【技術實現步驟摘要】
HEMT器件柵泄漏電流中臺面泄漏電流的測試方法
本專利技術屬于微電子
，特別涉及高電子遷移率異質結晶體管HEMT器件的 柵泄漏電流中臺面泄漏電流的測試方法，用于提高HEMT器件的可靠性。
技術介紹
近年來以GaN為代表的第三代寬禁帶隙半導體以其具有禁帶寬度大、擊穿電場 高、熱導率較高等特性，受到廣泛關注。特別是GaN與AlGaN等材料形成的高電子遷移率異 質結晶體管HEMT在異質結界面處存在高濃度、高遷移率的二維電子氣，利用這些特性制備 的HEMT器件在制作高頻、高壓及高功率電子器件和微波器件等方面有著巨大的優勢和應 用前景。因此近年來GaN基HEMT器件一直是國內外學者的研究熱點，并且已經獲得了大量 顯著的研究成果。 隨著GaN基HEMT器件的發展，其柵泄漏電流對器件性能及可靠性的影響越來越 大。通常，HEMT器件選用金屬作為柵極材料，這種金屬/半導體形成的肖特基柵往往會形 成明顯的柵泄漏電流。這些額外的柵泄漏電流會增加器件的低頻噪聲和靜態功耗，誘發電 流崩塌現象、減小器件效率以及降低HEMT器件的擊穿電壓進而降低輸出功率等。因此，柵 泄漏電流逐漸成為HEMT器件可靠性的重要研究方向之一。 HEMT器件柵泄漏電流主要包括三個部分：體泄漏電流，表面泄漏電流以及臺面泄 漏電流。相對于前兩者，對臺面泄漏電流研究較為缺乏且沒有準確的研究方法。臺面泄漏 電流主要是在器件的臺面隔離工藝中產生，雖然現在可以通過特殊的工藝得到控制，但是 所需要的制備成本較高，實施工藝的步驟較為復雜，并且對器件的損傷較大。相比之下臺面 刻蝕方...
【技術保護點】
一種測試HEMT器件中柵泄漏電流中臺面泄漏電流的方法，包括如下步驟：A.制作測試輔助器件：制作結構與被測HEMT器件(1)結構相同，電極參數不同的HEMT測試輔助器件(2)；該測試輔助器件，其柵電極寬度為Wg’＝αWg，源極和漏極寬度均為Wt’＝αWt；其柵電極長度、柵漏電極之間距離、柵源電極之間距離及源漏電極的長度均與被測HEMT器件(1)的對應參數相同，其中α為電極寬度變化系數，α>0且α≠1，Wg為被測HEMT器件的柵極寬度，Wt為被測HEMT器件源極和漏極的電極寬度；B.利用半導體參數測試設備分別測試出如下兩條曲線：將被測HEMT器件置于關閉狀態，在漏極施加連續變化的偏置電壓V，測出被測HEMT器件的柵泄漏電流Ig(V)與偏置電壓V的關系曲線Q1；用與被測HEMT器件相同的測試條件，測出HEMT測試輔助器件的柵泄漏電流與偏置電壓V的關系曲線Q2；C.根據步驟B中所測得的兩條曲線Q1和Q2，獲得被測HEMT器件的臺面泄漏電流Im(V)：(C1)用被測HEMT器件的柵泄漏電流與偏置電壓關系曲線Q1中各個偏置電壓V所對應的柵泄漏電流Ig(V)均乘以α，并將其結果與所述關系曲線Q...
【技術特征摘要】
1. 一種測試HEMT器件中柵泄漏電流中臺面泄漏電流的方法，包括如下步驟： A. 制作測試輔助器件： 制作結構與被測HEMT器件（1)結構相同，電極參數不同的HEMT測試輔助器件（2);該 測試輔助器件，其柵電極寬度為Wg' = aWg，源極和漏極寬度均為Wt' = aWt;其柵電極長 度、柵漏電極之間距離、柵源電極之間距離及源漏電極的長度均與被測HEMT器件（1)的對 應參數相同，其中α為電極寬度變化系數，α>〇且α尹l，Wg為被測HEMT器件的柵極寬 度，Wt為被測HEMT器件源極和漏極的電極寬度； B. 利用半導體參數測試設備分別測試出如下兩條曲線： 將被測HEMT器件置于關閉狀態，在漏極施加連續變化的偏置電壓V，測出被測HEMT器 件的柵泄漏電流Ig(v)與偏置電壓...
【專利技術屬性】
技術研發人員：鄭雪峰，范爽，孫偉偉，張建坤，康迪，王沖，杜鳴，曹艷榮，馬曉華，郝躍，
申請(專利權)人：西安電子科技大學，
類型：發明
國別省市：陜西;61
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