本發明專利技術提出一種發光模塊。實施方式的發光模塊包括基板、設置于所述基板上的發光體、以及包含由所述發光體的發射光而激發的第一熒光體及第二熒光體的熒光層。所述第一熒光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長范圍內具有半寬值為小于或等于20nm的發光波峰，所述第二熒光體在所述發光體的發光光譜的波峰波長與所述第一熒光體的發光光譜的波峰波長之間的波長范圍內具有發光波峰。而且，所述第一熒光體的與所述基板垂直的方向上的密度分布具有朝向其兩端中的至少其中一端而增高的密度梯度。
【技術實現步驟摘要】
發光模塊本申請基于并主張2013年2月21日申請的日本專利申請案2013-032644號的優先權，該申請的全文以引用的方式并入本文。
實施方式涉及一種發光模塊。
技術介紹
多數作為照明器械的光源而使用的發光模塊包括藍色發光元件、及由該藍色發光元件的發射光而激發的熒光體，且輸出白色光，該白色光是將藍色發光元件發射的藍色光及熒光體發射的更長的波長的光進行組合所得。而且，理想的是在用于將藍色光向長波長的光轉換的熒光體中，使用發光效率高且伴隨周圍溫度的上升而光束降低小的熒光體。例如，鑒于所述特性，使用發射黃色光的乾-招-石槽石(Yttrium Aluminium Garnet, YAG)熒光體或發射紅色光的CASN(CaAlSiN3:Eu)熒光體等。
技術實現思路
實施方式的發光模塊包括基板、設置于所述基板上的發光體、以及包含由所述發光體的發射光而激發的第一熒光體及第二熒光體的熒光層。所述第一熒光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長范圍內具有半寬值為小于或等于20nm的發光波峰,所述第二突光體在所述發光體的發光光譜的波峰波長與所述第一熒光體的發光光譜的波峰波長之間的波長范圍內具有發光波峰。而且，所述第一熒光體的與所述基板垂直的方向上的密度分布具有朝向其兩端中的至少其中一端而增高的密度梯度。【附圖說明】圖1(a)、圖1(b)是表示實施方式的發光模塊及照明裝置的示意剖面圖。圖2(a)、圖2(b)是表示實施方式的熒光體的特性的曲線圖。圖3 (a)、圖3(b)是表示實施方式的熒光體的分布的示意圖。圖4是表示實施方式的熒光體的溫度特性的曲線圖。圖5是表示實施方式的變形例的發光模塊的示意剖面圖。符號的說明3:基板3a:基板的上表面5:發光體7:擋堤9:熒光層10、20:發光模塊13:透光性樹脂15:紅色熒光體17:黃色熒光體19:中間層21:框體23:絕緣盒30:蓋40:電力轉換部41、42:導線50:燈頭100:照明裝置A、B、C:曲線Il:發光強度Ip:紅色熒光體的發光波峰的相對強度 LE:下端Nf:密度PpP^P3:發光波峰UE:上端X:方向Ci^a2:吸收波峰aE:發光強度λ:波長【具體實施方式】實施方式的發光模塊包括基板、設置于所述基板上的發光體、以及包含由所述發光體的發射光而激發的第一熒光體及第二熒光體的熒光層。所述第一熒光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長范圍內具有半寬值為小于或等于20nm的發光波峰,所述第二突光體在所述發光體的發光光譜的波峰波長與所述第一熒光體的發光光譜的波峰波長之間的波長范圍內具有發光波峰。而且，所述第一熒光體的與所述基板垂直的方向上的密度分布具有朝向其兩端中的至少其中一端而增高的密度梯度(density gradient)。被用作紅色熒光體的CASN熒光體或SCASN((Sr，Ca)AlSiN3:Eu)熒光體的發光光譜包含超過650nm的相對可見度(relative visibility)低的波帶(waveband),激發帶的長波長端也超過600nm。也就是，具有吸收相對可見度高的波長區域的光，且發射相對可見度低的光的側面。因此，在包含大量的紅色熒光體的相關色溫低的發光模塊中，平均顯色性指數(color rendering index)及發光效率降低。對此，實施方式提供一種可提高顯色性及發光效率的發光模塊及照明裝置。以下，一邊參照附圖一邊對實施方式進行說明。對附圖中的相同部分附上相同符號并適當省略其詳細說明，并對不同的部分進行說明。另外，附圖為示意性或概念性的圖，各部分的厚度與寬度的關系、部分間的大小比率等未必與現實的情況相同。而且，即便在表示相同部分的情況下，也有時根據附圖的不同而對彼此的尺寸或比率加以不同表示。圖1 (a)、圖1(b)是表示實施方式的發光模塊10及照明裝置100的示意剖面圖。圖1 (a)表示發光模塊10，圖1 (b)表示內置有該發光模塊10的照明裝置100。如圖1(a)所示，發光模塊10包括基板3、設置于基板3之上的發光體5、以及熒光層9。熒光層9包含由發光體5的發射光而激發的第一熒光體及第二熒光體。第一熒光體為發射紅色光的紅色熒光體15。第二熒光體在發光體5的發光光譜的波峰波長與紅色熒光體15的發光光譜的波峰波長之間的波帶具有發光波峰。