發(fā)光模塊制造技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)提供一種發(fā)光模塊。實(shí)施方式的發(fā)光模塊包括：基板；設(shè)置于所述基板上的發(fā)光體；由所述發(fā)光體的發(fā)射光而激發(fā)的第一熒光體；以及配置于所述發(fā)光體與所述第一熒光體之間的第二熒光體。所述第一熒光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長范圍內(nèi)具有半寬值為小于或等于20nm的發(fā)光波峰。所述第二熒光體由所述發(fā)光體的發(fā)射光而激發(fā)，且在所述發(fā)光體的發(fā)光光譜的波峰波長與所述第一熒光體的發(fā)光光譜的波峰波長之間的波長范圍內(nèi)具有發(fā)光波峰。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
發(fā)光模塊本申請基于并主張2013年2月21日申請的日本專利申請案2013-032645號的優(yōu)先權(quán)，該申請的全文以引用的方式并入本文。
本專利技術(shù)的實(shí)施方式涉及一種發(fā)光模塊。
技術(shù)介紹
多數(shù)作為照明器械的光源而使用的發(fā)光模塊包括藍(lán)色發(fā)光元件、及由該藍(lán)色發(fā)光元件的發(fā)射光而激發(fā)的熒光體，且輸出白色光，該白色光是將藍(lán)色發(fā)光元件發(fā)射的藍(lán)色光及熒光體發(fā)射的更長的波長的光進(jìn)行組合所得。而且，理想的是在用于將藍(lán)色光向長波長的光轉(zhuǎn)換的熒光體中，使用發(fā)光效率高且伴隨周圍溫度的上升而光束降低小的熒光體。例如，鑒于所述特性，使用發(fā)射黃色光的乾-招-石槽石(Yttrium Aluminium Garnet, YAG)熒光體或發(fā)射紅色光的CASN(CaAlSiN3:Eu)熒光體等。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)實(shí)施方式的發(fā)光模塊包括基板、設(shè)置于所述基板上的發(fā)光體、由所述發(fā)光體的發(fā)射光而激發(fā)的第一熒光體、以及配置于所述發(fā)光體與所述第一熒光體之間的第二熒光體。所述第一熒光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長范圍內(nèi)具有半寬值為小于或等于20nm的發(fā)光波峰。所述第二熒光體由所述發(fā)光體的發(fā)射光激發(fā)，且在所述發(fā)光體的發(fā)光光譜的波峰波長與所述第一熒光體的發(fā)光光譜的波峰波長之間的波長范圍內(nèi)具有發(fā)光波峰?！靖綀D說明】圖1(a)、圖1(b)是表示實(shí)施方式的發(fā)光模塊及照明裝置的示意剖面圖。圖2(a)、圖2(b)是表示實(shí)施方式的熒光體的特性的曲線圖。圖3是表示實(shí)施方式的熒光體的溫度特性的曲線圖。圖4是表示實(shí)施方式的變形例的發(fā)光模塊的示意剖面圖。[符號的說明]3:基板3a:基板的上表面5:發(fā)光體7:擋堤10、20:發(fā)光模塊11、13:熒光層14、16:透光性樹脂15:紅色熒光體17:黃色熒光體19:中間層21:框體23:絕緣盒30:蓋40:電力轉(zhuǎn)換部41、42:導(dǎo)線50:燈頭100:照明裝置A、B:曲線Il:發(fā)光強(qiáng)度Ip:紅色熒光體的發(fā)光波峰的相對強(qiáng)度PpP^P3:發(fā)光波峰Ci^a2:吸收波峰aE:發(fā)光強(qiáng)度λ:波長【具體實(shí)施方式】實(shí)施方式的發(fā)光模塊包括基板、設(shè)置于所述基板上的發(fā)光體、由所述發(fā)光體的發(fā)射光而激發(fā)的第一熒光體、以及配置于所述發(fā)光體與所述第一熒光體之間的第二熒光體。所述第一熒光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長范圍內(nèi)具有半寬值為小于或等于20nm的發(fā)光波峰。