一種鍍膜裝置,其至少包括一支撐架、多個放置并固定晶片的載盤,其特征在于:所述支撐架上設(shè)置多條軌道,軌道端部置有固定件,所述載盤邊緣與軌道吻合,通過固定件固定于支撐架形成傘狀載體;所述載盤包括放置晶片的晶片固定區(qū)和固定晶片的抽真空裝置。利用上述鍍膜裝置可降低人工操作對晶片的污染,減少上下晶片的操作時間,同時可拆卸式載盤便于存放和轉(zhuǎn)移。(*該技術(shù)在2024年保護過期,可自由使用*)
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種鍍膜裝置
本技術(shù)屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種通過真空固定晶片并可拆解的晶片鍍膜裝置。
技術(shù)介紹
半導(dǎo)體制造中,通常采用真空鍍膜方式將金屬等材料鍍到晶片表面。真空鍍膜是在真空環(huán)境中,通過離子束或電子束對金屬等材料進行加熱,使其變成氣態(tài)或離子態(tài),而沉積在晶片表面形成膜層。 目前的鍍膜設(shè)備中,晶片被固定放置在與金屬材料相對的鍍膜傘架上,該傘架呈傘狀,為整體式或者可拆解式結(jié)構(gòu)設(shè)計,傘架上具有多個放置晶片的容置孔,容置孔周圍具有3個以上的固定晶片的卡夾,在鍍膜過程中,需人工進行上下片的操作。在上片過程中,工作人員使用吸筆吸住晶片的背面(不含電極)首先將其對準(zhǔn)容置孔,然后放置在卡夾和容置孔之間的空隙中,固定晶片;下片時,工作人員需使用另一種吸筆吸住晶片的正面(含電極)方可將晶片取下。 因此,采用目前的鍍膜傘架,存在著以下不足:1、上下片的過程需消耗約I小時,浪費人力;2、人工在傘狀傘架上上下片時,手套、無塵服等易接觸晶片,對其造成污染;3、下片時,使用吸筆與晶片的正面接觸,易刮傷電極;4、傘狀鍍膜傘架不易存放和轉(zhuǎn)移。
技術(shù)實現(xiàn)思路
有鑒于此,有必要提供一種可拆解并通過真空固定晶片的鍍膜裝置。 本技術(shù)的技術(shù)方案包括:一種鍍膜裝置,其至少包括一支撐架、多個放置并固定晶片的載盤,其特征在于:所述支撐架上設(shè)置多條軌道,軌道端部置有固定件,所述載盤邊緣與軌道吻合,通過固定件固定于支撐架形成傘狀載體;所述載盤包括晶片固定區(qū)和抽真空裝置; 優(yōu)選的,所述晶片固定區(qū)包括在載盤上開設(shè)的容納晶片的卡槽,放置于卡槽內(nèi)放置晶片的真空吸盤,并且真空吸盤底部中心位置及其對應(yīng)的卡槽處均設(shè)有開口結(jié)構(gòu); 優(yōu)選的,所述載盤兩側(cè)具有凸起; 優(yōu)選的,所述抽真空裝置包括真空管和手動抽氣泵,所述真空管穿過開口與真空吸盤連接并在載盤背面延伸與手動抽氣泵連接,所述手動抽氣泵置于載盤遠離傘狀中心端的邊緣; 優(yōu)選的,所述載盤與所述軌道數(shù)目一致,均等于或大于2 ; 優(yōu)選的,所述載盤為梯形、矩形或正方形; 優(yōu)選的,所述固定件為卡榫; 優(yōu)選的,所述載盤背面還置有一保護蓋,當(dāng)所述保護蓋安裝于載盤時與所述載盤背面間形成中空腔體,便于容納所述真空管,避免鍍膜過程中鍍源附著于真空管及載盤背面; 優(yōu)選的,所述載盤保護蓋結(jié)構(gòu)為兩側(cè)具有凹槽,中間呈弧形; 優(yōu)選的,所述凸起的高度不小于所述凹槽高度,凸起的寬度不大于所述凹槽寬度,使得所述載盤在疊放時,所述凸起恰好插入所述凹槽內(nèi)。 相較于現(xiàn)有技術(shù),載盤通過真空固定晶片,易于上下片,節(jié)省了上下片時間和人力,且不存在由于與晶片正面電極接觸而造成的電極刮傷現(xiàn)象,從而提高了良率;同時,載盤可輕易地在支撐架上安裝和拆卸,并且可疊放放置,便于存放和轉(zhuǎn)移。 【附圖說明】 圖1為本技術(shù)之實施例1的支撐架的俯視圖。 圖2為本技術(shù)之實施例1的支撐架的立體圖。 圖3為本技術(shù)之實施例1的載盤正面放大圖。 圖4為本技術(shù)之實施例1的載盤背面放大圖。 圖5為圖3的A部分橫切面剖面圖。 圖6為本技術(shù)之實施例2的載盤橫切面剖面圖。 圖中標(biāo)示 1:支撐架;11:軌道;12:固定件;2:載盤;21:卡槽;22:真空吸盤;23:手動抽氣泵;24:真空管;25:開口 ;26:凸起;3:連接件;4:保護蓋;41:凹槽;42:中空腔體。 【具體實施方式】 以下結(jié)合附圖通過特定的具體實例說明本技術(shù)的實施方式,本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本技術(shù)的其他優(yōu)點與功效。須知,本說明書所附圖式為示意圖,不用于限定本技術(shù)可實施的限定條件。 實施例1 圖1至圖5為本實施例提供的一種鍍膜裝置,其包括一支撐架I和多個放置并固定晶片的載盤2。支撐架I上設(shè)置多條軌道11,其端部設(shè)置有固定件12,載盤2邊緣與軌道11吻合,通過固定件12固定于支撐架I上形成傘狀載體。載盤2可為梯形、矩形或正方形,其數(shù)目與軌道11數(shù)目一致,大于或等于2個,為了便于載盤2的裝卸和轉(zhuǎn)移,本實施例優(yōu)選8個梯形載盤2和8個直線軌道11,優(yōu)選固定件12為卡榫。 