本實(shí)用新型專利技術(shù)提供了一種具有絕緣組件的多晶硅還原爐，絕緣組件包括絕緣防護(hù)裝置和絕緣隔熱結(jié)構(gòu)，多晶硅還原爐具有電極安裝孔，電極安裝孔內(nèi)穿設(shè)有電極，電極安裝孔的孔壁與電極之間具有間隙，間隙內(nèi)設(shè)置有絕緣防護(hù)裝置，絕緣防護(hù)裝置包括第一絕緣護(hù)套和位于第一絕緣護(hù)套上方的第二絕緣護(hù)套，絕緣隔熱結(jié)構(gòu)套設(shè)在電極外周，第二絕緣護(hù)套為無機(jī)材料制成，絕緣隔熱結(jié)構(gòu)包括套筒，套筒的至少一部分位于第二絕緣護(hù)套的內(nèi)壁和電極之間的間隙內(nèi)。根據(jù)本實(shí)用新型專利技術(shù)的具有絕緣組件的多晶硅還原爐，可以提高多晶硅還原爐的運(yùn)行穩(wěn)定性和生產(chǎn)效率。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本技術(shù)涉及多晶硅生產(chǎn)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種具有絕緣組件的多晶硅還原爐。
技術(shù)介紹
多晶硅主要應(yīng)用在太陽能光伏行業(yè)，近年來隨著光伏行業(yè)的不斷擴(kuò)張，原料多晶硅也在迅猛的增長，然而生產(chǎn)多晶硅的方法中占主導(dǎo)地位的仍然是改良西門子法，市場占有率達(dá)到85%以上。在改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的過程中，多晶硅的沉積設(shè)備多晶硅還原爐及相關(guān)配件是生產(chǎn)多晶硅的關(guān)鍵，這些配件主要包括多晶硅還原爐用電極、絕緣組件、噴嘴、石墨組件等，只有裝備技術(shù)精良、各配套附件結(jié)構(gòu)合理才能低能耗的生產(chǎn)出多晶硅。圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的多晶硅還原爐的部分剖視結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的多晶硅還原爐具有電極安裝孔，電極安裝孔內(nèi)穿設(shè)有電極2’，電極安裝孔的孔壁與電極2’之間具有間隙，間隙內(nèi)設(shè)置有絕緣防護(hù)裝置3’，絕緣防護(hù)裝置3’包括第一絕緣護(hù)套和位于第一絕緣護(hù)套上方的第二絕緣護(hù)套32’，其中，第二絕緣護(hù)套32’為聚四氟乙烯制成，在多晶硅還原爐運(yùn)行的過程中，受高溫影響第二絕緣護(hù)套32’易碳化變形粘結(jié)在電極安裝孔內(nèi)壁上，當(dāng)這些被碳化的絕緣防護(hù)裝置不能起到絕緣作用時(shí)，多晶硅還原爐就會出現(xiàn)電器故障，從而影響多晶硅還原爐的運(yùn)行穩(wěn)定性。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的主要目的在于提供一種具有絕緣組件的多晶硅還原爐，以解決現(xiàn)有多晶硅生產(chǎn)技術(shù)中的多晶硅還原爐運(yùn)行穩(wěn)定性較差的問題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本技術(shù)的一個(gè)方面，提供了一種具有絕緣組件的多晶硅還原爐，絕緣組件包括絕緣防護(hù)裝置和絕緣隔熱結(jié)構(gòu)，多晶硅還原爐具有電極安裝孔，電極安裝孔內(nèi)穿設(shè)有電極，電極安裝孔的孔壁與電極之間具有間隙，間隙內(nèi)設(shè)置有絕緣防護(hù)裝置，絕緣防護(hù)裝置包括第一絕緣護(hù)套和位于第一絕緣護(hù)套上方的第二絕緣護(hù)套，絕緣隔熱結(jié)構(gòu)套設(shè)在電極外周，第二絕緣護(hù)套為無機(jī)材料制成，絕緣隔熱結(jié)構(gòu)包括套筒，套筒的至少一部分位于第二絕緣護(hù)套的內(nèi)壁和電極之間的間隙內(nèi)。