以下，對作為第二熒光體而使用發射黃色光的黃色熒光體17的例子進行說明，但當然并不限定于此。例如，作為第二熒光體，也可使用綠色熒光體，還可使用混合了黃色熒光體與綠色熒光體的熒光體。基板3例如為陶瓷基板。發光體5發射波長400納米(nm)?480納米的光，并激發紅色熒光體15及黃色熒光體17。具體來說，發光體5為發光二極管(Light EmittingDiode:LED)，例如發射主(dominant)波長450nb?460nm的藍色光。發光體5例如經由黏接劑而安裝于基板3的上表面3a。基板3上安裝多個發光體5，并使用金屬絲串聯或并聯連接。而且，以包圍安裝著多個發光體5的區域的周圍的方式設置著擋堤(bank)7。擋堤7例如包含白色樹脂。此外，向擋堤7的內側流入分散有紅色熒光體15及黃色熒光體17的透光性樹脂13并使其硬化。由此，設置覆蓋發光體5的熒光層9。紅色熒光體15例如包含由化學式K2SiF6 =Mn而表示的熒光體，黃色熒光體17例如為YAG熒光體。發光模塊10例如作為光源而內置于照明裝置100中。如圖1(b)所示，照明裝置100例如為燈泡形燈，包括發光模塊10、安裝發光模塊10的框體21、及覆蓋發光模塊10的蓋30。另外，此處所示的照明裝置100為一例，實施方式當然并不限定于此。在框體21的內部，設置著對發光模塊10供給電力的電力轉換部40。電力轉換部40經由導線41、導線42而與發光模塊10及燈頭50電連接。而且，電力轉換部40收容于設置在框體21的內部的絕緣盒23中。電力轉換部40從未圖示的商用電源經由燈頭50而接受交流電力的供給，例如，轉換為直流電力而供給至發光模塊10。發光模塊10從電力轉換部40接受電力的供給并發射白色光。也就是，發出由混合底下光所得的白色光，即，將從發光體5發射的藍色光、從紅色熒光體15發射的紅色光及從黃色熒光體17發射的黃色光進行混合所得。[0051 ] 然后，參照圖2 (a)、圖2 (b)?圖4對發光模塊10的特性進行說明。圖2 (a)?圖4是表示熒光層9中所包含的紅色熒光體15的特性的曲線圖。圖2(a)是表示熒光體的發光光譜的曲線圖。橫軸是發光波長λ，縱軸是發光強度Ip該圖中的曲線A表示紅色熒光體15的發光光譜，曲線B表示比較例的CASN熒光體的發光光譜。如曲線A所示，紅色熒光體15在大于或等于610nm且小于650nm的波長范圍內具有半寬值為小于或等于20nm的發光波峰P1、發光波峰P2及發光波峰P3。而且，大于或等于650nm的波長區域的發光強度k為小于或等于發光波峰P1及發光波峰P2的1/2。另一方面，如曲線B所示，CASN熒光體在610nn?620nm的波長范圍內具有發光波峰，其半寬值達到約170nm。而且，波長650nm的發光強度大約為波峰波長的發光強度的80%。本實施方式的紅色熒光體15在相對可見度降低的大于或等于650nm的波帶的發光光譜本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種發光模塊，其特征在于包括：基板；發光體，設置于所述基板上；以及熒光層，包含由所述發光體的發射光而激發的第一熒光體及第二熒光體，所述第一熒光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長范圍內具有半寬值為小于或等于20nm的發光波峰，所述第二熒光體在所述發光體的發光光譜的波峰波長與所述第一熒光體的發光光譜的波峰波長之間的波長范圍內具有發光波峰，所述第一熒光體的與所述基板垂直的方向上的密度分布具有朝向所述第一熒光體的兩端中的至少其中一端而增高的密度梯度。
【技術特征摘要】
2013.02.21 JP 2013-0326441.一種發光模塊，其特征在于包括: 基板； 發光體，設置于所述基板上；以及 熒光層，包含由所述發光體的發射光而激發的第一熒光體及第二熒光體，所述第一熒光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長范圍內具有半寬值為小于或等于20nm的發光波峰，所述第二熒光體在所述發光體的發光光譜的波峰波長與所述第一熒光體的發光光譜的波峰波長之間的波長范圍內具有發光波峰，所述第一熒光體的與所述基板垂直的方向上的密度分布具有朝向所述第一熒光體的兩端中的至少其中一端而增高的密度梯度。2.根據權利要求1所述的發光模塊，其特征在于: 所述第一熒光體的平均粒徑比所述第二熒光體的平均粒徑大， 所述第一熒光體以所述密度分布朝向所述基板側而增高的方式來設置。3.根據權利要求2所述的發光模塊，其特征在于: 所述第一熒光體的平均粒徑為大于或等于所述第二熒光體的平均粒徑的1.6倍。4.根據權利要求1所述的發光模塊，其特征在于: 所述第一熒光體的平均粒徑與所述第二熒光體的平均粒徑相同或比其小， 所述第一熒光體以所述密度分布隨著離開...
【專利技術屬性】
技術研發人員：渡邊美保，
申請(專利權)人：東芝照明技術株式會社，
類型：發明
國別省市：日本;JP
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