本發明專利技術涉及一種焊盤下裝置的檢測結構及檢測方法，所述檢測結構包括位于所述焊盤下方的檢測單元；其中，所述檢測單元包括若干環形振蕩器，所述若干環形振蕩器線形排列形成線形陣列或者內外嵌套形成環形陣列。本發明專利技術為了解決現有技術中存在的問題，提供了一種焊盤下裝置的檢測結構，包括焊盤以及位于所述焊盤下方的檢測單元；其中，所述檢測單元包括若干環形振蕩器，其中所述若干環形振蕩器線形排列形成線形陣列或者內外嵌套設置形成環形陣列，在接合或者探測前后分別對所述檢測結構進行測試，并通過比較接合或者探測前后的參數，得到在所述接合或者探測過程中對所述檢測結構的影響，從而對焊盤下裝置進行評價。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及半導體領域，具體地，本專利技術涉及一種焊盤下裝置的檢測結構及檢測方法。
技術介紹
隨著半導體技術的不斷發展，器件尺寸和芯片尺寸不斷縮小，為了進一步縮小芯片的尺寸，需要在接合焊盤或者探測焊盤(bonding/probingpads)下面形成有源電路(activecircuits)或者裝置。在器件制備過程中通常包含接合(bonding)、探測(probing)的步驟，在所述步驟中會產生接合應力和探測應力，所述應力會引起焊盤下電路或裝置性能的波動，例如傳播延遲(propagationdelay)和漏電流(draincurrent)波動等，因此，在研發以及批量生產階段需要對由接合應力和探測應力引起的所述效應進行評估。現有技術中可以針對單個晶體管或者晶體管陣列進行檢測，但是沒有針對焊盤下裝置、電路進行檢測的檢測結構和方法。
技術實現思路
在
技術實現思路
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本專利技術的
技術實現思路
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。本專利技術為了克服目前存在問題，提供了一種焊盤下裝置的檢測結構，包括位于所述焊盤下方的檢測單元；其中，所述檢測單元包括若干環形振蕩器，所述若干環形振蕩器線形排列形成線形陣列或者內外嵌套形成環形陣列。可選地，所述若干環形振蕩器線形排列成若干行，每一行包括若干列，以形成所述線形陣列；其中每個所述環形振蕩器包括相同數目的反相器。可選地，所述環形陣列包括內外嵌套設置的一個內環形振蕩器和一個外環形振蕩器，其中，所述內環形振蕩器和所述外環形振蕩器包括相同數目的反相器。可選地，所述外環形振蕩器和所述內環形振蕩器整體呈方形結構，所述外環形振蕩器的一邊包括N個反相器，另一邊包括M個反相器，相應地，所述內環形振蕩器的一邊包括N-2個反相器，另一邊包括M-2個反相器，且2N+2M-4＝(N-2)(M-2)。可選地，在所述環形陣列的外圍還設置有若干虛擬反相器，以包圍所述環形陣列，其中，所述虛擬反相器彼此獨立設置。可選地，在所述環形陣列中，由內到外所述環形振蕩器中反相器的數目依次增加。可選地，每個所述環形振蕩器都具有測試端，用于連接。可選地，所述環形振蕩器包括若干反相器首尾相連，其中，每個反相器包括一個NMOS和一個PMOS，所述NMOS和所述PMOS的柵極相連形成所述反相器的輸入端，所述NMOS漏極和所述PMOS的源極相連形成所述反相器的輸出端，所述NMOS的源極接地，所述PMOS的源極連接電源。本專利技術還提供了一種基于上述結構的測試方法，包括：步驟(a)在對所述焊盤接合和/或探測前對所述檢測單元進行測試；步驟(b)在對所述焊盤接合和/或探測后對所述檢測單元進行測試；步驟(c)對比接合和/或探測前后的測試結果，分析接合或者探測步驟對焊盤下裝置性能的影響。可選地，所述性能包括傳播延遲性能。本專利技術為了解決現有技術中存在的問題，提供了一種焊盤下裝置的檢測結構，包括焊盤以及位于所述焊盤下方的檢測單元；其中，所述檢測單元包括若干環形振蕩器，其中所述若干環形振蕩器線形排列形成線形陣列或者內外嵌套設置形成環形陣列，在接合或者探測前后分別對所述檢測結構進行測試，并通過比較接合或者探測前后的參數，得到在所述接合或者探測過程中對所述檢測結構的影響，從而對焊盤下裝置進行評價。附圖說明本專利技術的下列附圖在此作為本專利技術的一部分用于理解本專利技術。附圖中示出了本專利技術的實施例及其描述，用來解釋本專利技術的裝置及原理。在附圖中，圖1a-1e為本專利技術中焊盤下裝置的檢測結構的示意圖；圖2為所述焊盤下裝置的檢測結構中反相器的結構示意圖。具體實施方式在下文的描述中，給出了大量具體的細節以便提供對本專利技術更為徹底的理解。