本發明專利技術提供了用于處理晶片狀物件的方法和裝置。一種用于處理晶片狀物件的裝置，其包括：封閉處理室，所述封閉處理室提供氣密封裝。旋轉卡盤位于所述封閉處理室內。加熱器相對于所述卡盤定位以便僅從一側加熱保持在所述卡盤上的晶片狀物件，而不接觸所述晶片狀物件。所述加熱器發射波長在從390納米至550納米的范圍內的具有最大強度的輻射。至少一個第一液體分配器相對于所述卡盤定位，以便將工藝液體分配到晶片狀物件的與所述晶片狀物件的面向所述加熱器的一側相反的一側上。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術總體上設及用于在封閉處理室內處理晶片狀物件（比如半導體晶片）的方 法和裝置。
技術介紹
半導體晶片經受各種表面處理工藝，比如蝕刻、清潔、拋光和材料沉積。為了適應 運樣的工藝，可相對于一個或多個工藝流體噴嘴通過與可旋轉載具相關聯的卡盤支撐單晶 片，如例如美國專利No. 4, 903, 717和No. 5, 513, 668中所描述的。 替代地，適用于支撐晶片的環形轉子形式的卡盤可被設置在封閉的處理室內并在 沒有物理接觸的情況下通過主動磁軸承驅動，如例如國際公開No. WO 2007/101764和美國 專利No. 6, 485, 531中所描述的。因離屯、作用而從旋轉晶片邊緣向外驅動的工藝流體被傳 送給用于清理的公共排放管。 雖然用于單晶片濕式處理的許多方法和裝置是已知的，但從半導體晶片剝離光致 抗蝕劑，尤其是當光致抗蝕劑深深地植入如棚和神等離子時，仍然是一個困難的問題。大多 數運樣的方法需要使用大量的濃硫酸，運是相對昂貴的化學工藝，而且另外對于回收是不 切實際的。
技術實現思路
陽〇化]本專利技術人已經開發了用于在封閉處理室處理晶片狀物件的改進的方法和設備，運 基于其意外的發現，即W特定的方式加熱晶片狀物件，結合臭氧氣體受控引入到處理室內， 導致令人驚奇的從晶片狀物件有效地去除甚至深深植入的光致抗蝕劑的效果。 因此，在一個方面，本專利技術設及一種用于處理晶片狀物件的裝置，其包括：封閉處 理室，所述封閉處理室包括提供氣密封裝的殼體。旋轉卡盤位于所述封閉處理室內，并適于 將預定直徑的晶片狀物件保持在其上。加熱器相對于所述卡盤定位W便僅從一側加熱保持 在所述卡盤上的晶片狀物件，而不接觸所述晶片狀物件。所述加熱器發射波長在從390納 米至550納米的范圍內的具有最大強度的福射。至少一個第一液體分配器相對于所述卡盤 定位，W便將工藝液體分配到晶片狀物件的與所述晶片狀物件的面向所述加熱器的一側相 反的一側上。所選波長使得能主要加熱襯底而不加熱室。將所述液體分配器定位在晶片狀 物件的與加熱器相反的一側上使得當晶片狀物件從背側加熱時，晶片狀物件的正側能經受 處理。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，所述卡盤是位于所述室內并且通 過定位在所述室外部的定子包圍的磁性環形轉子。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，所述卡盤由馬達驅動，所述馬達 的輸出被傳遞到與所述卡盤連接的旋轉軸。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，所述室包括上部區域和下部區 域，所述至少一個第一液體分配器的出口被定位在所述上部區域內，所述加熱器定位在所 述下部區域內或定位成鄰近所述下部區域，由此，所述加熱器被構造成從所述晶片狀物件 的下側加熱所述晶片狀物件，而所述至少一個第一液體分配器被配置為分配工藝液體到所 述晶片狀物件的上側。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，所述加熱器發射波長在從400納 米至500納米的范圍內的具有最大強度的福射。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，所述加熱器包括藍色發光二極管 陣列。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，所述藍色發光二極管陣列與所述 預定直徑的晶片狀物件基本上是同延伸的。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，所述裝置進一步包括臭氧產生 器，所述臭氧產生器被配置成將臭氧氣體輸送到通向所述室中的氣體入口。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，所述氣體入口相對于所述卡盤定 位，W便將臭氧氣體朝向晶片狀物件的與所述晶片狀物件的面向所述加熱器的一側相反的 一側上輸送。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，第一板定位在所述加熱器和保持 在所述卡盤上的晶片狀物件之間，所述第一板對于由所述加熱器發射的福射基本上是透明 的。