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    薄膜的制造方法及制造設(shè)備技術(shù)

    技術(shù)編號:10485087 閱讀:123 留言:0更新日期:2014-10-03 15:09
    本發(fā)明專利技術(shù)提供一種薄膜的制造方法及制造設(shè)備,其能夠以良好的成品率制造對熱的尺寸穩(wěn)定性優(yōu)異的薄膜。其是進(jìn)行薄膜的應(yīng)力衰減處理的薄膜的制造方法,使用從氣體噴射孔對薄膜噴出加熱氣體來以非接觸狀態(tài)輸送薄膜的浮置輸送裝置(1),在以非接觸狀態(tài)輸送薄膜的同時(shí)進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。尤其適合于對聚酰亞胺薄膜的前驅(qū)體進(jìn)行加熱處理而得到的聚酰亞胺薄膜的應(yīng)力衰減處理。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    薄膜的制造方法及制造設(shè)備
    本專利技術(shù)涉及一種進(jìn)行薄膜的應(yīng)力衰減(応力緩和)處理的薄膜的制造方法及制造設(shè)備。
    技術(shù)介紹
    聚酰亞胺薄膜具有高耐熱性、高電絕緣性,滿足使用上所需的剛性、耐熱性或電絕緣性。因此,廣泛用于電絕緣薄膜、隔熱薄膜、柔性電路板的基膜、太陽能電池基板等工業(yè)領(lǐng)域。 聚酰亞胺薄膜通過下述方法制造:將含有聚酰胺酸等的聚酰亞胺前驅(qū)體溶液流延到支持體上并干燥,形成自支撐膜,對自支撐膜進(jìn)行加熱處理而制造。 此外,由于在加熱處理后的聚酰亞胺薄膜上殘留應(yīng)力,因此進(jìn)行應(yīng)力衰減處理(退火處理)來緩和殘余應(yīng)力,進(jìn)行謀求提高對熱的尺寸穩(wěn)定性。 例如,專利文獻(xiàn)I中公開了如下內(nèi)容:在實(shí)際上無張力下,將聚酰亞胺薄膜以150°C以上且420°C以下加熱I秒以上且60小時(shí)以內(nèi)后,進(jìn)行冷卻處理直至室溫,從而制造改進(jìn)了加熱收縮性的聚酰亞胺薄膜。 此外,專利文獻(xiàn)2中公開了如下內(nèi)容:對聚酰亞胺薄膜在薄膜的長度方向上施加I?10kg/m的張力,同時(shí)利用熱風(fēng)連續(xù)性地實(shí)施加熱處理后,實(shí)施冷卻處理,從而制造低收縮性聚酰亞胺薄膜。 此外,專利文獻(xiàn)3中公開了如下內(nèi)容:對聚酰亞胺薄膜將薄膜的長度方向上的張力保持在lkg/m以上且10kg/m以下,并照射遠(yuǎn)紅外線以短時(shí)間進(jìn)行加熱處理后,實(shí)施冷卻處理,從而制造低收縮性聚酰亞胺薄膜。 此外,并不限于聚酰亞胺薄膜,為了緩和殘余應(yīng)力,謀求提高對熱的尺寸穩(wěn)定性,在各種薄膜上進(jìn)行薄膜的應(yīng)力衰減處理。 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)1:日本專利公告平成5-87377號公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:日本專利公開2000-72900號公報(bào) 專利文獻(xiàn)3:日本專利公開2000-72901號公報(bào)
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    (一)要解決的技術(shù)問題 在應(yīng)力衰減處理中,聚酰亞胺薄膜有時(shí)處于暴露在高于聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(以下將玻璃化轉(zhuǎn)變溫度標(biāo)記為Tg)的溫度下而軟化的狀態(tài)。因此,聚酰亞胺薄膜在應(yīng)力衰減裝置內(nèi)輸送時(shí),表面容易產(chǎn)生傷痕等。如果在聚酰亞胺薄膜上產(chǎn)生傷痕等,會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品不良,因此成品率降低。 因此,本專利技術(shù)的目的在于提供一種薄膜的制造方法及制造設(shè)備,其能夠以良好的成品率制造對熱的尺寸穩(wěn)定性優(yōu)異的薄膜。 (二)技術(shù)方案 為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)的薄膜的制造方法的特征在于,進(jìn)行薄膜的應(yīng)力衰減處理, 使用具備多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的浮置輸送裝置,所述多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器具有設(shè)置有氣體噴射孔的凸曲面狀的薄膜輸送面,從所述氣體噴射孔對薄膜噴出加熱氣體,使薄膜交替地在相反方向上彎曲,以非接觸狀態(tài)輸送,同時(shí)進(jìn)行所述應(yīng)力衰減處理。 根據(jù)上述專利技術(shù),通過使用具備多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的浮置輸送裝置,所述多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器具有設(shè)置有氣體噴射孔的凸曲面狀的薄膜輸送面,將薄膜在非接觸下進(jìn)行輸送,由此即使被加熱氣體加熱而使薄膜軟化,也能夠不產(chǎn)生傷痕等地進(jìn)行輸送。 