本實用新型專利技術提供了一種表面鍍銅的導電膜，包括依次層疊設置在基材一側的光學調整層、ITO層及銅導線層，基材與光學調整層之間設有調光硬化涂層，所述調光硬化涂層厚度取值在300nm至2μm,所述銅導線層厚度為50nm～800nm，所述ITO層的表面電阻≦400Ω/□。本實用新型專利技術將銅導線層于制作ITO上方，因導電層為金屬，不需要添加黏著劑，因此僅需數百奈米的厚度即可達到需求之導電效果，同時因無黏著劑之添加，所以同時也解決了繞曲的問題。
【技術實現步驟摘要】
本技術設及一種透明導電膜，特別是設及一種表面鍛銅的導電膜。
技術介紹
目前通用的觸摸屏包括適用于移動設備和消費電子產品的電阻式觸摸屏和投射 電容式觸摸屏，隨著蘋果公司IPhone手機的推出，引發了電容式觸摸屏的熱潮，電容式觸 摸屏向各種電子產品領域滲透。隨著技術的進步，電容式觸摸屏的各種結構不斷涌現，其中 最常用的有蘋果經典的雙面IT0結構，單面TP橋結構，film-glass結構，film-film-glass 結構等，其中對于film-film結構的電容屏結構，電極引線大多采用絲印銀漿。通常為口0 導電膜制作感應圖型后，在邊側上方制作導線，W將訊號連接至驅動1C。目前在IT0上方 印刷導電銀漿時，需在銀漿中添加黏著劑，若黏著劑過高則會導致導電度較差；黏著劑過低 則銀漿的粘著性不強，再有制作的銀導電厚度較厚且線寬較寬，繞曲效果亦較差，容易造成 斷線的問題。
技術實現思路
本技術是針對現有技術的不足，提供一種表面鍛銅的導電膜，電極粘著性好， 避免使用黏著劑，并且有效解決繞曲效果較差、容易造成斷線的問題。 本技術采用的技術方案如下：一種表面鍛銅的導電膜，包括依次層疊設置在 基材一側的光學調整層、IT0層及銅導線層，基材與光學調整層之間設有調光硬化涂層，所 述調光硬化涂層厚度取值在300皿至2 μ m,所述銅導線層厚度為50皿~800皿，所述口0 層的表面電阻蘭400 Ω / 口。 陽0化]進一步地，所述基材的另一側設置有調光硬化涂層。 進一步地，所述基材的另一側相對地設置有調光硬化涂層、光學調整層、IT0層及 銅導線層。 進一步地，所述銅導線層厚度優選為100皿~300皿。 進一步地，所述IT0層厚度優選為20皿~30皿。 與現有技術相比，本技術在IT0導電膜上方，將銅導線層于制作IT0上方，不 需要添加黏著劑，且僅需數百奈米的厚度即可達到需求的導電效果，同時因無黏著劑之添 加，所W同時也解決了繞曲的問題。【附圖說明】 圖1是本技術表面鍛銅的導電膜的第一較佳實施方式的層結構示意圖； 圖2是本技術的第二較佳實施方式的層結構示意圖； 圖3是本技術的第Ξ較佳實施方式的層結構示意圖。【具體實施方式】 下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行 清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的 實施例，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可W相互組合，下面將參 考附圖并結合實施例來詳細說明本技術。 如圖1所示，一種表面鍛銅的導電膜，其第一較佳實施方式包括基材1、W及層疊 設置在基材1上表面的光學調整層2、IT0層3及銅導線層4。所述基材1為可透光材質，表 面均勻且平整，其材質可為陽T、陽N、C0C(切clic Olefin Copolymer)、C0P(切clic Olefin Polymers)中的任意一種。基材1與光學調整層2之間制作兼具調光與抗刮傷效果的調光 硬化涂層5, IT0層3設置在光學調整層2上，銅導線層4通過瓣鍛、蒸鍛等技術制作在口0 層3上。 本技術的第二較佳實施方式，一種表面鍛銅的導電膜，在第一較佳實施方式 的基礎上，如圖2所示，所述基材1的下表面進一步設置有另一調光硬化涂層5。 本技術的第Ξ較佳實施方式，一種表面鍛銅的導電膜，在第一較佳實施方式 的基礎上，如圖3所示，所述基材1下表面進一步依次層疊設置有調光硬化涂層5、光學調整 層2、IT0層3及銅導線層4,與基材1上表面的各層對稱。 上述各實施例方式中，所述調光硬化涂層5折射率為1. 6~1. 7,且厚度在 300nm ~2 μ m。 所述光學調整層2用于調整入射光的折射率，折射率為1. 