本發明專利技術公開了一種液晶顯示裝置之一液晶顯示面板具有至少一元件區及一透光區，并包含一薄膜晶體管基板、一對向基板以及一液晶層。一薄膜晶體管設置于基板上，并位于元件區。一第一絕緣層設置于基板之上。一第二絕緣層設置于第一絕緣層之上，第一絕緣層及第二絕緣層分別位于元件區，并由元件區分別延伸至透光區的邊緣。一平坦化層設置于基板之上，并位于元件區及透光區。對向基板與薄膜晶體管基板相對設置。液晶層設置于薄膜晶體管基板與對向基板之間。
【技術實現步驟摘要】
液晶顯示裝置
本專利技術系關于一種具有較高穿透率的液晶顯示裝置。
技術介紹
隨著科技的進步，顯示裝置已經廣泛的被運用在各種領域，尤其是液晶顯示裝置，因具有體型輕薄、低功率消耗及無輻射等優越特性，已經漸漸地取代傳統陰極射線管顯示裝置，而應用至許多種類之電子產品中，例如行動電話、可攜式多媒體裝置、筆記型電腦、液晶電視及液晶突眷等等。以液晶顯示裝置為例,液晶顯示裝置主要包含一液晶顯示面板(IXD Panel)以及一背光模塊(Backlight Module)。其中，液晶顯不面板具有一薄膜晶體管基板、一彩色濾光基板以及一夾設于兩基板間的液晶層，且兩基板與液晶層可形成復數個陣列設置的像素。背光模塊可將一光源的光線均勻地分布到液晶顯示面板，并經由各像素顯示色彩而形成一影像。其中，各像素分別具有一元件區及一透光區，元件區系設置例如薄膜晶體管等元件的區域，而透光區系為光線可穿透的區域，且液晶顯示面板就是透過透光區來顯示影像畫面。然而，于基板上設置薄膜晶體管等元件的制造工藝中，需于元件區與透光區分別沉積不同的薄膜層，例如于兩區域中分別沉積緩沖層、介電層、絕緣層或平坦化層等多層的薄膜，但是，當背光源所提供的光線通過透光區內的多層薄膜層時，光線被吸收或被反射的比率高，造成液晶顯示面板及液晶顯示裝置的穿透率(Transmittance)降低。 因此，如何提供一種液晶顯示裝置，可具有較高的穿透率，已成為重要課題之一。
技術實現思路
有鑒于上述課題，本專利技術之目的為提供一種具有較高穿透率之液晶顯示裝置。為達上述目的，依據本專利技術之一種液晶顯示裝置包括一液晶顯示面板以及一背光模塊。液晶顯示面板具有至少一元件區及一透光區，并包含一薄膜晶體管基板、一對向基板及一液晶層，薄膜晶體管基板具有一基板、一薄膜晶體管、一第一絕緣層、一第二絕緣層及一平坦化層，薄膜晶體管設置于基板上，并位于元件區，第一絕緣層設置于基板之上。第二絕緣層設置于第一絕緣層之上，第一絕緣層及第二絕緣層分別位于元件區，并由元件區分別延伸至透光區的邊緣，平坦化層設置于基板之上，并位于元件區及透光區。對向基板與薄膜晶體管基板相對設置，液晶層設置于薄膜晶體管基板與對向基板之間。承上所述，因依據本專利技術之一種液晶顯示裝置中，薄膜晶體管基板之第一絕緣層及第二絕緣層系分別由元件區延伸至透光區的邊緣，換言之，透光區內并未設置第一絕緣層及第二絕緣層。藉此，與現有技術相較，薄膜晶體管基板之透光區內因具有較少的薄膜層，故當背光源所提供的光線通過薄膜晶體管基板之透光區時，光線被吸收或反射的比率較少，因此，可使液晶顯示裝置具有較高的穿透率。【附圖說明】圖1為本專利技術較佳實施例之一種液晶顯示面板的示意圖。圖2為本專利技術較佳實施例另一實施態樣之液晶顯示面板的示意圖。圖3為本專利技術較佳實施例之一種液晶顯示裝置的示意圖。l、la:薄膜晶體管基板11:基板12:緩沖層121:第一緩沖層122:第二緩沖層123:第三緩沖層13:第一絕緣層14:第二絕緣層15:平坦化層16:保護層17:共同電極層18:鈍化層I9:像素電極層2:對向基板3:液晶層4:液晶顯示裝置5:背光模塊A:元件區B:透光區C:通道層D:漏極G:柵極O:通孔P1、P2:液晶顯示面板S:源極T:薄膜晶體管【具體實施方式】以下將參照相關圖式，說明依本專利技術較佳實施例之液晶顯示裝置，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。為了方便說明，本專利技術圖示中所顯示各元件之高度及寬度的尺寸關系(比例)僅為示意，并不代表實際的尺寸關系。請參照圖1所示,其為本專利技術較佳實施例之一種液晶顯示面板Pl的示意圖。液晶顯示面板Pl為一主動矩陣式(active matrix)液晶顯示面板,并具有一薄膜晶體管基板1、一對向基板2以及一夾設于兩基板間的液晶層3。對向基板2與薄膜晶體管基板I相對設置，而液晶層3設置于薄膜晶體管基板I與對向基板2之間。于此，對向基板2可具有一濾光層(圖未顯不)，以成為一彩色濾光基板。對向基板2為一可透光之材質,例如是玻璃、石英或類似物。此外，薄膜晶體管基板1、對向基板2與液晶層3可形成復數個陣列設置的像素，且各像素分別具有一元件區及一透光區。于此，圖1系標示液晶顯示面板Pl中，薄膜晶體管基板I上的一個元件區A及一個透光區B的示意圖。薄膜晶體管基板I包括一基板11、一緩沖層12、一薄膜晶體管T、一第一絕緣層13、一第二絕緣層14以及一平坦化(planarization)層15。基板11為一可透光之材質，在實施上，例如可為玻璃、石英或類似物、塑膠、橡膠、玻璃纖維或其他高分子材料，較佳的可為一硼酸鹽無堿玻璃基板。