此外,如果薄膜軟化,薄膜的剛性下降,變得容易產(chǎn)生折皺,但在上述專利技術(shù)中,通過使薄膜交替地在相反方向上彎曲,以非接觸狀態(tài)輸送,同時(shí)對薄膜加熱,由于通過使其彎曲,基于形狀的剛性增大,因此能夠抑制折皺的產(chǎn)生。 優(yōu)選地,在本專利技術(shù)的薄膜的制造方法中,設(shè)置壓薄膜裝置,該壓薄膜裝置與所述薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面相對,具有在與該薄膜輸送面之間以規(guī)定間隙配置的凹曲面,并在該凹曲面上設(shè)置有氣體噴射孔,利用從所述薄膜輸送導(dǎo)向器的氣體噴射孔噴出的加熱氣體和從所述壓薄膜裝置的氣體噴射孔噴出的加熱氣體,對薄膜的兩面噴吹加熱氣體來進(jìn)行浮置輸送。 根據(jù)上述方式,通過利用從薄膜輸送導(dǎo)向器的氣體噴射孔噴出的加熱氣體和從壓薄膜裝置的氣體噴射孔噴出的加熱氣體對薄膜的兩面噴吹加熱氣體來進(jìn)行浮置輸送,能夠更加良好地維持薄膜的平坦度,同時(shí)能夠迅速且均勻地對薄膜進(jìn)行加熱。 優(yōu)選地,在本專利技術(shù)的薄膜的制造方法中,改變從多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的氣體噴射孔噴出的加熱氣體的溫度,來進(jìn)行所述應(yīng)力衰減處理。 根據(jù)上述方式,通過改變從多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的氣體噴射孔噴出的加熱氣體的溫度,能夠根據(jù)所期望的溫度曲線進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。 本專利技術(shù)的薄膜的制造方法尤其適合對將聚酰亞胺薄膜的前驅(qū)體進(jìn)行加熱處理而得到的聚酰亞胺薄膜進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。 優(yōu)選地,聚酰亞胺薄膜的應(yīng)力衰減處理包括以下工序I?工序3,工序1:將聚酰亞胺薄膜的溫度加熱至設(shè)定在(聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)-150) V?(聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg) + 200) °C的范圍內(nèi)的溫度以上;工序2:在進(jìn)行工序I后,將聚酰亞胺薄膜的溫度設(shè)定為低于工序I中設(shè)定溫度的(聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)-150) V?(聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)) 1:的范圍內(nèi)的溫度;工序3:在進(jìn)行工序2后,將聚酰亞胺薄膜的溫度冷卻至常溫;其中,在至少所述工序I及所述工序2中,使用所述浮置輸送裝置。 在上述方式中,在工序I及工序2中,聚酰亞胺薄膜處于軟化的狀態(tài),暴露在平坦度惡化或容易產(chǎn)生傷痕等的狀態(tài)下,但通過在至少工序I及工序2中使用浮置輸送裝置進(jìn)行應(yīng)力衰減處理,能夠可靠地防止平坦度的惡化及傷痕的產(chǎn)生。 此外,更加優(yōu)選地,在上述方式中,所述工序2及所述工序3使聚酰亞胺薄膜的溫度階段性地下降來進(jìn)行。 由此,由于能夠?qū)⒃诠ば騃中加熱至上述溫度以上的聚酰亞胺薄膜在工序2及工序3中平滑地冷卻,因此能夠抑制伴隨急劇的溫度變化而產(chǎn)生折皺或凹凸,能夠使聚酰亞胺薄膜的平坦度更加良好。 優(yōu)選地,在本專利技術(shù)的薄膜的制造方法中,使從所述薄膜的輸送路徑上的一個(gè)彎曲部至下一個(gè)彎曲部的直線部的長度為50_以下。 根據(jù)上述方式,通過使剛性容易下降的直線部的長度為50mm以下,能夠抑制由于薄膜的剛性下降而導(dǎo)致的折皺的產(chǎn)生。 優(yōu)選地,在本專利技術(shù)的薄膜的制造方法中,將所述薄膜的輸送路徑上的彎曲部的曲率半徑設(shè)為大于15mm且小于等于270mm。 根據(jù)上述方式,通過將薄膜的輸送路徑上的彎曲部的曲率半徑設(shè)為大于15mm且小于等于270_,即使被加熱氣體加熱而使薄膜軟化,通過以上述曲率半徑使其彎曲,基于形狀的剛性進(jìn)一步增大,因此能夠更加有效地抑制折皺的產(chǎn)生。 優(yōu)選地,在本專利技術(shù)的薄膜的制造方法中,將所述薄膜的輸送路徑上的沿一個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面彎曲的角度設(shè)為90?270°。 根據(jù)上述方式,通過將沿一個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面彎曲的角度設(shè)為90?270°,進(jìn)一步提高彎曲部的剛性,能夠更加有效地抑制折皺的產(chǎn)生。 優(yōu)選地,在本專利技術(shù)的薄膜的制造方法中,形成如下結(jié)構(gòu):所述薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面由多孔質(zhì)材料形成,通過該多孔質(zhì)材料噴出加熱氣體。 根據(jù)上述方式,由于能夠?qū)Ρ∧ご笾戮鹊貒姶导訜釟怏w來進(jìn)行應(yīng)力衰減處理,因此不易發(fā)生壓力不均或加熱不均等,能夠高效地緩和殘余應(yīng)力。進(jìn)而,能夠抑制在薄膜表面上產(chǎn)生折皺或凹凸等,能夠高效地制造平坦度良好的薄膜。 優(yōu)選地,在本專利技術(shù)的薄膜的制造方法中,同時(shí)使用從所述浮置輸送裝置噴出的加熱氣體的加熱和紅外線加熱器的加熱,來進(jìn)行所述應(yīng)力衰減處理。 另一方面,本專利技術(shù)的薄膜的制造設(shè)備的特征在于,具有對薄膜進(jìn)行應(yīng)力衰減處理的應(yīng)力衰減裝置,所述應(yīng)力衰減裝置具備浮置輸送裝置,該浮置輸送裝置從氣體噴射孔對薄膜噴出加熱氣體,以非接觸狀態(tài)對薄膜進(jìn)本文檔來自技高網(wǎng)