載盤2還包括多個位于在其上開設(shè)的容納晶片的卡槽21、置于卡槽21內(nèi)用于放置晶片的真空吸盤22 (晶片固定區(qū))以及手動抽氣泵23和真空管24 (抽真空裝置)。真空吸盤22底部中心位置及其對應(yīng)的卡槽21處均設(shè)有開口 25,真空管24穿過開口 25與真空吸盤22連接,并在載盤2背面延伸與手動抽氣泵23連接,手動抽氣泵23固定在載盤2上,置于載盤2遠離傘狀中心端的邊緣。載盤2兩側(cè)具有凸起26,當(dāng)載盤2疊放時,防止載盤2背面的真空管24接觸晶片。生產(chǎn)過程中,晶片經(jīng)清洗、甩干后,由工作人員利用吸筆吸住晶片背面,即可將其放置于卡槽21內(nèi)的真空吸盤22上,當(dāng)載盤2上的卡槽21內(nèi)放滿晶片后,人工拉動手動抽氣泵23將真空吸盤22和晶片之間的空氣通過真空管24吸入手動抽氣泵23內(nèi),從而在真空吸盤22和真空管24內(nèi)形成真空,將晶片固定在真空吸盤22上,完成晶片的上片操作。然后,將多個載盤2疊放在一起,轉(zhuǎn)移晶片到待鍍膜位置。 在鍍膜時,工作人員將待鍍膜位置的載盤2安裝在軌道11上,并通過固定件12將其固定,然后,將裝載有載盤2的支撐架I通過連接件3安裝在鍍膜機臺腔體體(圖中未示出),啟動鍍膜機臺對晶片進行鍍膜。 鍍膜結(jié)束后,工作人員將載盤2取下,為了轉(zhuǎn)移并載盤2疊放將晶片轉(zhuǎn)移到下一制程的待處理位置進行下片操作,下片時,工作人員朝向載盤2方向推動手動抽氣泵23,將空氣推進真空吸盤22和真空管24內(nèi),打破真空吸盤22內(nèi)的真空狀態(tài),然后,工作人員用吸筆吸住晶片背面即可輕易地將晶片取下,進行下一制程。在晶片鍍膜和轉(zhuǎn)移過程中,真空吸盤22和真空管24內(nèi)始終保持真空狀態(tài),防止晶片的掉落;在上下片時,吸筆均與晶片背面接觸,從而減小了對晶片正面電極的污染。 相較于現(xiàn)有技術(shù),載盤2通過真空固定晶片,易于上下片,節(jié)省了上下片時間和人力,且不存在由于與晶片正面電極接觸而造成的電極刮傷現(xiàn)象,從而提高了良率;同時,載盤2可輕易在支撐架I上安裝和拆卸,且其可疊放放置,便于晶片的轉(zhuǎn)移。 實施例2 請參閱圖6,本實施例與實施例1的區(qū)別在于:載盤2背面還有一保護蓋4,當(dāng)其與載盤2組合時,載盤2和保護蓋4之間形成中空腔體42,用于容納真空管24,避免鍍膜過程中鍍源附著于真空管24及載盤2背面。保護蓋4兩側(cè)具有凹槽41,中間為弧形,并且凹槽41的高度不大于凸起26的高度,寬度不小于凸起26寬度,載盤2在疊放時,凸起26恰好插入凹槽41內(nèi),使得載盤2以堆疊方式轉(zhuǎn)移和放置時更穩(wěn)固;保護蓋4中間呈弧形設(shè)計,可以避免由于載盤2疊放時對晶片造成的接觸污染。 應(yīng)當(dāng)理解的是,上述具體實施方案為本技術(shù)的優(yōu)選實施例,本技術(shù)的范圍不限于該實施例,凡依本技術(shù)所做的任何變更,皆屬本本技術(shù)的保護范圍之內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
一種鍍膜裝置,其至少包括一支撐架、多個放置并固定晶片的載盤,其特征在于:所述支撐架上設(shè)置多條軌道,軌道端部置有固定件,所述載盤邊緣與軌道吻合,通過固定件固定于支撐架形成傘狀載體;所述載盤包括晶片固定區(qū)和抽真空裝置。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種鍍膜裝置,其至少包括一支撐架、多個放置并固定晶片的載盤,其特征在于:所述支撐架上設(shè)置多條軌道,軌道端部置有固定件,所述載盤邊緣與軌道吻合,通過固定件固定于支撐架形成傘狀載體;所述載盤包括晶片固定區(qū)和抽真空裝置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鍍膜裝置,其特征在于:所述晶片固定區(qū)包括在載盤上開設(shè)的容納晶片的多個卡槽,放置于卡槽內(nèi)放置晶片的真空吸盤,并且真空吸盤底部中心位置及其對應(yīng)的卡槽處均設(shè)有開口結(jié)構(gòu)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鍍膜裝置,其特征在于:所述抽真空裝置包括真空管和手動抽氣栗。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種鍍膜裝置,其特征在于:所述真空管穿過開口與真空吸盤連接并在載盤背面延伸與手動抽氣泵連接,所述手動抽氣泵置于載盤遠離傘狀中心端的邊緣。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鍍膜裝置,其特征在于:所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員:蔡家豪,莊立東,羅士文,張永奎,周陽,
申請(專利權(quán))人:安徽三安光電有限公司,
類型:新型
國別省市:安徽;34
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