【技術實現步驟摘要】
低互調同頻合路器
本技術涉及射頻微波電路技術，更具體地涉及一種低互調同頻合路器。
技術介紹
常規的同頻合路器的內置負載是采用了厚膜電路或者薄膜電路技術制作的，其有一內置厚膜電路的負載，優點是體積小和成本低，缺點是無源互調指標差，這類技術制作的內置負載，由于其先天的缺陷，互調達到-120dBc@2X+43dBm也很難。這樣就導致同頻合路器的互調指標也很差。隨著通信技術的發展，對于無源互調的要求越來越高，普通的同頻合路器已經無法滿足要求了。
技術實現思路
本技術的目的在于，提供一種由一只低互調3dB電橋和一只低互調負載組成的低互調同頻合路器，可以實現-170dBc@2X+43dBm以內的各種互調指標。為實現本技術的目的，擬采用以下技術方案:低互調同頻合路器，包括殼體，其特征在于，殼體內安裝有一低互調寬帶電橋、低互調射頻電纜和低互調內置負載；所述殼體外側設有兩個輸入端口和一個輸出端口，兩個輸入端口分別連接低互調寬帶電橋的兩個輸入端，輸出端口連接低互調寬帶電橋的其中一個輸出端；所述低互調寬帶電橋的另一個輸出端連接一卷低互調射頻電纜，低互調射頻電纜的另一端連接低互調內置負載。本技術采用低互調內置負載代替用厚膜電路或者薄膜電路技術制作的傳統的內置負載，傳統的內置負載由于先天的缺陷，互調達到-120dBc@2X+43dBm也很難，導致同頻合路器的互調指標也很差，而采用低互調內置負載與一卷足夠長的低互調射頻電纜相結合，能夠達到理想的互調值。【附圖說明】圖1為本技術的原理圖。圖2為本技術的結構示意圖。圖3為低互調寬帶電橋的結構示意圖。圖中的標號為，1、殼體；2、輸入...
【技術保護點】
低互調同頻合路器，包括殼體，其特征在于，殼體內安裝有一低互調寬帶電橋、低互調射頻電纜和低互調內置負載；所述殼體外側設有兩個輸入端口和一個輸出端口，兩個輸入端口分別連接低互調寬帶電橋的兩個輸入端，輸出端口連接低互調寬帶電橋的其中一個輸出端；所述低互調寬帶電橋的另一個輸出端連接一卷低互調射頻電纜，低互調射頻電纜的另一端連接低互調內置負載。
【技術特征摘要】
1.低互調同頻合路器，包括殼體，其特征在于，殼體內安裝有一低互調寬帶電橋、低互調射頻電纜和低互調內置負載； 所述殼體外側設有兩個輸入端口和一個輸出端口，兩個輸入端口分別連接...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳玉兵，趙春陽，羅江，錢克勇，韋立言，張濤，
申請(專利權)人：杭州麥田通信技術有限公司，
類型：新型
國別省市：浙江;33
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