在實際運用時，薄膜晶體管基板I之基板11與對向基板2系可選用相同或不同之材質，例如基板11使用硼酸鹽無堿玻璃基板，而對向基板2使用鉀玻璃基板。另外，液晶顯示面板Pl更可包括一黑色矩陣層(圖未顯示)，于垂直基板11的方向上，黑色矩陣層可遮住元件區A，使光線無法穿過元件區A，不被黑色矩陣層遮住的區域即為透光區B。其中，黑色矩陣層可設置于薄膜晶體管基板I上或對向基板2上。當黑色矩陣層設置于薄膜晶體管基板I時，即可成為一 BOA (BMon array)基板。緩沖層12設置于基板11上，并位于元件區A。緩沖層12可包含一層或多層結構，其材質可分別包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化鋁、或氧化鉿。于此，緩沖層12的材料系以氧化硅為例。其中，若為多層結構時，不同層的緩沖層之材質可為相同或不相同。薄膜晶體管T設置于緩沖層12上，并位于元件區A。薄膜晶體管T可為top gate(上柵極)型的薄膜晶體管T，或為bottom gate (下柵極)型的薄膜晶體管。在本實施例中，系以top gate的薄膜晶體管T為例。其中，薄膜晶體管T具有一柵極G、一通道層C、一源極S及一漏極D。柵極G與通道層C對應設置，并位于通道層C之上，而緩沖層12位于基板11與通道層C之間。另外，于其它的實施例中，若為bottom gate的薄膜晶體管(圖未顯示)，則通道層系位于柵極之上。其中，柵極G之材質系為金屬(例如為鋁、銅、銀、鑰、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。部分用以傳輸驅動訊號之導線，可以使用與柵極G同層且同一制造工藝之結構，彼此電性相連，例如掃描線(scan line)。通道層C相對柵極G位置設置于緩沖層12上。在實施上，通道層C系為一半導體層(例如硅半導體、鎵半導體、鍺半導體或其組合，或其它)，且其材料例如但不限于包含一氧化物半導體。前述之氧化物半導體包括氧化物，且氧化物包括銦、鎵、鋅及錫其中之一，例如為氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZ0)。另外，源極S與漏極D分別設置于通道層C上，且源極S和漏極D分別與通道層C接觸，于薄膜晶體管T之通道層C未導通時，兩者系電性分離。其中，源極S與漏極D之材質可為金屬(例如鋁、銅、銀、鑰、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構。此外，部分用以傳輸驅動訊號之導線，可以使用與源極S與漏極D同層且同一制造工藝之結構，例如數據線(data line)。第一絕緣層13設置于緩沖層12之上，并位于通道層C之上，且第一絕緣層13位于柵極G與通道層C之間。第一絕緣層13可為一層或多層結構,其材質可包含氮化娃、本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一液晶顯示裝置，其特征在于，所述的液晶顯示裝置包括：一液晶顯示面板，具有至少一元件區及一透光區，并包含：一薄膜晶體管基板，具有：一基板；一薄膜晶體管，設置于所述的基板上，并位于所述的元件區；一第一絕緣層，設置于所述的基板之上；一第二絕緣層，設置于所述的第一絕緣層之上，所述的第一絕緣層及所述的第二絕緣層分別位于所述的元件區，并由所述的元件區分別延伸至所述的透光區的邊緣；及一平坦化層，設置于所述的基板之上，并位于所述的元件區及所述的透光區；一對向基板，與所述的薄膜晶體管基板相對設置；以及一液晶層，設置于所述的薄膜晶體管基板與所述的對向基板之間。
【技術特征摘要】
1.一液晶顯示裝置，其特征在于，所述的液晶顯示裝置包括: 一液晶顯示面板，具有至少一元件區及一透光區，并包含: 一薄膜晶體管基板，具有: 一基板； 一薄膜晶體管，設置于所述的基板上，并位于所述的元件區； 一第一絕緣層，設置于所述的基板之上； 一第二絕緣層，設置于所述的第一絕緣層之上，所述的第一絕緣層及所述的第二絕緣層分別位于所述的元件區，并由所述的元件區分別延伸至所述的透光區的邊緣；及 一平坦化層，設置于所述的基板之上，并位于所述的元件區及所述的透光區； 一對向基板，與所述的薄膜晶體管基板相對設置；以及 一液晶層，設置于所述的薄膜晶體管基板與所述的對向基板之間。2.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述的薄膜晶體管具有一柵極、一通道層、一源極及一漏極，所述的柵極與所述的通道層對應設置，所述的源極及漏極分別設置于所述的通道層上并與所述的通道層接觸。3.如權利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述的第一絕緣層位于所述的柵極與所述的通道層之間，所述的第二絕緣層位于柵極與所述的通道層之上。4.如權利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述的薄...
【專利技術屬性】
技術研發人員：呂建民，盧永信，陳俊宇，
申請(專利權)人：群創光電股份有限公司，
類型：發明
國別省市：中國臺灣;71
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