本發(fā)明專利技術(shù)提供一種低反射率透明導(dǎo)電線路的制備方法，包括步驟：1）于透明基板上形成金屬線路；2）對所述金屬線路表面進(jìn)行黑化處理，以于所述金屬線路表面形成用于消除反光的導(dǎo)電材料層。本發(fā)明專利技術(shù)采取了表面層電鍍的方法，通過化學(xué)反應(yīng)使得本身具有金屬光澤的微米級別的金屬線降低金屬光澤，從而降低了整體反射率，改善了產(chǎn)品的外觀。同時，電信號測量表明黑化后，接觸電阻和導(dǎo)通電阻均無明顯變化。此外，通過配方的優(yōu)化，可以使得該黑化層具有一定的硬度，可以在一定程度上保護(hù)下層金屬。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及一種透明導(dǎo)電線路的制備方法，特別是涉及。
技術(shù)介紹
對可見光透明的材料目前主要還是玻璃類材料，但是玻璃材料本身不具備有導(dǎo)電性能，而一種既透明又導(dǎo)電的材料對于電子設(shè)備來說是不可或缺的，比如用于屏幕上方的功能性涂層，用于電磁屏蔽的導(dǎo)電薄膜等。在市場上占有主導(dǎo)地位的透明導(dǎo)電材料是ΙΤ0玻璃，其是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎(chǔ)上，利用濺射、蒸發(fā)等多種方法鍍上一層氧化銦錫(俗稱ΙΤ0)膜加工制作成的。然而ΙΤ0材料本身資源有限，價格較高，同時雖然導(dǎo)電但電阻率并不理想，薄膜方阻在50 Ω / □以上。對于制備需要承載一定電流的線路板或者大屏幕的觸摸傳感器，這樣的阻值就限制了 ΙΤ0玻璃的應(yīng)用。除了 ΙΤ0玻璃，形成透明導(dǎo)電薄膜還可以利用微細(xì)結(jié)構(gòu)的不透明金屬條。實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)金屬線條的寬度小于10微米，間距大于100微米時，在正常屏幕工作距離上就無法很容易識別出其中的線條。當(dāng)金屬線條的寬度小于3微米，間距大于200微米時，其透過率已經(jīng)能超過90%，優(yōu)于大部分ΙΤ0的產(chǎn)品。一個典型的金屬網(wǎng)格圖案如圖所示:其線寬為2.5微米。在宏觀上則表現(xiàn)為透明的導(dǎo)電薄膜。形成導(dǎo)電金屬網(wǎng)格的方法很多，比如光刻刻蝕法，微米壓印印刷法等。無論采取什么方法，金屬漿料在固化后其本身還是會呈現(xiàn)金屬色。當(dāng)背景色為黑色的時候，有金屬線條的地方因?yàn)榫哂休^高的反射率而泛白，影響視覺對比度，從而對整體的外觀產(chǎn)生較大的影響。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本專利技術(shù)的目的在于提供，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中透明導(dǎo)電線路表面反光嚴(yán)重的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本專利技術(shù)提供，其特征在于，包括步驟:1)于透明基板上形成金屬線路；2)對所述金屬線路表面進(jìn)行黑化處理，以于所述金屬線路表面形成用于消除反光的導(dǎo)電材料層。作為本專利技術(shù)的低反射率透明導(dǎo)電線路的制備方法的一種優(yōu)選方法，步驟1)所述金屬線路的線寬不大于10微米，金屬線之間的間距不小于100微米。作為本專利技術(shù)的低反射率透明導(dǎo)電線路的制備方法的一種優(yōu)選方法，所述金屬線路的制作方法包括光刻刻蝕法及微米壓印印刷法。作為本專利技術(shù)的低反射率透明導(dǎo)電線路的制備方法的一種優(yōu)選方法，所述金屬線路呈相互獨(dú)立分布或呈網(wǎng)絡(luò)狀互聯(lián)分布。作為本專利技術(shù)的低反射率透明導(dǎo)電線路的制備方法的一種優(yōu)選方法，步驟2)采用電鍍法于所述金屬線路表面形成黑鎳鍍層，以實(shí)現(xiàn)對金屬線路表面的黑化處理。作為本專利技術(shù)的低反射率透明導(dǎo)電線路的制備方法的一種優(yōu)選方法，電鍍黑鎳鍍層所采用的電鍍液為N1-Zn合金鍍液，所述黑鎳鍍層為N1-Zn黑鎳鍍層。作為本專利技術(shù)的低反射率透明導(dǎo)電線路的制備方法的一種優(yōu)選方法，所述N1-Zn合金鍍液的配方為:硫酸鎳90?120g/L，硫酸鋅40?60g/L，硫酸銨20?30g/L，硫氰酸銨25 ?35g/L，硼酸 25 ?35g/L。