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    點(diǎn)火設(shè)備制造技術(shù)

    技術(shù)編號:10362834 閱讀:168 留言:0更新日期:2014-08-27 18:53
    本發(fā)明專利技術(shù)涉及點(diǎn)火設(shè)備,其具有包括初級繞組和次級繞組的點(diǎn)火變壓器(Tr),具有用于與第一供應(yīng)電壓電勢(Vbat+)連接的第一初級繞組端子(1),和具有用于經(jīng)由可控開關(guān)元件(SE)與第二供應(yīng)電壓電勢(Vbat-)連接的第二初級繞組端子(2)。按照根據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)的方式,第一電容器(C1)連接在第一初級繞組端子(1)和第二供應(yīng)電壓電勢(Vbat-)之間,以及第二電容器(C2)連接在第二初級繞組端子(2)和第二供應(yīng)電壓電勢(Vbat-)之間。

    【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
    點(diǎn)火設(shè)備
    本專利技術(shù)涉及一種帶有包括初級繞組和次級繞組的點(diǎn)火變壓器的點(diǎn)火設(shè)備,所述點(diǎn)火變壓器具有用于與第一供應(yīng)電壓電勢連接的第一初級繞組端子和具有用于經(jīng)由可控開關(guān)元件與第二供應(yīng)電壓電勢連接的第二初級繞組端子。
    技術(shù)介紹
    這樣的點(diǎn)火設(shè)備由DE 196 03 113 C2已知。在那里建議,代替常見的在火花塞中構(gòu)造的用于抑制在點(diǎn)火過程期間由于寄生電容在點(diǎn)火變壓器的次級側(cè)上或在點(diǎn)火變壓器的繞組之間靠近次級繞組放電引起的高放電電流尖峰的阻尼電阻而設(shè)置緩沖線圈作為抗干擾元件。US 3,882,341公開了直接在火花塞體中設(shè)置阻尼線圈。由于低歐姆阻尼線圈,一方面實(shí)現(xiàn)對由寄生電容所引起的電流尖峰的良好抑制,而另一方面也避免對于高增壓快燃發(fā)動(dòng)機(jī)所需要的較高點(diǎn)火能量時(shí)在阻尼電阻中的高損耗功率。為了實(shí)現(xiàn)良好磁耦合,大多同軸地相疊地布置點(diǎn)火線圈的繞組。在繞組之間在此產(chǎn)生的電容引起,在次級電壓崩潰時(shí)電壓邊沿從次級繞組耦合輸入到初級繞組。但是在此變壓比不起作用;僅僅耦合電容的大小有效。由于在幾納秒中大約20kV的巨大電壓變化,幾皮法的耦合電容本身具有大的影響。附加的是,至點(diǎn)火線圈的引線一般是0.5m至Im長并且從而形成用于電磁輻射出干擾信號的有效天線。另一問題是經(jīng)常布置在次級回路中的電流測量電阻,在所述電流測量電阻處電流尖峰導(dǎo)致對應(yīng)的電壓尖峰。
    技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
    因此本專利技術(shù)的任務(wù)是減少電流尖峰或電壓尖峰的影響。該任務(wù)通過根據(jù)權(quán)利要求1的點(diǎn)火設(shè)備來解決。有利的改進(jìn)在從屬權(quán)利要求中構(gòu)成。根據(jù)本專利技術(shù),在前序部分所述的點(diǎn)火設(shè)備情況下第一電容器接入在第一初級繞組端子和第二供應(yīng)電壓電勢之間并且第二電容器接入在第二初級繞組端子和第二供應(yīng)電壓電勢之間。通過該措施實(shí)現(xiàn)對從點(diǎn)火變壓器的次級側(cè)耦合輸入到初級側(cè)的干擾信號的有效抑制。在本專利技術(shù)的改進(jìn)中,在第一次級繞組端子和第二供應(yīng)電壓電勢之間連接由測量電阻和抗干擾電容器組成的并聯(lián)電路。通過與測量電阻并聯(lián)的抗干擾電容器可以有效地抑制在測量電阻處出現(xiàn)的高電壓尖峰。在本專利技術(shù)設(shè)備的另一有利改進(jìn)中,第二次級繞組端子與火花塞連接,所述火花塞利用將其接地端子與第二供應(yīng)電壓電勢相連接的屏蔽杯構(gòu)造,所述屏蔽杯至少部分地包圍火花塞,其中由測量電阻和抗干擾電容器組成的并聯(lián)電路被實(shí)施為在屏蔽杯和第一次級繞組端子之間的連接元件。通過在火花塞的接地電極、第二供應(yīng)電壓電勢和第一次級繞組端子之間的短的、被良好屏蔽的連接,可以有效地防止不希望的電磁干擾輻射。【附圖說明】下面根據(jù)實(shí)施例借助于圖更詳細(xì)地描述本專利技術(shù)。【具體實(shí)施方式】該圖示出具有點(diǎn)火變壓器Tr的點(diǎn)火設(shè)備的已知電路技術(shù)實(shí)施,所述點(diǎn)火變壓器的初級繞組具有第一初級繞組端子I和第二初級繞組端子2。第一初級繞組端子I與第一供應(yīng)電壓電勢Vbat+連接并且第二初級繞組端子2經(jīng)由可控開關(guān)元件SE與第二供應(yīng)電壓電勢Vbat-連接,所述可控開關(guān)元件在所示的實(shí)施例中被構(gòu)造為IGBT(絕緣柵雙極晶體管)。