一種電接插件制造技術(shù)

一種電接插件，其屬于電接觸元件技術(shù)領(lǐng)域，該插件包括電接插件基體，所述電接插件基體上依次沉積有金屬薄膜和金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層，所述金屬薄膜為電接插件基體和金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層的連接層，所述金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層為碳鉻薄膜。該表面改性電接插件具有導(dǎo)電、耐蝕、耐磨和疏水等復(fù)合性能，其接觸電阻在0.8Mpa壓緊力下小于等于15mΩ·cm2，抗標(biāo)準(zhǔn)鹽霧實(shí)驗(yàn)270小時(shí)以上，表面顯微硬度Hv≧6GPa，水接觸角≧90°。該電接插件用綠色環(huán)保方法制造，且降低了制作成本，解決了電接插件基體表面容易被腐蝕和鈍化而導(dǎo)致電阻增大的問(wèn)題，并且將接觸電阻降低到了15mΩ·cm2以下。（*該技術(shù)在2024年保護(hù)過(guò)期，可自由使用*）

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種電接插件
本專利技術(shù)涉及一種電接插件，其屬于電接觸元件
。
技術(shù)介紹
在電氣、電子領(lǐng)域，電接觸材料主要用作電觸點(diǎn)、導(dǎo)電刷、集電環(huán)、換向片、整流片和接插件等，是電通斷環(huán)節(jié)中重要的功能性元件。采用電接觸元件的電機(jī)、電氣開關(guān)、繼電器、接插件等作為基礎(chǔ)件在信息工程、家用電子電器、汽車工程等領(lǐng)域大量使用。這些電接觸元件的性能直接影響所應(yīng)用產(chǎn)品及整個(gè)系統(tǒng)的可靠性、穩(wěn)定性、精度及使用壽命。同時(shí)，隨著各類產(chǎn)品向高精度和微型化發(fā)展，對(duì)電接觸元件的性能提出了更高的要求:具有優(yōu)良的導(dǎo)電性、小而穩(wěn)定的接觸電阻、高的化學(xué)穩(wěn)定性、耐磨性和抗電弧燒損能力。電接觸元件必須在電阻率、接觸電阻、密度、硬度、化學(xué)成分、抗熔焊性、抗腐蝕性、可焊性等方面可靠地滿足應(yīng)用的要求。電接觸材料大都是由含80%?90%(質(zhì)量百分?jǐn)?shù))白銀的復(fù)合材料制成的，世界上銀的產(chǎn)量25%左右是用于制造電工和電子儀器所需的電觸頭元件。銀作為貴金屬，產(chǎn)量有限且價(jià)格昂貴，為了節(jié)銀，全世界在開展降低電接觸材料中銀含量的研究的同時(shí)，也在進(jìn)行以廉價(jià)金屬替代銀基材料的研究工作。同時(shí)，目前的電接插件產(chǎn)品主要是在電接插件基體上制備一層導(dǎo)電薄膜支撐，但是這種電接插件由于基體與導(dǎo)電薄膜之間的結(jié)合力較差，存在耐磨性不足、使用壽命短的缺點(diǎn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)的目的克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種電接插件，以解決一般電接插件基體與導(dǎo)電薄膜層結(jié)合力較差、耐磨性能差、且表面容易被氧化的問(wèn)題，降低接觸電阻。本技術(shù)為實(shí)現(xiàn)上述目的所采用的技術(shù)方案是:一種電接插件，包括電接插件基體，所述電接插件基體上依次沉積有金屬薄膜和金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層，所述金屬薄膜為電接插件基體和金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層的連接層。所述電接插件基體為金手指、鎖緊螺母、簧片、同軸線接口、插頭或接線柱。所述電接插件基體材料為不銹鋼、鎳或銅。所述金屬薄膜為0.05 μ m_0.5 μ m的零價(jià)金屬態(tài)的鉻薄膜。所述金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層為碳鉻薄膜。所述碳鉻薄膜厚度為0.1 μ m — 5 μ m。所述碳鉻薄膜是在非晶碳基體上分布晶粒尺度為5nm-100nm的金屬態(tài)零價(jià)鉻晶體的納米復(fù)合薄膜。采用上述技術(shù)方案所得電接插件具有導(dǎo)電、耐蝕、耐磨和疏水等復(fù)合性能，其接觸電阻在0.SMpa壓緊力下小于等于15mΩ.cm2，抗標(biāo)準(zhǔn)鹽霧實(shí)驗(yàn)270小時(shí)以上，表面顯微硬度Hv蘭6GPa，水接觸角蘭90°。本專利技術(shù)的有益效果是:該電接插件由電接插件基體、金屬薄膜及金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層構(gòu)成。金屬薄膜作為電接插件基體與金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層之間的過(guò)渡連接層，增強(qiáng)了基體與導(dǎo)電層之間的結(jié)合力，提高了電接插件的耐磨性能，從而提高了其使用壽命。