作為本專利技術(shù)的低反射率透明導(dǎo)電線路的制備方法的一種優(yōu)選方法，所述N1-Zn黑鎳鍍層，以質(zhì)量比計，包含以下組分:40?60%的鎳、20?30%的鋅、10?15%的硫、以及5?15%的有機(jī)物。作為本專利技術(shù)的低反射率透明導(dǎo)電線路的制備方法的一種優(yōu)選方法，所述N1-Zn黑鎳鍍層包含黑色硫化鎳，所述黑色硫化鎳由鎳離子與硫氰酸根在陰極上還原游離出的硫離子反應(yīng)形成。作為本專利技術(shù)的低反射率透明導(dǎo)電線路的制備方法的一種優(yōu)選方法，電鍍時采用的溫度范圍為20?40°C，PH值范圍為4?6。如上所述，本專利技術(shù)提供，包括步驟:1)于透明基板上形成金屬線路；2)對所述金屬線路表面進(jìn)行黑化處理，以于所述金屬線路表面形成用于消除反光的導(dǎo)電材料層。本專利技術(shù)采取了表面層電鍍的方法，通過化學(xué)反應(yīng)使得本身具有金屬光澤的微米級別的金屬線降低金屬光澤，從而降低了整體反射率，整體版面的反射率黑化前后由7-12%降低為2%-5%，改善了產(chǎn)品的外觀。同時，電信號測量表明黑化后，接觸電阻和導(dǎo)通電阻均無明顯變化。此外，通過配方的優(yōu)化，可以使得該黑化層具有一定的硬度，可以在一定程度上保護(hù)下層金屬。【附圖說明】圖1顯示為本專利技術(shù)的低反射率透明導(dǎo)電線路的制備方法的步驟流程示意圖。圖2?圖4顯示為本專利技術(shù)的低反射率透明導(dǎo)電線路的制備方法中各步驟所呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)示意圖。元件標(biāo)號說明101透明基板102金屬線路103用于消除反光的導(dǎo)電材料層S11?S12步驟1)?步驟2)【具體實(shí)施方式】以下通過特定的具體實(shí)例說明本專利技術(shù)的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本專利技術(shù)的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本專利技術(shù)還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本專利技術(shù)的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。請參閱圖1?圖4。需要說明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本專利技術(shù)的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本專利技術(shù)中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。本專利技術(shù)提供，其特征在于，包括步驟:如圖1?圖3所示，首先進(jìn)行步驟1)S11，于透明基板101上形成金屬線路102 ；作為示例，所述金屬線路102的制作方法包括光刻刻蝕法及微米壓印印刷法。作為示例，所述金屬線路102的線寬不大于10微米，金屬線之間的間距不小于100微米。在本實(shí)施例中，所述金屬線路102的線寬為2.5微米，金屬線之間的間距為200微米，這種帶有金屬線路102的透明基板101的透過率達(dá)到90%以上。作為示例，所述金屬線路102呈相互獨(dú)立分布或呈網(wǎng)絡(luò)當(dāng)前第1頁1 2 本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種低反射率透明導(dǎo)電線路的制備方法，其特征在于，包括步驟：1)于透明基板上形成金屬線路；2)對所述金屬線路表面進(jìn)行黑化處理，以于所述金屬線路表面形成用于消除反光的導(dǎo)電材料層。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：徐厚嘉，林曉輝，平財明，謝自民，祝連忠，陳春明，
申請(專利權(quán))人：上海藍(lán)沛信泰光電科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：上海;31
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。