液晶顯示裝置及包括該液晶顯示裝置的電子設備制造方法及圖紙

目的之一是提供一種可以具有高的開口率的液晶顯示裝置，其中液晶顯示裝置所具有的像素具備使用氧化物半導體的薄膜晶體管。所述液晶顯示裝置包括多個各具有薄膜晶體管及像素電極的像素。該像素與用作掃描線的第一布線電連接。該薄膜晶體管具有在第一布線上隔著柵極絕緣膜設置的氧化物半導體層。該氧化物半導體層以超出設置有第一布線的區域的邊緣的方式設置。像素電極和氧化物半導體層彼此重疊。

【技術實現步驟摘要】
本專利技術申請是本專利技術申請人于2012年4月9日進入中國國家階段的、申請號為201080046493.2、專利技術名稱為“液晶顯示裝置及包括該液晶顯示裝置的電子設備”的專利技術申請的分案申請。
本專利技術涉及液晶顯示裝置。另外，本專利技術涉及具備該液晶顯示裝置的電子設備。
技術介紹
如以液晶顯示裝置為代表那樣，形成在諸如玻璃襯底等的平板上的薄膜晶體管使用非晶硅或多晶硅來形成。使用非晶硅制造的薄膜晶體管具有如下特性：雖然其場效應遷移率低，但是能形成在較大的玻璃襯底上。另一方面，使用多晶硅制造的薄膜晶體管具有如下特性：雖然其場效應遷移率高，但是需要進行諸如激光退火等的晶化工序，且不一定適合于較大的玻璃襯底。 鑒于上述情況，使用氧化物半導體來制造薄膜晶體管，且將它應用于電子設備和光裝置的技術方案受到關注。例如，專利文獻1公開了作為氧化物半導體膜使用氧化鋅、In-Ga-Zn-O類氧化物半導體來制造薄膜晶體管，且將這種晶體管用于液晶顯示裝置的開關元件等的技術方案。 專利文獻1：日本專利申請公開2009-099887號 將氧化物半導體用作溝道區域的薄膜晶體管的場效應遷移率高于將非晶硅用作溝道區域的薄膜晶體管的場效應遷移率。期待具備使用氧化物半導體來形成的這種薄膜晶體管的像素應用于諸如液晶顯示裝置等的顯示裝置。另外，在諸如三維顯示器、4k2k顯示器等的具有更高的附加價值的液晶顯示裝置中，期待每個像素的面積減小，且希望具有開口率得到提高的像素的液晶顯示裝置。
技術實現思路
考慮到前述情況，本專利技術的目的之一是提供一種具有高的開口率的液晶顯示裝置，其中液晶顯示裝置所具有的像素具備使用氧化物半導體的薄膜晶體管。 根據本專利技術的一個實施方式是一種液晶顯示裝置，包括：具有薄膜晶體管及像素電極的像素。該像素與用作掃描線的第一布線電連接。該薄膜晶體管具有在第一布線上隔著柵極絕緣膜設置的氧化物半導體層。該氧化物半導體層延伸以超出設置有第一布線的區域的邊緣。像素電極和氧化物半導體層彼此重疊。 根據本專利技術的一個實施方式是一種液晶顯示裝置，包括：具有薄膜晶體管及像素電極的像素。該像素與用作掃描線的第一布線及用作信號線的第二布線電連接。該薄膜晶體管具有在第一布線上隔著柵極絕緣膜設置的氧化物半導體層。該氧化物半導體層延伸以超出設置有第一布線的區域的邊緣。第二布線延伸到第一布線上的柵極絕緣膜上，且在氧化物半導體層上并與氧化物半導體層接觸，像素電極和氧化物半導體層彼此重疊。 根據本專利技術的一個實施方式是一種液晶顯示裝置，包括：薄膜晶體管及像素電極。該像素與用作掃描線的第一布線及用作信號線的第二布線電連接，該薄膜晶體管具有在第一布線上隔著柵極絕緣膜設置的氧化物半導體層。該氧化物半導體層延伸以超出設置有第一布線的區域的邊緣。第二布線延伸到第一布線上的柵極絕緣膜及該柵極絕緣膜上的層間絕緣膜上，且在氧化物半導體層上并與氧化物半導體層接觸。像素電極和氧化物半導體層彼此重疊。 可以實現具備使用氧化物半導體的薄膜晶體管的像素的開口率的提高。由此，可以提供具有高清晰顯示部的液晶顯示裝置。 附圖說明 在附圖中： 圖1A和圖1B是液晶顯示裝置的俯視圖及截面圖； 圖2A至圖2D是圖示液晶顯示裝置的截面圖； 圖3A和圖3B各是圖示液晶顯示裝置的俯視圖； 圖4A和圖4B是液晶顯示裝置的俯視圖及截面圖； 圖5A和圖5B各是圖示液晶顯示裝置的俯視圖； 圖6A至圖6C是液晶顯示裝置的俯視圖及截面圖； 圖7是液晶顯示裝置的電路圖； 圖8A和圖8B各是圖示液晶顯示裝置的電路圖； 圖9A和圖9B是圖示液晶顯示裝置的電路圖及時序圖； 圖10A和圖10B各是圖示液晶顯示裝置的電路圖； 圖11A和圖11B各是圖示液晶顯示裝置的電路圖； 圖12A至圖12C各圖示電子設備； 圖13A至圖13C各圖示電子設備；以及 圖14A和圖14B是液晶顯示裝置的俯視圖及截面圖。 具體實施方式 參照附圖對本專利技術的實施方式進行詳細說明。本專利技術不局限于以下說明，且所屬
的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是此處公開的方式及詳細內容在不脫離本專利技術的宗旨及其范圍的情況下能按各種各樣的形式被修改。因此，本專利技術不應該被解釋為僅局限在此處包含的實施方式的內容中。注意，在以下說明的本專利技術的結構中，在不同的附圖之間使用相同的附圖標記來表示相同的部分或具有相似功能的部分，且不重復其說明。 注意，在本說明書的附圖中，圖示的每個結構的大小、層的厚度或區域為了簡單而有時被夸大。因此，本專利技術的實施例不局限于這種尺度。 注意，在本說明書中使用的諸如“第一”、“第二”、“第三”等的術語是為了避免結構元件的混淆而使用的，而不是用于在結構元件的數目方面上進行限制。因此，例如能將術語“第一”?適當地替換為術語“第二”或“第三”等。 實施方式1 在本實施方式中，作為一個例子，使用薄膜晶體管（以下，也稱為TFT）及連接到該TFT的用作像素電極的電極（這種電極也簡稱為像素電極）對液晶顯示裝置進行說明。注意，像素是指由設置在顯示裝置的每個像素中的元件（例如諸如薄膜晶體管、用作像素電極的電極或布線等的根據電信號來控制顯示的元件）構成的元件群。另外，像素可以包括濾色片等，且可以對應于能用一個像素控制其亮度的一個顏色成分。因此，例如，具備RGB色素元件的彩色顯示裝置中，圖像的最小單位由R像素、G像素及B像素的三個像素構成，并且能通過多個像素來得到圖像。 注意，當說明“A與B連接”時，其中包括A與B彼此電連接的情況及A與B彼此直接連接的情況。在此，A及B各是具有電功能的對象物。具體地說，“A與B連接”的說明包括當考慮到電路工作時，A和B之間的部分可以被認為一個節點的情況，例如：通過諸如晶體管等的開關元件使A與B連接，并通過該開關元件的導通而使A和B具有相同或大致相同的電位的情況；以及通過電阻器使A與B連接，且產生在該電阻器的相反端的電位差為不會不利地影響到包括A及B的電路的工作的情況。 圖1A是像素的俯視圖。圖1A所圖示的TFT具有一種底柵型結構，其中從用作柵極的布線來看在用作溝道區域的氧化物半導體層的相反一側放置用作TFT的源極電極及漏極電極的布線層，即所謂的反交錯型的結構。 ?????圖1A所圖示的像素100具有用作掃描線的第一布線101、用作信號線的第二布線102A、氧化物半導體層103、電容器線104、以及像素電極105。另外，圖1A中的像素100具有用來使氧化物半導體層10本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種液晶顯示裝置，包括：第一導電膜；第二導電膜；第三導電膜；以及晶體管,其中，所述晶體管包括氧化物半導體層，所述氧化物半導體層包括銦、鎵及鋅，所述氧化物半導體層具有結晶性，所述第一導電膜包括被用作所述晶體管的柵極的第一區域，所述晶體管在與所述柵極重疊的區域的所述氧化物半導體層中包括溝道形成區，所述液晶顯示裝置包括接觸于所述溝道形成區上的氧化物絕緣層，所述氧化物絕緣層包括氧化硅，所述第一導電膜包括超過在所述氧化物半導體層的溝道寬度方向上的端部的第二區域，所述第一導電膜包括比所述被用作柵極的第一區域的寬度小的第三區域，所述第三區域被用作掃描線，所述第二導電膜被用作信號線，所述信號線與所述晶體管的源極和漏極中的一個電連接，所述晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第三導電膜電連接，所述第三導電膜與像素電極電連接，所述第二導電膜及所述第三導電膜是通過對形成在所述氧化物半導體層上的導電層進行蝕刻工序而形成的，所述氧化物半導體層包括其在溝道寬度方向上的長度大于所述溝道形成區的溝道長度的區域，并且，所述氧化物半導體層包括其在溝道長度方向上的長度大于所述第一導電膜的所述第三區域的寬度的區域。

