【技術實現(xiàn)步驟摘要】
201610129011
【技術保護點】
一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：在基板上依次形成半導體層及第一柵極絕緣層；在所述第一柵極絕緣層上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括第一光刻膠層及第二光刻膠層，所述第一光刻膠層對應所述半導體層中待形成驅(qū)動薄膜晶體管的區(qū)域，所述第二光刻膠層對應所述半導體層中待形成開關薄膜晶體管的區(qū)域，所述第一光刻膠層的厚度大于所述第二光刻膠層的厚度；以所述光刻膠圖案為掩模，對所述半導體層及所述第一柵極絕緣層進行第一次刻蝕處理，以除去所述半導體層及所述第一柵極絕緣層上未被光刻膠圖案覆蓋的區(qū)域；除去所述第二光刻膠層；對所述第一柵極絕緣層進行第二次刻蝕處理，以除去至少部分所述第一柵極絕緣層未被第一光刻膠層覆蓋的區(qū)域的厚度；除去所述第一光刻膠層；在所述第一柵極絕緣層上形成第二柵極絕緣層；在所述第二柵極絕緣層上形成柵極。
【技術特征摘要】
1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
在基板上依次形成半導體層及第一柵極絕緣層；
在所述第一柵極絕緣層上形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括第一光刻膠層及第二
光刻膠層，所述第一光刻膠層對應所述半導體層中待形成驅(qū)動薄膜晶體管的區(qū)域，所述第
二光刻膠層對應所述半導體層中待形成開關薄膜晶體管的區(qū)域，所述第一光刻膠層的厚度
大于所述第二光刻膠層的厚度；
以所述光刻膠圖案為掩模，對所述半導體層及所述第一柵極絕緣層進行第一次刻蝕處
理，以除去所述半導體層及所述第一柵極絕緣層上未被光刻膠圖案覆蓋的區(qū)域；
除去所述第二光刻膠層；
對所述第一柵極絕緣層進行第二次刻蝕處理，以除去至少部分所述第一柵極絕緣層未
被第一光刻膠層覆蓋的區(qū)域的厚度；
除去所述第一光刻膠層；
在所述第一柵極絕緣層上形成第二柵極絕緣層；
在所述第二柵極絕緣層上形成柵極。
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述基板上依次形成
半導體層及第一柵極絕緣層，具體包括如下步驟：
在基板上依次形成緩沖層及非晶硅層；
將所述非晶硅層轉化為多晶硅層，得到所述半導體層；
在所述半導體層上形成第一柵極絕緣層。
3.根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，將所述非晶硅層轉化為
多晶硅層后，還包括：對所述多晶硅層進行溝道摻雜。
4.根據(jù)權利要求2所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，采用等離子體化學氣相
沉積法在所述基板的表面...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：張家朝，任思雨，蘇君海，李建華，
申請(專利權)人：信利惠州智能顯示有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：廣東;44
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