所述第二熒光體由所述發(fā)光體的發(fā)射光而激發(fā)，且在所述發(fā)光體的發(fā)光光譜的波峰波長與所述第一熒光體的發(fā)光光譜的波峰波長之間的波長范圍內(nèi)具有發(fā)光波峰。被用作紅色熒光體的CASN熒光體或SCASN((Sr，Ca)AlSiN3:Eu)熒光體的發(fā)光光譜包含超過650nm的相對可見度(relative visibility)低的波帶(waveband),激發(fā)帶的長波長端也超過600nm。也就是，具有吸收相對可見度高的波長區(qū)域的光，且發(fā)射相對可見度低的光的側(cè)面。因此，在包含大量紅色熒光體的相關(guān)色溫低的發(fā)光模塊中，平均顯色性指數(shù)及發(fā)光效率降低。對此，實(shí)施方式提供一種可提高顯色性及發(fā)光效率的發(fā)光模塊及照明>j-U ρ?α裝直。以下，一邊參照附圖一邊對實(shí)施方式進(jìn)行說明。對附圖中的相同部分附上相同符號并適當(dāng)省略其詳細(xì)說明，并對不同的部分進(jìn)行說明。另外，附圖為示意性或概念性的圖，各部分的厚度與寬度的關(guān)系、部分間的大小比率等未必與現(xiàn)實(shí)的情況相同。而且，即便在表示相同部分的情況下，也有時根據(jù)附圖的不同而對彼此的尺寸或比率加以不同表示。圖1 (a)、圖1(b)是表示實(shí)施方式的發(fā)光模塊10及照明裝置100的示意剖面圖。圖1 (a)表示發(fā)光模塊10，圖1 (b)表示內(nèi)置有該發(fā)光模塊10的照明裝置100。如圖1(a)所不,發(fā)光模塊10包括基板3、設(shè)置于基板3之上的發(fā)光體5、突光層11、以及突光層13。突光層11包含由發(fā)光體5的發(fā)射光而激發(fā)的第一突光體。突光層13包含由發(fā)光體5的發(fā)射光而激發(fā)的第二熒光體，且熒光層13設(shè)置于發(fā)光體5與熒光層11之間。也就是,在基板3之上,第二突光體配置于第一突光體與發(fā)光體5之間。以下的例子中，對將包含第一熒光體的熒光層11與包含第二熒光體的熒光層13進(jìn)行積層而成的構(gòu)造進(jìn)行說明，但實(shí)施方式并不限定于此。例如，也可在一層中包含第一熒光體與第二熒光體，在第一突光體與發(fā)光體5之間配置第二突光體。第一熒光體為發(fā)射紅色光的紅色熒光體15。第二熒光體在發(fā)光體5的發(fā)光光譜的波峰波長與紅色熒光體15的發(fā)光光譜的波峰波長之間的波帶內(nèi)具有發(fā)光波峰。以下，對作為第二熒光體而使用發(fā)射黃色光的黃色熒光體17的例子進(jìn)行說明，但當(dāng)然并不限定于此。例如，作為第二熒光體，也可使用綠色熒光體，還可使用混合了黃色熒光體與綠色熒光體的熒光體?；?例如為陶瓷基板。發(fā)光體5發(fā)射波長400納米(nm)?480納米的光，并激發(fā)紅色熒光體15及黃色熒光體17。具體來說，發(fā)光體5為發(fā)光二極管(Light EmittingDiode:LED)，例如發(fā)射主(dominant)波長450nm?460nm的藍(lán)色光。發(fā)光體5例如經(jīng)由黏接劑而安裝于基板3的上表面3a?；?上安裝多個發(fā)光體5，并使用金屬絲串聯(lián)或并聯(lián)連接。而且，以包圍安裝著多個發(fā)光體5的區(qū)域的周圍的方式設(shè)置著擋堤(bank)7。擋堤7例如包含白色樹脂。例如，向擋堤7的內(nèi)側(cè)流入分散有黃色熒光體17的透光性樹脂16并使其硬化。由此，設(shè)置覆蓋發(fā)光體5的熒光層13。然后，使分散有紅色熒光體15的透光性樹脂14流入并使其硬化。由此，在熒光層13上設(shè)置著熒光層11。紅色熒光體15例如包含由化學(xué)式K2SiF6 =Mn而表示的熒光體，黃色熒光體17，例如為YAG熒光體。發(fā)光模塊10例如作為光源而內(nèi)置于照明裝置100。如圖1 (b)所示，照明裝置100例如為燈泡形燈，且包括發(fā)光模塊10、安裝發(fā)光模塊10的框體21、及覆蓋發(fā)光模塊10的蓋30。另外，此處所示的照明裝置100為一例，實(shí)施方式當(dāng)然并不限定于此。在框體21的內(nèi)部，設(shè)置著對發(fā)光模塊10供給電力的電力轉(zhuǎn)換部40。