防靜電陣列基板和液晶顯示裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術(shù)涉及顯示裝置的技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種防靜電陣列基板和液晶顯示裝置，其中防靜電陣列基板包括多個接觸塊和并排設(shè)置的多條總線，各總線上連接有移位寄存器且至少一端設(shè)有扇出區(qū)，扇出區(qū)包括絕緣層和設(shè)置在絕緣層下方的柵極層，絕緣層上開設(shè)有連通至柵極層的第一過孔，接觸塊設(shè)置在絕緣層的上方且通過第一過孔與柵極層電連接，防靜電陣列基板還包括設(shè)置于絕緣層內(nèi)的導體層，導體層位于柵極層上方且沿扇出區(qū)延伸方向延伸，多個導體層之間相互電連接。本實用新型專利技術(shù)中的防靜電結(jié)構(gòu)在絕緣層中添加了導體層，導體層與各柵極層之間被部分絕緣層分隔形成電容結(jié)構(gòu)，該電容可避免了接觸塊被靜電或大電流擊穿，保護移位寄存器不會被擊傷。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本技術(shù)涉及顯示裝置的
，尤其涉及防靜電陣列基板和液晶顯示裝置。
技術(shù)介紹
在現(xiàn)有技術(shù)中，液晶顯示裝置在生產(chǎn)中需要進行虛擬測試。如圖1和圖2所示，圖1為
技術(shù)介紹
中的扇出區(qū)的被擊穿的原理示意圖和圖2為圖1的截面示意圖，液晶顯示裝置的臺階上設(shè)有接觸塊21，其一般用導電玻璃制作。在虛擬測試時，信號通過接觸塊21以及過孔到達柵極層221，并通過移位寄存器總線的扇出區(qū)22到達移位寄存器的總線23內(nèi)，以驅(qū)動移位寄存器。在虛擬測試的操作中，當治具探針上帶有大量電荷，或治具驅(qū)動能力過于強大足以引起瞬間巨量電流時，容易引起靜電或大電流通過接觸塊21流入總線23，產(chǎn)生移位寄存器內(nèi)部電路的擊傷，引起移位寄存器不良。此外，在ESD信賴性驗證中，靜電也容易通過接觸塊進入總線，引起移位寄存器擊傷。
技術(shù)實現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的在于提供防靜電陣列基板和液晶顯示裝置，旨在解決接觸塊容易被靜電或大電流擊穿，導致移位寄存器擊傷、內(nèi)部電路不良的問題。本技術(shù)是這樣實現(xiàn)的，一種防靜電陣列基板，包括多個接觸塊和并排設(shè)置的多條總線，各所述總線上連接有移位寄存器且至少一端設(shè)有扇出區(qū)，所述扇出區(qū)包括絕緣層和設(shè)置在所述絕緣層下方的柵極層，所述絕緣層上開設(shè)有連通至所述柵極層的第一過孔，所述接觸塊設(shè)置在所述絕緣層的上方且通過所述第一過孔與所述柵極層電連接，所述防靜電陣列基板還包括設(shè)置于所述絕緣層內(nèi)的導體層，所述導體層位于所述柵極層上方且沿所述扇出區(qū)延伸方向延伸，多個所述導體層之間相互電連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)中的防靜電結(jié)構(gòu)在絕緣層中添加了導體層，各導體層相互電連接，并且與各柵極層之間被部分絕緣層分隔，形成電容結(jié)構(gòu)，該電容可存儲靜電或瞬間大電流引起的電荷，避免了接觸塊被靜電或大電流擊穿的可能性，保護移位寄存器不會被擊傷，使其具有良好的電路性能。本技術(shù)還提供了液晶顯示裝置，包括上述的防靜電陣列基板。本技術(shù)中的液晶顯示裝置采用了上述的防靜電結(jié)構(gòu)，內(nèi)部形成的電容結(jié)構(gòu)具有可存儲靜電、抗電流擊穿的特性，能保護內(nèi)部電路并且避免移位寄存器被擊傷。附圖說明圖1為
技術(shù)介紹
中的扇出區(qū)的被擊穿的原理示意圖；圖2為圖1的截面示意圖；圖3為本技術(shù)實施例一提供的防靜電結(jié)構(gòu)的整體示意圖；圖4為圖3中C-A-B方向的剖視示意圖。圖5為本技術(shù)實施例一中連接結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本技術(shù)實施例二中連接結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為圖6的A-A`截面示意圖；圖8為本技術(shù)實施例二中提供的液晶顯示裝置整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本技術(shù)實施例一和實施例二的電路結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式為了使本技術(shù)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本技術(shù)進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本技術(shù)，并不用于限定本技術(shù)。以下結(jié)合具體附圖對本實施例的實現(xiàn)進行詳細的描述。實施例一：如圖3、圖4、圖5所示，圖3為本技術(shù)實施例一提供的防靜電結(jié)構(gòu)的整體示意圖、圖4為圖3中C-A-B方向的剖視示意圖，圖5為本技術(shù)實施例一中連接結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，本實施例提供的一種防靜電陣列基板1，其可在虛擬測試中保護移位寄存器，防止器被電流擊傷。防靜電陣列基板1包括多個接觸塊11和并排設(shè)置的多條總線13，在各總線13上連接有移位寄存器，且總線13的至少一端設(shè)有扇出區(qū)12。