然而，對于本領域技術人員而言顯而易見的是，本專利技術可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本專利技術發生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。為了徹底理解本專利技術，將在下列的描述中提出詳細的描述，以說明本發明所述檢測結構。顯然，本專利技術的施行并不限于半導體領域的技術人員所熟習的特殊細節。本專利技術的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本專利技術還可以具有其他實施方式。應予以注意的是，這里所使用的術語僅是為了描述具體實施例，而非意圖限制根據本專利技術的示例性實施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數形式也意圖包括復數形式。此外，還應當理解的是，當在本說明書中使用術語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。現在，將參照附圖更詳細地描述根據本專利技術的示例性實施例。然而，這些示例性實施例可以多種不同的形式來實施，并且不應當被解釋為只限于這里所闡述的實施例。應當理解的是，提供這些實施例是為了使得本專利技術的公開徹底且完整，并且將這些示例性實施例的構思充分傳達給本領域普通技術人員。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區域的厚度，并且使用相同的附圖標記表示相同的元件，因而將省略對它們的描述。本專利技術為了解決現有技術中存在的問題，提供了一種焊盤下裝置的檢測結構，包括焊盤以及位于所述焊盤下方的檢測單元；其中，所述檢測單元包括若干環形振蕩器，其中所述若干環形振蕩器線形排列形成線形陣列或者內外嵌套設置形成環形陣列，在接合或者探測前后分別對所述檢測結構進行測試，并通過比較接合或者探測前后的參數，得到在所述接合或者探測過程中對所述檢測結構的影響，從而對焊盤下裝置進行評價。其中，在本專利技術中所述檢測結構可以包括多種類型，其中所述環形振蕩器可以設置為若干行，每一行還可以包括若干列，呈線形設置。可選地，所述環形振蕩器還可以內外嵌套設置，以形成環形陣列。下面結合附圖對上述兩種形式分別進行詳細的說明。實施例1下面結合附圖1a和1b對所述檢測結構做進一步的說明。如圖1a和1b所示，其中，所述環形振蕩器10設置于所述焊盤20的下方，其中，所述焊盤20可以為接合焊盤或者探測焊盤，并不局限于某一種，其可以選用本領域常用的金屬材料。進一步，所述焊盤20的下方還可以形成有鈍化層(圖中未示出)，所述環形振蕩器位于所述鈍化層中或者位于所述本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種焊盤下裝置的檢測結構，包括位于所述焊盤下方的檢測單元；其中，所述檢測單元包括若干環形振蕩器，所述若干環形振蕩器線形排列形成線形陣列或者內外嵌套形成環形陣列。
【技術特征摘要】
1.一種焊盤下裝置的檢測結構，包括位于所述焊盤下方的檢測單元；
其中，所述檢測單元包括若干環形振蕩器，所述若干環形振蕩器線形排
列形成線形陣列或者內外嵌套形成環形陣列。
2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述若干環形振蕩器
線形排列成若干行，每一行包括若干列，以形成所述線形陣列；其中每個所
述環形振蕩器包括相同數目的反相器。
3.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述環形陣列包括內
外嵌套設置的一個內環形振蕩器和一個外環形振蕩器，其中，所述內環形振
蕩器和所述外環形振蕩器包括相同數目的反相器。
4.根據權利要求3所述的測試結構，其特征在于，所述外環形振蕩器和
所述內環形振蕩器整體呈方形結構，所述外環形振蕩器的一邊包括N個反相
器，另一邊包括M個反相器，相應地，所述內環形振蕩器的一邊包括N-2個
反相器，另一邊包括M-2個反相器，且2N+2M-4＝(N-2)(M-2)。
5.根據權利要求1或3所述的測試結構，其特征在于，在所述環形陣列
的外圍還設置有若干虛擬反相器，以包圍所述環形陣列，其中，所述虛擬反
【專利技術屬性】
技術研發人員：甘正浩，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造上海有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31
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