進(jìn)一步地，第二絕緣護(hù)套由陶瓷或者氮化娃制成。進(jìn)一步地，絕緣隔熱結(jié)構(gòu)還包括:支撐部，具有直孔段和擴(kuò)徑段，擴(kuò)徑段的遠(yuǎn)離直孔段的端面與電極安裝孔的上端面抵接，套筒的至少部分位于直孔段的孔壁和電極之間的間隙內(nèi)。進(jìn)一步地，套筒和/或支撐部由陶瓷材料制成。進(jìn)一步地，支撐部的外周具有多個(gè)凹槽，多個(gè)凹槽沿支撐部的軸向間隔設(shè)置。進(jìn)一步地，支撐部還包括設(shè)置在直孔段和擴(kuò)徑段外周之間的圓弧過渡段。進(jìn)一步地，電極的外表面具有軸向定位凸臺，軸向定位凸臺位于第一絕緣護(hù)套和第二絕緣護(hù)套之間。進(jìn)一步地，第一絕緣護(hù)套包括第一管段和第二管段，第二管段的內(nèi)徑小于第一管段的內(nèi)徑，第一管段位于第二絕緣護(hù)套的外周和電極安裝孔的孔壁之間，第二管段位于電極的外周與電極安裝孔的孔壁之間。進(jìn)一步地，第一絕緣護(hù)套的內(nèi)部通孔為階梯孔。進(jìn)一步地，第二絕緣護(hù)套包括第三管段和第四管段，第四管段的內(nèi)徑小于第三管段的內(nèi)徑，第三管段套設(shè)在套筒的外周與電極安裝孔的孔壁之間，第四管段套設(shè)在電極的外周與電極安裝孔的孔壁之間。應(yīng)用本技術(shù)的技術(shù)方案，由于第二絕緣護(hù)套為無機(jī)材料制成，套筒可以將來自多晶硅還原爐內(nèi)的熱量反射回到多晶硅還原爐內(nèi)，這樣在多晶硅還原爐運(yùn)行的過程中，受高溫影響時(shí)可以避免因碳化而造成的第二絕緣護(hù)套粘接在電極安裝孔內(nèi)壁上，從而提高多晶硅還原爐的運(yùn)行穩(wěn)定性和生產(chǎn)效率；另一方面，可以起到電極和電極安裝孔之間的絕緣作用。【附圖說明】構(gòu)成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本技術(shù)的進(jìn)一步理解，本技術(shù)的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本技術(shù)，并不構(gòu)成對本技術(shù)的不當(dāng)限定。在附圖中:圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的多晶硅還原爐的實(shí)施例的部分剖視結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖2示出了根據(jù)本技術(shù)的具有絕緣組件的多晶硅還原爐的實(shí)施例的部分剖視結(jié)構(gòu)示意圖。其中，上述附圖包括以下附圖標(biāo)記:1、電極安裝孔；2、電極；21、軸向定位凸臺；3、絕緣防護(hù)裝置；31、第一絕緣護(hù)套；311、第一管段；312、第二管段；32、第二絕緣護(hù)套；4、絕緣隔熱結(jié)構(gòu)；41、套筒；42、支撐部；421、凹槽。【具體實(shí)施方式】需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本技術(shù)。如圖2所示，本技術(shù)實(shí)施例提供了一種具有絕緣組件的多晶硅還原爐。