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，所述第一板由石英或藍寶石制 成。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，所述第一板形成所述室的壁的至 少一部分，所述加熱器被安裝在所述室外。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，所述第一板被放置在所述卡盤的 基體的上方且在保持在所述卡盤上的晶片狀物件的下方，所述第一板被安裝在在所述室內 的所述卡盤上。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，第二板安裝在所述卡盤上W隨其 旋轉，所述第二板與所述至少一個第一液體分配器位于所述晶片狀物件的同一側上，所述 第二板保護所述室的一側的內部不受從所述晶片狀物件甩掉的液滴的影響。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，至少一個第二液體分配器與所述 加熱器安裝在所述晶片狀物件的同一側上。 在根據本專利技術所述的裝置的優選的實施方式中，所述加熱器被構造成加熱所述預 定直徑的娃晶片至超過300°C的溫度。 在另一個方面，本專利技術設及一種用于處理晶片狀物件的方法，其包括：將預定直徑 的晶片狀物件定位在設置于封閉處理室內的旋轉卡盤上；通過波長在從390納米至550納 米的范圍內的具有最大強度的福射僅從一側加熱所述晶片狀物件并且不接觸所述晶片；W 及將工藝液體分配到晶片狀物件的與所述晶片狀物件的面向所述加熱器的一側相反的一 偵化。 加熱可W與工藝液體的分配同時執行。可替代地，或另外地，工藝液體的分配可W 在晶片的加熱之前和/或之后進行。 在根據本專利技術所述的方法的優選的實施方式中，主要是氣態形式的臭氧被引入封 閉處理室內。優選在用波長在從390納米至550納米的范圍內的具有最大強度的福射加熱 晶片狀物件之后和/或期間，將臭氧引入W接觸經加熱的晶片狀物件。在根據本專利技術所述的方法的優選的實施方式中，臭氧的引入和工藝液體的分配在 沒有干擾從封閉處理室去除晶片狀物件的條件下順序執行。運意味著，液體處理可W在臭 氧處理之前和/或之后進行。 在一個優選的實施方式中，臭氧氣體供給到晶片狀物件的不面對加熱器的表面 上。運優選是通過指向晶片狀物件的不面對加熱器的一側的至少一個噴嘴執行?？商娲?地，臭氧氣體可W通過晶片狀物件的邊緣附近的甚至穿過加熱器中的開口的任何其它孔口 供給到所述室內。 在根據本專利技術所述的方法的優選的實施方式中，所述臭氧的引入和所述工藝液體 的分配同時執行。 在根據本專利技術所述的方法的優選的實施方式中，所述晶片狀物件是具有半導體器 件部件的半導體晶片，所述半導體器件部件形成在所述晶片的與面向所述加熱器的一側相 反的一側上。 在根據本專利技術所述的方法的優選的實施方式中，所述工藝液體基本不含硫酸。 在根據本專利技術所述的方法的優選的實施方式中，所述晶片狀物件的加熱導致所述 晶片狀物件達到超過300°C的溫度。 在另一個方面，本專利技術設及一種用于從襯底剝離光致抗蝕劑的工藝，其包括：分配 過氧化氨水溶液到襯底的表面上，其中所述表面包括待被剝離的光致抗蝕劑，并且其中所 述襯底被布置在封閉室內；在過氧化氨水溶液保留在襯底的表面上的同時，引入臭氧氣氛 到封閉室中；加熱襯底；并從襯底除去剝離的光致抗蝕劑。 在根據本專利技術的工藝的優選實施方式中，加熱是在150°C至500°C的溫度范圍內 進行的。 在根據本專利技術的工藝的優選實施方式中，加熱是在200°C至450°C的溫度范圍內 進行的。 在根據本專利技術的工藝的優選實施方式中，加熱是在250°C至400°C的溫度范圍內 進行，并且本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種用于處理晶片狀物件的裝置，其包括：封閉處理室，所述封閉處理室包括提供氣密封裝的殼體；位于所述封閉處理室內的旋轉卡盤，所述旋轉卡盤適于將預定直徑的晶片狀物件保持在其上；加熱器，其相對于所述卡盤定位以便僅從一側加熱保持在所述卡盤上的晶片狀物件，而不接觸所述晶片狀物件，所述加熱器發射波長在從390納米至550納米的范圍內的具有最大強度的輻射；以及至少一個第一液體分配器，其相對于所述卡盤定位，以便將工藝液體分配到晶片狀物件的與所述晶片狀物件的面向所述加熱器的一側相反的一側上。
【技術特征摘要】
...
【專利技術屬性】
技術研發人員：雷納·歐布維格，安德烈亞斯·格雷森納，托馬斯·維恩斯貝格爾，弗朗茨·庫姆尼格，阿里桑德羅·貝爾達羅，克里斯汀·托馬斯·費舍爾，周沐洪，拉法爾·理夏德·迪萊維奇，南森·拉夫多斯基，伊凡·L·貝瑞三世，
申請(專利權)人：朗姆研究公司，
類型：發明
國別省市：奧地利;AT
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