的局部像素墻填充油墨的截面圖;圖5為實施例1的掩模板局部的俯視圖;圖6為實施例2的掩模板局部的俯視圖;圖7為實施例3的掩模板局部的俯視圖;圖8為實施例4的掩模板局部的俯視圖;圖9為實施例5中制備得到的像素墻的掃描電鏡圖;圖10為實施例5中局部像素墻填充油墨的截面圖;圖11為實施例6中制備得到的像素墻的掃描電鏡圖;圖12為實施例6中填充保護材料的截面圖;圖13為實施例6中填充保護材料的保護層材料的顯微鏡圖;圖14為實施例7中電潤濕顯示器單個像元的截面圖;圖15為對比例1中掩模板局部的俯視圖;圖16為對比例1中制備得到的像素墻的掃描電鏡圖;圖17為對比例2中制備得到的像素墻的掃描電鏡圖。具體實施方式實施例1:參照圖5,圖5為實施例1中局部掩模板的俯視圖,本專利技術提供了一種掩模板,包括掩模板主體1,所述掩模板主體1包括遮光區域2和透光區域5,所述透光區域5的圖案與像素墻圖案相同,所述遮光區域2為多個呈陣列排列的離散區域,在優選的實施例中,所述遮光區域2為多個呈陣列排列的方形區域,每個所述遮光區域2的邊緣區域3設有減弱透光量結構,在圖5中所述兩個虛線框之間的區域為所述遮光區域2的邊緣區域3。在本實施例中,所述減弱透光量結構包括多個子掩模條4,所述子掩模條4相互平行設置。相鄰兩個所述遮光區域2的間距為像素墻的寬度,相鄰所述子掩模條4的間距≤1/2像素墻寬度。在優選的實施例中,相鄰所述子掩模條4的間距為1/10的像素墻寬度。實施例2:參照圖6,圖6為實施例2中局部掩模板的俯視圖,本實施例與實施例1基本相同,不同之處在于:所述遮光區域2為多個呈陣列排列的方形區域,所述子掩模條4垂直于與其靠近的所述遮光區域2的邊緣設置。實施例3:參照圖7,圖7為實施例3中局部掩模板的俯視圖,本實施例與實施例1基本相同,不同之處在于:所述子掩模條4平行于與其靠近的所述遮光區域2的邊緣設置,各條所述子掩模條4呈層狀圍在所述遮光區域2的外圍,所述子掩模條4對稱設置。實施例4:參照圖8,圖8為實施例4中局部掩模板的俯視圖,本實施例與實施例1基本相同,不同之處在于:所述子掩模條4平行于與其靠近的所述遮光區域2的邊緣設置,各條所述子掩模條4呈層狀圍在所述遮光區域2的外圍,每層中各條所述子掩模條4的長度相同。實施例5:按照以下步驟采用實施例1-4所述任一項掩模板制備像素墻:在支撐板上涂覆一層本文檔來自技高網
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    一種掩模板、采用其制備下基板的方法和該方法的應用

    【技術保護點】
    一種掩模板,包括掩模板主體,所述掩模板主體上設有透光區域和遮光區域,其特征在于,所述透光區域的圖案與像素墻圖案相同,所述遮光區域為多個呈陣列排列的離散區域,每個所述遮光區域的邊緣區域設有減弱透光量結構。

    【技術特征摘要】
    1.一種掩模板,包括掩模板主體,所述掩模板主體上設有透光區域和遮光區域,其特征在于,所述透光區域的圖案與像素墻圖案相同,所述遮光區域為多個呈陣列排列的離散區域,每個所述遮光區域的邊緣區域設有減弱透光量結構。2.根據權利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述減弱透光量結構包括多個子掩模條,所述子掩模條與所述遮光區域連接。3.根據權利要求2所述的掩模板,其特征在于,所述子掩模條相互平行設置。4.根據權利要求2所述的掩模板,其特征在于,所述遮光區域為多個呈陣列排列的方形區域,所述子掩模條垂直/平行于與其靠近的所述遮光區域的邊緣設置。5.根據權利要求2所述的掩模板,其特征在于,相鄰兩個所述遮光區域的間距...

    【專利技術屬性】
    技術研發人員:周國富吳昊李發宏羅伯特·安德魯·海耶斯
    申請(專利權)人:深圳市國華光電科技有限公司華南師范大學深圳市國華光電研究院
    類型:發明
    國別省市:廣東;44

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