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    薄膜的制造方法及制造設(shè)備

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    一種薄膜的制造方法,其特征在于,進(jìn)行薄膜的應(yīng)力衰減處理,使用具備多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的浮置輸送裝置,所述多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器具有設(shè)置有氣體噴射孔的凸曲面狀的薄膜輸送面,從所述氣體噴射孔對薄膜噴出加熱氣體,使薄膜交替地在相反方向上彎曲,以非接觸狀態(tài)輸送,同時(shí)進(jìn)行所述應(yīng)力衰減處理。

    【技術(shù)特征摘要】
    2013.03.29 JP 2013-071134;2013.06.27 JP 2013-135301.一種薄膜的制造方法,其特征在于,進(jìn)行薄膜的應(yīng)力衰減處理, 使用具備多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的浮置輸送裝置,所述多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器具有設(shè)置有氣體噴射孔的凸曲面狀的薄膜輸送面,從所述氣體噴射孔對薄膜噴出加熱氣體,使薄膜交替地在相反方向上彎曲,以非接觸狀態(tài)輸送,同時(shí)進(jìn)行所述應(yīng)力衰減處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜的制造方法,其特征在于,設(shè)置壓薄膜裝置,該壓薄膜裝置與所述薄膜輸送導(dǎo)向器的薄膜輸送面相對,具有在與該薄膜輸送面之間以規(guī)定間隙配置的凹曲面,在該凹曲面上設(shè)置有氣體噴射孔,利用從所述薄膜輸送導(dǎo)向器的氣體噴射孔噴出的加熱氣體和從所述壓薄膜裝置的氣體噴射孔噴出的加熱氣體,對薄膜的兩面噴吹加熱氣體來進(jìn)行浮置輸送。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜的制造方法,其特征在于,改變從多個(gè)薄膜輸送導(dǎo)向器的氣體噴射孔噴出的加熱氣體的溫度,進(jìn)行所述應(yīng)力衰減處理。4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的薄膜的制造方法,其特征在于,對將聚酰亞胺薄膜的前驅(qū)體進(jìn)行加熱處理而得到的聚酰亞胺薄膜進(jìn)行應(yīng)力衰減處理。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜的制造方法,其特征在于,所述應(yīng)力衰減處理包括: 工序1,將聚酰亞胺薄膜的溫度加熱至設(shè)定在聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg-150°C~聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg + 200°C的范圍內(nèi)的溫度以上; 工序2,在進(jìn)行工序I后,將聚酰亞胺薄膜的溫度設(shè)定為低于工序I中設(shè)定溫度的聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg-150°C~聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg°C的范圍內(nèi)的溫度; 工序3,在進(jìn)行工序2后,將聚酰亞胺薄膜的溫度冷卻至常溫; 其中,在至少所述工序I及所述工序2中,使用所述浮置輸送裝置。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜的制造方法,其特征在于,所述工序2及所述工序3使聚酰亞胺薄膜的溫度階段性地下降來進(jìn)行。7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的薄膜的制造方法,其特征在于,使從所述薄膜的輸送路徑上的一個(gè)彎曲部至下一個(gè)彎曲部的直線部的長度為50mm以下。8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的薄膜的制造方法,其特征在于,使所述薄膜的輸送路徑上的彎曲部的曲率半徑為大于15mm且小于等于270mm。9.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:伊藤和美木村征克小川祐二廣幡大樹
    申請(專利權(quán))人:宇部興產(chǎn)株式會(huì)社
    類型:發(fā)明
    國別省市:日本;JP

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