扇出區(qū)12包括絕緣層122和設(shè)置在絕緣層122下方的柵極層121，在絕緣層122上開設(shè)有連通至柵極層121的第一過孔1221。各接觸塊11設(shè)置在絕緣層122的上方且通過第一過孔1221與柵極層121電連接，防靜電陣列基板1還包括設(shè)置于絕緣層122內(nèi)的導體層123，導體層123位于柵極層121上方且沿扇出區(qū)12延伸方向延伸，多個導體層123之間相互電連接。由于導體層123和柵極層121相對平行設(shè)置，且二者被一部分絕緣層122隔開，形成電容，多個導體層123之間相互電連接相當于形成一較大面積的極板，其電路結(jié)構(gòu)如圖9所示，圖9為本技術(shù)實施例一和實施例二的電路結(jié)構(gòu)示意圖。在靜電或瞬間大電流沖擊時，導體層123和柵極層121可存儲靜電或瞬間大電流引起的電荷，減小引發(fā)電路擊傷的幾率，最終保護移位寄存器，使其能保持正常工作。本實施例中的接觸塊11由透明導電材料制成，具體為ITO材料。如圖3和圖5所示，各導體層123遠離接觸塊11的端部相互平齊，即沿著扇出區(qū)12的延伸至相互對應的位置。在扇出區(qū)12遠離接觸塊11一端，即導體層123延伸相互平齊的位置，設(shè)有連接結(jié)構(gòu)124，連接結(jié)構(gòu)124電連接于各導體層123，將各導體層123相互導通。本實施中的連接結(jié)構(gòu)124采用同層式結(jié)構(gòu)，連接結(jié)構(gòu)124和導體層123一體成型，即連接結(jié)構(gòu)124與導體層123直接連接且位于同一層。實施例二：如圖6和圖7所示，圖6為本技術(shù)實施例二中連接結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖7為圖6的A-A`截面示意圖，本實施例與實施例一大體相同，同樣具有相對平行設(shè)置的導體層123和柵極層121，借助二者形成的電容存儲靜電，保護內(nèi)部電路。本實施例與實施例一的主要差別在于連接結(jié)構(gòu)124a的結(jié)構(gòu)，在本實施例中采用頂層式結(jié)構(gòu)，連接結(jié)構(gòu)124a設(shè)置在扇出區(qū)1遠離接觸塊11一端的上方，各絕緣層122a對應開設(shè)有可供連接結(jié)構(gòu)124a電連接于導體層123的第二過孔1222。在本實施例中，可先將各扇出區(qū)12加工完成后，然后在其上方設(shè)置連接結(jié)構(gòu)124a，并且使其通過第二過孔1222與導體層123電連接。這種方式中的連接結(jié)構(gòu)124a可以在后期進行更換，便于維護。本實施例中的連接結(jié)構(gòu)124a由透明導電材料制成，具體為ITO結(jié)構(gòu)。如圖8所示，圖8為本技術(shù)實施例二中提供的液晶顯示裝置整體結(jié)構(gòu)示意圖，本實施還提供了液晶顯示裝置3，包括上述的一種防靜電陣列基板1。采用一種防靜電陣列基板1的液晶顯示裝置3，在受到靜電或瞬間大電流沖擊時由內(nèi)部形成的電容存儲并緩沖，避免移位寄存器被擊傷。液晶顯示裝置3設(shè)有圍合的封框膠31，連接結(jié)構(gòu)124a位于液晶顯示裝置3上端面，且位于封框膠31圍合成的區(qū)域內(nèi)，可以有效的防止RA腐蝕，并且提高可信賴性。以上僅為本技術(shù)的較佳實施例而已，并不用以限制本技術(shù)，凡在本技術(shù)的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本技術(shù)的保護范圍之內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種防靜電陣列基板，其特征在于，包括多個接觸塊和并排設(shè)置的多條總線，各所述總線上連接有移位寄存器且至少一端設(shè)有扇出區(qū)，所述扇出區(qū)包括絕緣層和設(shè)置在所述絕緣層下方的柵極層，所述絕緣層上開設(shè)有連通至所述柵極層的第一過孔，所述接觸塊設(shè)置在所述絕緣層的上方且通過所述第一過孔與所述柵極層電連接，所述防靜電陣列基板還包括設(shè)置于所述絕緣層內(nèi)的導體層，所述導體層位于所述柵極層上方且沿所述扇出區(qū)延伸方向延伸，多個所述導體層之間相互電連接。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種防靜電陣列基板，其特征在于，包括多個接觸塊和并排設(shè)置的多條
總線，各所述總線上連接有移位寄存器且至少一端設(shè)有扇出區(qū)，所述扇出區(qū)包
括絕緣層和設(shè)置在所述絕緣層下方的柵極層，所述絕緣層上開設(shè)有連通至所述
柵極層的第一過孔，所述接觸塊設(shè)置在所述絕緣層的上方且通過所述第一過孔
與所述柵極層電連接，所述防靜電陣列基板還包括設(shè)置于所述絕緣層內(nèi)的導體
層，所述導體層位于所述柵極層上方且沿所述扇出區(qū)延伸方向延伸，多個所述
導體層之間相互電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種防靜電陣列基板，其特征在于，所述接觸塊由
透明導電材料制成。
3.如權(quán)利要求1所述的一種防靜電陣列基板，其特征在于，所述防靜電陣
列基板還包括分別電連接于所述導體層并將其相互導通的連接結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求3所述的一種防靜電陣列基板，其特征在于，各所述導體層
遠離所述接觸塊的端部相...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金慧俊，
申請(專利權(quán))人：上海中航光電子有限公司，天馬微電子股份有限公司，
類型：新型
國別省市：上海;31