【技術實現步驟摘要】
本技術涉及一種8英寸區熔單晶爐保溫桶，特別涉及一種剪刀型8英寸區熔單晶爐保溫桶。
技術介紹
區熔單晶以其高純度，高阻值而廣泛應用于電力電子領域，在實際生產中我們發現，硅單晶在區熔保持的過程中會產生開裂的情況，由于巨大的溫度梯度產生的熱應力，對于大直徑區熔硅單晶要做到晶體完美性和一致性好，對晶體生長設備和晶體生長工藝均是一種巨大的考驗，熱場是真空電阻爐的核心部分，它的好壞直接影響到爐子的性能及其運營成本，硅單晶在進行單晶生長時，由于物象的轉化(液相轉化為固相)，不斷放出固相潛熱，同時，晶體越拉越長，熔體液面不斷下降，熱量的傳導、輻射等情況都在發生變化，現有的保溫桶對防止溫度梯度過大效果不明顯，需要改進，且傳統保溫桶是閉環圓桶型，需要從單晶底部安裝，十分不方便，單晶拉制過程受影響，特別是CFZ料致密度較差，容易斷裂。
技術實現思路
鑒于現有技術存在的問題，本技術提供一種剪刀式結構，這種開環式結構可以直接安裝在硅單晶外部，上料方便，不影響整個拉制單晶過程，減少CFZ料斷裂的情況發生，具體技術方案是，一種剪刀型8英寸區熔單晶爐保溫桶，包括桶體、把手、中軸，其特征在于:桶體為半圓通透桶體，把手前部為內徑與桶體外圓柱面外徑相同的半圓環、后部為剪刀把型，上面有中軸孔和長圓孔，把手的半圓環固定于桶體的外圓柱面中部成一體，兩個裝有把手的桶體用中軸穿在兩個重疊的中軸孔內固定并使桶體可開合轉動。本技術的有益效果是結構簡單，區熔硅單晶安裝方便，可以提高真空電阻爐熱場的穩定性，延長區熔爐的使用壽命。【附圖說明】圖1是本技術的結構正視圖。圖2是本技術的結構俯視圖。【具體實施...
【技術保護點】
一種剪刀型8英寸區熔單晶爐保溫桶，包括桶體（1）、把手（2）、中軸（3），其特征在于：桶體（1）為半圓通透桶體，把手（2）前部為內徑與桶體（1）外圓柱面外徑相同的半圓環（2?1）、后部為剪刀把型，上面有中軸孔（2?2）和長圓孔（2?3），把手（2）的半圓環（2?1）固定于桶體（1）的外圓柱面中部成一體，兩個裝有把手（2）的桶體（1）用中軸（3）穿在兩個重疊的中軸孔（2?2）內固定并使桶體（1）可開合轉動。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：姚長娟，高樹良，靳立輝，張學強，劉旭光，王遵義，李宇佳，
申請(專利權)人：天津中環半導體股份有限公司，
類型：新型
國別省市：天津;12
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