電力轉(zhuǎn)換部40經(jīng)由導(dǎo)線41、導(dǎo)線42而與發(fā)光模塊10及燈頭50電連接。而且，電力轉(zhuǎn)換部40收容于設(shè)置在框體21的內(nèi)部的絕緣盒23中。電力轉(zhuǎn)換部40從未圖示的商用電源經(jīng)由燈頭50而接受交流電力的供給，例如，轉(zhuǎn)換為直流電力而供給至發(fā)光模塊10。發(fā)光模塊10從電力轉(zhuǎn)換部40接受電力的供給并發(fā)射白色光。也就是，發(fā)出由混合底下光所得的白色光，即，將從發(fā)光體5發(fā)射的藍(lán)色光、從紅色熒光體15發(fā)射的紅色光及從黃色熒光體17發(fā)射的黃色光進(jìn)行混合所得。然后，參照圖2(a)、圖2(b)?圖3對發(fā)光模塊10的特性進(jìn)行說明。圖2(a)?圖3是表示熒光層11中所包含的紅色熒光體15的特性的曲線圖。圖2(a)是表示熒光體的發(fā)光光譜的曲線圖。橫軸是發(fā)光波長λ，縱軸是發(fā)光強(qiáng)度Ip該圖中的曲線A表示紅色熒光體15的發(fā)光光譜，曲線B表示比較例的CASN熒光體的發(fā)光光譜。如曲線A所示，紅色熒光體15在大于或等于610nm且小于650nm的波長范圍內(nèi)具有半寬值為小于或等于20nm的發(fā)光波峰P1、發(fā)光波峰P2及發(fā)光波峰P3。而且，大于或等于650nm的波長區(qū)域的發(fā)光強(qiáng)度k為小于或等于發(fā)光波峰P1及發(fā)光波峰P2的I / 2。另一方面，如曲線B所示，CASN熒光體本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種發(fā)光模塊，其特征在于包括：基板；發(fā)光體，設(shè)置于所述基板上；第一熒光體，由所述發(fā)光體的發(fā)射光而激發(fā)，且在大于或等于610nm且小于650nm的波長范圍內(nèi)具有半寬值為小于或等于20nm的發(fā)光波峰；以及第二熒光體，配置于所述第一熒光體與所述發(fā)光體之間，由所述發(fā)光體的發(fā)射光而激發(fā)，且在所述發(fā)光體的發(fā)光光譜的波峰波長與所述第一熒光體的發(fā)光光譜的波峰波長之間的波長范圍內(nèi)具有發(fā)光波峰。

【技術(shù)特征摘要】
2013.02.21 JP 2013-0326451.一種發(fā)光模塊，其特征在于包括: 基板； 發(fā)光體，設(shè)置于所述基板上； 第一熒光體，由所述發(fā)光體的發(fā)射光而激發(fā)，且在大于或等于610nm且小于650nm的波長范圍內(nèi)具有半寬值為小于或等于20nm的發(fā)光波峰；以及 第二熒光體，配置于所述第一熒光體與所述發(fā)光體之間，由所述發(fā)光體的發(fā)射光而激發(fā)，且在所述發(fā)光體的發(fā)光光譜的波峰波長與所述第一熒光體的發(fā)光光譜的波峰波長之間的波長范圍內(nèi)具有發(fā)光波峰。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模塊，其特征在于: 所述第一熒光體的激發(fā)帶的長波長端位于比所述第二熒光體的發(fā)光光譜的波峰波長短的波長側(cè)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模塊，其特征在于: 所述第一熒光體的大于或等于650nm的波長區(qū)域的發(fā)光強(qiáng)度為小于或等于所述第一熒光體的所述發(fā)光波峰與所述第二熒光體的所述發(fā)光波峰的強(qiáng)度的I / 2。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光模塊，其特征在于: 所述第一突光體在大于或等于610nm且小于650nm的波長范圍內(nèi)具有多個所述發(fā)光波峰， 所述多個發(fā)光波峰中位于短波長側(cè)的發(fā)光波峰的發(fā)光強(qiáng)度的溫度...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：渡邊美保，小柳津剛，
申請(專利權(quán))人：東芝照明技術(shù)株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：日本;JP