該電接插件具有導(dǎo)電、耐蝕、耐磨和疏水等復(fù)合性能，其接觸電阻在0.SMpa壓緊力下小于等于15Π1Ω.cm2,抗標(biāo)準(zhǔn)鹽霧實(shí)驗(yàn)270小時(shí)以上，表面顯微硬度Hv ^ 6GPa，水接觸角3 90°。該電接插件用綠色環(huán)保方法制造，且降低了制作成本，解決了電接插件基體表面容易被腐蝕鈍化的問(wèn)題，并且將接觸電阻降低到了 15πιΩ.cm2以下。【附圖說(shuō)明】下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本專利技術(shù)作進(jìn)一步說(shuō)明。圖1是一種電接插件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:1、電接插件基體,2、金屬薄膜,3、金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層。【具體實(shí)施方式】以下結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)做進(jìn)一步說(shuō)明。實(shí)施例1如圖1所示一種電接插件，包括電接插件基體I，所述電接插件基體上依次沉積有金屬薄膜2和金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層3，所述金屬薄膜為電接插件基體和金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層的連接層。 電接插件基體為金手指，電接插件基體材料為不銹鋼。金屬薄膜為0.1 μ m的零價(jià)金屬態(tài)的鉻薄膜。金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層為碳鉻薄膜，碳鉻薄膜厚度為2 μ m，碳鉻薄膜是在非晶碳基體上分布晶粒尺度為20nm的金屬態(tài)零價(jià)鉻晶體的納米復(fù)合薄膜。實(shí)施例2實(shí)施例1中電接插件的制備方法為:將不銹鋼基金手指經(jīng)過(guò)去毛刺、表面清污工序后，用超聲波機(jī)進(jìn)行清洗完畢后烘干；將不銹鋼基金手指隨鍍膜卡具一同裝入真空鍍膜室中，在設(shè)備陰極弧源位置上的不同位置分別安裝金屬純鉻靶材和純石墨靶材；關(guān)閉真空室艙門，依次開啟初抽泵及分子泵進(jìn)行真空獲得，直至真空到達(dá)5X KT3Pa后，通入惰性氣體氬氣，使真空達(dá)到5Pa，啟動(dòng)偏壓電源，電壓設(shè)置在1000V，占空比為80%，頻率為40KHz，持續(xù)20min ;降低偏壓至500V，占空比為60%，頻率為20KHz，調(diào)整工作氣壓，使得真空達(dá)到IPa，開啟鉻陰極弧，使得鉻靶材在60A，持續(xù)IOmin ;開啟碳陰極弧，調(diào)整碳靶弧電流與鉻靶弧電流比值在1/4,持續(xù)60min ;依次進(jìn)行停陰極弧、偏壓、工作氣體,維持真空爐冷卻30min后，開啟真空室取出不銹鋼基電接插件。在不銹鋼基金手指表面沉積出厚度為2 μ m的鉻碳元素含量隨膜層厚度交替變化的復(fù)合導(dǎo)電涂層，使得不銹鋼基電接插件的接觸電阻S 15πιΩ - cm2 (0.SMpa壓緊力下)，水接觸角蘭90°，表面顯微硬度Hk ^ 6GPa，膜/基結(jié)合力蘭70N。本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種電接插件，包括電接插件基體(1)，其特征在于：所述電接插件基體(1)上依次沉積有金屬薄膜(2)和金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層(3)，所述金屬薄膜(2)為電接插件基體(1)和金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層(3)的連接層，所述金屬薄膜(2)為0.05μm?0.5μm的零價(jià)金屬態(tài)的鉻薄膜，所述金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層(3)為碳鉻薄膜。

【技術(shù)特征摘要】
1.一種電接插件，包括電接插件基體(I)，其特征在于:所述電接插件基體(I)上依次沉積有金屬薄膜(2)和金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層(3)，所述金屬薄膜(2)為電接插件基體(I)和金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層(3)的連接層，所述金屬薄膜(2)為0.05μπι-0.5μπι的零價(jià)金屬態(tài)的鉻薄膜，所述金屬?gòu)?fù)合導(dǎo)電層(3)為碳鉻薄膜。2.根據(jù)權(quán)利...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：林國(guó)強(qiáng)，韓治昀，魏科科，李強(qiáng)，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：大連理工常州研究院有限公司，
類型：新型
國(guó)別省市：江蘇;32