4~1. 5,其厚度為10~ 40nm〇 所述口0層3為銅錫氧化物導電層，并且氧化錫（Sn〇2)比例介于1~10%間，W薄 膜沉積的方式形成于光學調整層2表面上。IT0層3在150°C條件下經過60分鐘的熱處理 后，其表面電阻變化率經浸泡1N鹽酸3分鐘后蘭20%。所述IT0層3厚度選擇為15nm~ 35nm，IT0層3的表面電阻優選為蘭400 Ω / □。 Ω/ □為薄膜電阻的單位，即歐姆/平方。薄膜電阻具有均勻厚度薄膜電阻的量 度。通常被用作評估半導體滲雜的結果。運種工藝的例子有：半導體的滲雜領域（比如娃 或者多晶娃），W及被絲網印刷到薄膜混合微電路基底上的電阻。薄膜電阻運一概念的使 用，與電阻或者電阻率相對，是它直接用四終端感應測量法（也稱為四點探針測量法）來測 量。薄膜電阻用歐姆/平方來計量，可被應用于將薄膜考慮為一個二維實體的二維系統。它 與Ξ維系統下所用的電阻率的概念對等。當使用到薄膜電阻一詞的時候，電流必須沿著薄膜平面流動，而非與其垂直。對于常規Ξ維導體，電阻可被寫為 其中 ( P代表電阻率，A代表截面面積而L代表長度。截面面積可被分解為寬度W和薄膜厚度t。 當把電阻率和厚度放到一起時，電阻可被記為即為薄膜電阻。因 為它被一個無量綱量所乘，所W單位依然是歐姆。而歐姆/平方運一單位被使用是因為它 給出了 W歐姆為單位的從一個平方區域流向相對平方區域的電阻，無論平方區域的大小如 何。對于正方情形，L = W。因此，對任意平方大小，有R = Rg。四點探針是使用來減少接觸 電阻的問題，它常被使用來確認材料的片電阻值。感應測量也是有被使用。此方法是測量 由滿流產生的屏蔽效果。運種技術的其中一種是被測導電片放置在兩個線圈之間。另外， 運種非接觸式片電阻值的測量方法也可W測量封裝內的薄膜或表面粗糖度大的薄膜。 所述銅導線層4不限于純銅，亦可為導電之銅合金，其厚度為50皿~800皿之間， 其中，優選為lOOnm~500nm。依據所使用的不同的銅導線層4的厚度，IT0與銅表面電阻 (即IT0層3與銅導線層4)所產生的電阻W及銅導線層4在常溫密著、銅制作線路后對1C 驅動狀況、及銅表面針孔狀況都會有所差異，W下將根據實施例進一步地說明。 比較例1 :先將基板1作電漿清洗前處理，然后在其表面上用瓣鍛或蒸鍛的方式依 序鍛上光學調整層2、IT0層3,其中IT0表面電阻為150 Ω / □，基板1的常溫密著度為5B， 采用百格測試法，將測試品利用百格刀與3M-600型膠帶，觀察其密著度，密著度有0B~5B 共六個等級，5B為最佳。[002引實施例1 :本實施例1在制作時，先將基板1作電漿清洗前處理，然后在其待測表 面上通過瓣鍛或蒸鍛的方式依序鍛上調光硬化涂層5、光學調整層2、IT0層3及銅導線層 4,其中銅導線層4厚度為50nm。 實施例2 :實施例2的制備流程與結構與實施例1相同，所不同處僅在于：銅導線 層4厚度為lOOnm。[00對實施例3 :實施例3的制備流程與結構與實施例1相同，所不同處僅在于：銅導線 層4厚度為200nm。 實施例4 :實施例4的制備流程與結構與實施例1相同，所不同處僅在于：銅導線 層4厚度為300nm。 實施例5 :實施例5的制備流程與結構與實施例1相同，所不同處僅在于：銅導線 層4厚度為500nm。[00測實施例6 :實施例6的制備流程與結構與實施例1相同，所不同處僅在于：銅導線 層4厚度為800n本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種表面鍍銅的導電膜，包括依次層疊設置在基材(1)一側的光學調整層(2)、ITO層(3)及銅導線層(4)，其特征在于：基材(1)與光學調整層(2)之間設有調光硬化涂層(5)，所述調光硬化涂層(5)厚度介于300nm～2um，所述銅導線層(4)厚度為50nm～800nm，所述ITO層(3)的表面電阻≦400Ω/□。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：胡文瑋，杜成城，劉比爾，
申請(專利權)人：汕頭萬順包裝材料股份有限公司，汕頭萬順包裝材料股份有限公司光電薄膜分公司，
類型：新型
國別省市：廣東;44
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