供應(yīng)電壓在所示的示例中具有12V的值并且這里直接由車輛電池提供。所述供應(yīng)電壓也可以具有另外的值。開關(guān)元件SE以已知方式由未示出的流程控制裝置利用控制信號Stsig操控,以便在接通時(shí)間之后中斷流過初級繞組的電流,其中在所述接通時(shí)間期間點(diǎn)火變壓器Tr被充電,由此在點(diǎn)火變壓器Tr的次級側(cè)出現(xiàn)高電壓,所述高電壓在連接到點(diǎn)火變壓器Tr的次級側(cè)上的火花塞Zk的電極處導(dǎo)致?lián)舸S捎诖渭墏?cè)寄生電容Cpar,在這樣的點(diǎn)火設(shè)備的未受保護(hù)的狀態(tài)下當(dāng)在火花塞Zk的電極處擊穿時(shí)出現(xiàn)高的電流尖峰。出于該原因,在第二次級繞組端子4和火花塞Zk的中間電極之間的連接中構(gòu)造具有繞組電阻RL的阻尼電感Ld,其中該阻尼電感Ld有利地在火花塞體中作為繞組纏繞在具有高內(nèi)阻尼的磁材料上。為了屏蔽至點(diǎn)活塞ZK的引線,示出僅示意性示出的屏蔽杯Sk,如例如由DE 90 02 372已知的。點(diǎn)火變壓器Tr的第一次級繞組端子3經(jīng)由二極管D以及電流測量電阻Rm與第二供應(yīng)電壓電勢Vbat-連接。為了抑制由于在點(diǎn)火過程時(shí)出現(xiàn)的電流尖峰引起的在測量電阻Rm處出現(xiàn)的電壓尖峰,按照根據(jù)本專利技術(shù)的方式抗干擾電容器Cm與電流測量電阻Rm并聯(lián)。在本專利技術(shù)的有利構(gòu)造中,電流測量電阻Rm和抗干擾電容器Cm在結(jié)構(gòu)上布置在屏蔽杯Sk和第一次級繞組端子3之間,這在點(diǎn)火設(shè)備直接插到火花塞ZK上(在所謂上塞線圈(top plug coil)或筆式線圈(pencil coil)時(shí)情況如此)時(shí)可以特別有利地進(jìn)行。為了抑制在點(diǎn)火設(shè)備的次級側(cè)上產(chǎn)生的干擾信號,其中所述干擾信號經(jīng)由初級繞組和次級繞組的相互纏繞的繞組電容性地耦合到初級側(cè)上,按照根據(jù)本專利技術(shù)的方式第一初級繞組端子I經(jīng)由第一電容器Cl與第二供應(yīng)電壓電勢Vbat-(其通常是接地端子)連接并且第二初級繞組端子2經(jīng)由第二電容器與第二供應(yīng)電壓電勢Vbat-連接。因?yàn)樵邳c(diǎn)火變壓器Tr的初級繞組和次級繞組之間的耦合的電容沿著整個(gè)面存在,所以在初級側(cè)耦合輸入的干擾信號也具有同相分量(Gleichtaktanteil),所述同相分量可以通過本專利技術(shù)抗干擾電容器C1、C2有效地被抑制。替換于電容器Cl、C2,在繞組之間的屏蔽也是可能的;在此,在繞組之間施加導(dǎo)電薄膜,但是所述導(dǎo)電薄膜在繞向上不具有環(huán)繞的電流路徑。將該屏蔽繞組與接地電勢或與第二供應(yīng)電壓電勢Vbat-連接并且將電容性充電電流引開,使得初級繞組不再被干擾。但是,這是相對成本高的措施并且此外不希望的次級寄生電容被放大。本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
    點(diǎn)火設(shè)備?具有包括初級繞組和次級繞組的點(diǎn)火變壓器(Tr),?具有用于與第一供應(yīng)電壓電勢(Vbat+)連接的第一初級繞組端子(1),和?具有用于經(jīng)由可控開關(guān)元件(SE)與第二供應(yīng)電壓電勢(Vbat?)連接的第二初級繞組端子(2),其特征在于第一電容器(C1),所述第一電容器連接在第一初級繞組端子(1)和第二供應(yīng)電壓電勢(Vbat?)之間,和第二電容器(C2),所述第二電容器連接在第二初級繞組端子(2)和第二供應(yīng)電壓電勢(Vbat?)之間。

    【技術(shù)特征摘要】
    2013.02.25 DE 102013203002.91.點(diǎn)火設(shè)備 -具有包括初級繞組和次級繞組的點(diǎn)火變壓器(Tl.), -具有用于與第一供應(yīng)電壓電勢(Vbat+)連接的第一初級繞組端子(I),和 -具有用于經(jīng)由可控開關(guān)元件(SE)與第二供應(yīng)電壓電勢(Vbat-)連接的第二初級繞組端子(2), 其特征在于 第一電容器(Cl ),所述第一電容器連接在第一初級繞組端子(I)和第二供應(yīng)電壓電勢(Vbat-)之間,和 第二電容器(C2 ),所述第二電容器連接在第二初級繞組端子(2 )和第二供應(yīng)電壓電勢(Vbat-)之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的點(diǎn)火設(shè)備,其特征在于由測量電阻(Rm)和抗干擾電容器(Cm)組成的測量并...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:S博爾茲
    申請(專利權(quán))人:大陸汽車有限公司
    類型:發(fā)明
    國別省市:德國;DE

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