多晶硅還原爐具有電極安裝孔1，電極安裝孔I內(nèi)穿設(shè)有電極2，電極安裝孔I的孔壁與電極2之間具有間隙，該間隙內(nèi)設(shè)置有絕緣防護(hù)裝置3，絕緣防護(hù)裝置3包括第一絕緣護(hù)套31和位于第一絕緣護(hù)套31上方的第二絕緣護(hù)套32，第二絕緣護(hù)套32為無機(jī)材料制成。通過上述設(shè)置，由于第二絕緣護(hù)套32為無機(jī)材料制成，在多晶硅還原爐運(yùn)行的過程中，受高溫影響時(shí)可以避免因碳化而造成的第二絕緣護(hù)套32粘接在電極安裝孔I內(nèi)壁上，從而提高還原爐的運(yùn)行穩(wěn)定性和效率；另一方面，可以起到電極2和電極安裝孔I之間的絕緣作用。具體地，第二絕緣護(hù)套32由陶瓷材料制成。由于陶瓷材料的絕緣性能較高，因此可以避免因現(xiàn)有技術(shù)的由聚四氟乙烯制成的第二絕緣護(hù)套32因碳化而粘結(jié)在電極安裝孔I的內(nèi)壁上。當(dāng)然，在本技術(shù)未給出的替代實(shí)施例中，還可以根據(jù)實(shí)際需要利用氮化硅等其它的無機(jī)材料制成第二絕緣護(hù)套32。如圖2所示，本技術(shù)的實(shí)施例中，多晶硅還原爐還包括套設(shè)在電極2外周的絕緣隔熱結(jié)構(gòu)4。通過設(shè)置絕緣隔熱結(jié)構(gòu)4，一方面可以避免多晶硅還原爐內(nèi)腔的高溫氣體傳遞至絕緣防護(hù)裝置3，從而保護(hù)絕緣防護(hù)裝置3 ;另一方面，絕緣隔熱結(jié)構(gòu)4能夠有效的反射來自多晶硅還原爐硅棒的熱量，保護(hù)設(shè)在電極外周的絕緣防護(hù)裝置3;另外，還可以增強(qiáng)多晶硅還原爐內(nèi)硅棒沉積后的支撐，有利于多晶硅棒的正常生長。本技術(shù)的實(shí)施例中，絕緣隔熱結(jié)構(gòu)4包括套筒41和支撐部42，支撐部42具有直孔段和擴(kuò)徑段，擴(kuò)徑段的遠(yuǎn)離直孔段的端面與電極安裝孔I的上端面抵接，套筒41的至少一部分位于直孔段的孔壁和電極2之間的間隙內(nèi)。通過上述設(shè)置，絕緣隔熱結(jié)構(gòu)4能夠有效的保護(hù)電極2與絕緣防護(hù)裝置3，當(dāng)前第1頁1 2 本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種具有絕緣組件的多晶硅還原爐，所述絕緣組件包括絕緣防護(hù)裝置(3)和絕緣隔熱結(jié)構(gòu)(4)，所述多晶硅還原爐具有電極安裝孔(1)，所述電極安裝孔(1)內(nèi)穿設(shè)有電極(2)，所述電極安裝孔(1)的孔壁與所述電極(2)之間具有間隙，所述間隙內(nèi)設(shè)置有所述絕緣防護(hù)裝置(3)，所述絕緣防護(hù)裝置(3)包括第一絕緣護(hù)套(31)和位于所述第一絕緣護(hù)套(31)上方的第二絕緣護(hù)套(32)，所述絕緣隔熱結(jié)構(gòu)(4)套設(shè)在所述電極(2)外周，其特征在于，所述第二絕緣護(hù)套(32)為無機(jī)材料制成，所述絕緣隔熱結(jié)構(gòu)(4)包括套筒(41)，所述套筒(41)的至少一部分位于所述第二絕緣護(hù)套(32)的內(nèi)壁和所述電極(2)之間的間隙內(nèi)。
【技術(shù)特征摘要】
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：石何武，嚴(yán)大洲，肖榮暉，湯傳斌，毋克力，楊永亮，鄭紅梅，
申請(專利權(quán))人：中國恩菲工程技術(shù)有限公司，
類型：新型
國別省市：北京;11
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