發光元件制造技術

提供一種具有25％左右的極高的效率的發光元件。發光元件包括包含磷光客體、n型主體及p型主體的發光層，發光層夾在含n型主體的n型層與含p型主體的p型層之間，并且在發光層中n型主體和p型主體可以形成激基復合物。在實現1200cd/m2的亮度的低驅動電壓(2.6V)下，發光元件顯示極高的發光效率(74.3lm/W的功率效率，24.5％的外部量子效率，19.3％的能量效率)。

【技術實現步驟摘要】
201610232785

【技術保護點】
一種發光元件，包括：第一電極；所述第一電極上的空穴注入層；所述第一電極上的層，所述層包含磷光化合物、第一有機化合物以及第二有機化合物；所述層上的電子注入層；以及所述電子注入層上的第二電極，其中，在所述層中，在從所述層的底表面到頂表面的方向上所述第一有機化合物的濃度和所述第二有機化合物的濃度變化，其中選擇所述第一有機化合物及所述第二有機化合物，以便在其間形成激基復合物，以及其中所述磷光化合物為有機金屬配合物，該有機金屬配合物的源于三重態MLCT轉移的吸收與所述激基復合物的發光重疊。

【技術特征摘要】
2011.03.30 JP 2011-0742721.一種發光元件，包括：
第一電極；
所述第一電極上的空穴注入層；
所述第一電極上的層，所述層包含磷光化合物、第一有機化合物以
及第二有機化合物；
所述層上的電子注入層；以及
所述電子注入層上的第二電極，
其中，在所述層中，在從所述層的底表面到頂表面的方向上所述第
一有機化合物的濃度和所述第二有機化合物的濃度變化，
其中選擇所述第一有機化合物及所述第二有機化合物，以便在其間
形成激基復合物，以及
其中所述磷光化合物為有機金屬配合物，該有機金屬配合物的源于
三重態MLCT轉移的吸收與所述激基復合物的發光重疊。
2.一種發光元件，包括：
第一電極；
所述第一電極上的第一EL層；
所述第一EL層上的電荷發生層；
所述電荷發生層上的第二EL層；以及
所述第二EL層上的第二電極，
其中所述第一EL層和所述第二EL層中...

【專利技術屬性】
技術研發人員：山崎舜平，瀨尾哲史，下垣智子，大澤信晴，井上英子，門間裕史，尾坂晴惠，
申請(專利權)人：株式會社半導體能源研究所，
類型：發明
國別省市：日本;JP