一種用于生長準單晶的熱交換臺制造技術

本實用新型專利技術公開了一種用于生長準單晶的熱交換臺，其特征是：包括一平臺，平臺底部中心設有一凸臺，平臺的底部在凸臺的周圍固定設有保溫板。與現有技術相比，本實用新型專利技術有以下有益效果：熱交換臺設有凸臺，其底部在凸臺的四周固定有大面積保溫材料，硅料在熔化時，底部中心的散熱速度要遠遠大于四周部分的散熱速度，使得熔化界面呈球冠狀分布，這樣就能有效的保護中心放置的單塊單晶籽晶不熔化，長晶時以未熔化的單晶籽晶為形核點生長，從而生產出高質量的準單晶。

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種熱交換臺，具體涉及到一種用于生長準單晶的熱交換臺。
技術介紹
在目前的晶體硅鑄錠技術中，主要有普通多晶鑄錠、高效多晶鑄錠以及準單晶鑄錠。隨著鑄錠技術的不斷發展，普通多晶鑄錠已逐漸被淘汰，但是高效多晶鑄錠技術本身也存在瓶頸，效率很難有大幅度的提升，而準單晶鑄錠則有很大的提升空間。準單晶鑄錠在裝料時候必須在坩堝底部鋪滿單晶籽晶，在熔化時保證籽晶不完全熔化，以作為后期生長的形核中心，從而生長出準單晶。由于單晶本身尺寸較小(由于工藝原因，目前市場上的主流單晶尺寸最大為230mm左右)，而鑄錠用的坩堝尺寸要大于840mm，若要將單晶籽晶鋪滿整個坩堝底部，必須由若干單晶籽晶拼接在一起。而大量的實驗數據表面，由于硅液滲透、晶格匹配、熱應力等因素會導致籽晶接縫處產生大量的位錯，隨著晶體的生長，位錯不斷的增殖，從而大大影響硅錠的質量。公開號為CN103757689A的專利文獻公開了一種利用單晶硅籽晶誘導生長鑄造單晶硅的方法，通過熱場控制利用一塊單晶硅籽晶來制備鑄造單晶硅。這樣就降低了單晶硅籽晶制備和材料成本，同時由于沒有單晶硅籽晶間縫隙的影響，可大幅降低硅錠位錯密度，從而提高硅錠的質量。在實際操作中如何保留放置的單晶硅籽晶不被熔化是一個難點，而且單晶硅籽晶不熔化是生產出高質量準單晶的保證，但是在目前公開的專利及技術中也沒有關于此方面的內容。
技術實現思路
本技術的目的在于提供一種用于生長準單晶的熱交換臺，能有效的保護中心放置的單塊單晶籽晶不熔化，長晶時以未熔化的單晶籽晶為形核點生長，從而生產出高質量的準單晶。解決上述技術問題，本技術采取以下技術方案予以實現：一種用于生長準單晶的熱交換臺，其特征是：包括一平臺，平臺底部中心設有一凸臺，平臺的底部在凸臺的周圍固定設有保溫板。作為本技術的一種實施方式，所述的平臺由石墨制成，所述的保溫板由導熱系數低于石墨的材料制成。作為本技術的另一種實施方式，所述的平臺和凸臺為方形體、且橫截面為正方形。進一步地，所述凸臺的寬度為平臺寬度的20％～40％、高度為平臺高度的20％～50％。再進一步地，所述保溫板的厚度大于或等于凸臺的高度。作為本技術的一種實施方式，所述保溫板的數量為4塊，均勻分布在平臺的底部、凸臺的周圍。進一步地，所述的保溫板上開有若干個通孔、平臺底部開有與通孔對應的螺紋孔，平臺與保溫板通過螺栓固定連接在一起。作為本技術的一種實施方式，所述的螺栓為由石墨制成的螺栓。與現有技術相比，本技術有以下有益效果：熱交換臺設有凸臺，其底部在凸臺的四周固定有大面積保溫材料，硅料在熔化時，底部中心的散熱速度要遠遠大于四周部分的散熱速度，使得熔化界面呈球冠狀分布，這樣就能有效的保護中心放置的單塊單晶籽晶不熔化，長晶時以未熔化的單晶籽晶為形核點生長，從而生產出高質量的準單晶。附圖說明圖1是本技術的立體示意圖(底部朝上)；圖2是本技術平臺的立體示意圖(底部朝上)；圖3是本技術保溫板的立體示意圖。圖中：1-平臺，2-凸臺，3-保溫板，4-通孔，5-螺紋孔。具體實施方式下面結合附圖用實施例對本技術作進一步說明。如圖1至3所示的用于生長準單晶的熱交換臺，包括一由石墨制成的平臺1，平臺底部中心設有一凸臺2，其中平臺1和凸臺2為方形體、且橫截面為正方形，所述凸臺2的寬度為平臺寬度的20％～40％、高度為平臺高度的20％～50％；平臺1的底部在凸臺2的周圍固定設有4塊保溫板3，保溫板3由導熱系數低于石墨的材料制成，保溫板3的厚度大于或等于凸臺的高度；所述的保溫板3上開有若干個通孔4、平臺底部開有與通孔對應的螺紋孔5，平臺與保溫板通過由石墨制成的螺栓固定連接在一起。實施例一在GT450多晶爐中，熱交換臺的平臺1的尺寸為875mm×875mm，平臺1底部中心的凸臺2的尺寸為260mm×260mm，用石墨螺栓將4塊保溫板3固定在熱交換臺的平臺1底部、凸臺2的周圍，保溫板3的尺寸為500mm×500mm。實施例二在晶運通800多晶爐中，熱交換臺的平臺1的尺寸為1040mm×1040mm，平臺1底部中
心的凸臺2的尺寸為300mm×300mm，用石墨螺栓將4塊保溫板3固定在熱交換臺的平臺1底部、凸臺2的周圍，保溫板3的尺寸為750mm×750mm。熱交換臺設有凸臺，其底部在凸臺的四周固定有大面積保溫材料，硅料在熔化時，底部中心凸臺處的散熱速度要遠遠大于四周部分的散熱速度，使得熔化界面呈球冠狀分布，這樣就能有效的保護中心放置的單塊單晶籽晶不熔化，使得硅料熔化時保留中間很小一部分籽晶的要求得以實現，從而生長出高質量的準單晶。以上所述實施例僅表達了本技術的部分實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本技術專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本技術構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本技術的保護范圍。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于生長準單晶的熱交換臺，其特征是：包括一平臺，平臺底部中心設有一凸臺，平臺的底部在凸臺的周圍固定設有保溫板。

【技術特征摘要】
1.一種用于生長準單晶的熱交換臺，其特征是：包括一平臺，平臺底部中心設有一凸臺，平臺的底部在凸臺的周圍固定設有保溫板。2.根據權利要求1所述的用于生長準單晶的熱交換臺，其特征是：所述的平臺由石墨制成，所述的保溫板由導熱系數低于石墨的材料制成。3.根據權利要求1所述的用于生長準單晶的熱交換臺，其特征是：所述的平臺和凸臺為方形體、且橫截面為正方形。4.根據權利要求3所述的用于生長準單晶的熱交換臺，其特征是：所述凸臺的寬度為平臺寬度的20％～40％、高度為平臺高度的20％～50...

【專利技術屬性】
技術研發人員：黃新明，周緒成，鐘根香，張兆玉，張翔，
申請(專利權)人：東海晶澳太陽能科技有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇;32