【技術特征摘要】
2009.10.09 JP 2009-2352871.?一種液晶顯示裝置，包括：
第一導電膜；
第二導電膜；
第三導電膜；以及
晶體管,
其中，所述晶體管包括氧化物半導體層，
所述氧化物半導體層包括銦、鎵及鋅，
所述氧化物半導體層具有結晶性，
所述第一導電膜包括被用作所述晶體管的柵極的第一區域，
所述晶體管在與所述柵極重疊的區域的所述氧化物半導體層中包括溝道形成區，
所述液晶顯示裝置包括接觸于所述溝道形成區上的氧化物絕緣層，
所述氧化物絕緣層包括氧化硅，
所述第一導電膜包括超過在所述氧化物半導體層的溝道寬度方向上的端部的第二區域，
所述第一導電膜包括比所述被用作柵極的第一區域的寬度小的第三區域，
所述第三區域被用作掃描線，
所述第二導電膜被用作信號線，
所述信號線與所述晶體管的源極和漏極中的一個電連接，
所述晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第三導電膜電連接，
所述第三導電膜與像素電極電連接，
所述第二導電膜及所述第三導電膜是通過對形成在所述氧化物半導體層上的導電層進行蝕刻工序而形成的，
所述氧化物半導體層包括其在溝道寬度方向上的長度大于所述溝道形成區的溝道長度的區域，
并且，所述氧化物半導體層包括其在溝道長度方向上的長度大于所述第一導電膜的所述第三區域的寬度的區域。
2.?一種液晶顯示裝置，包括：
第一導電膜；
第二導電膜；
第三導電膜；以及
晶體管,
其中，所述晶體管包括氧化物半導體層，
所述氧化物半導體層包括銦、鎵及鋅，
所述氧化物半導體層具有結晶性，
所述第一導電膜包括被用作所述晶體管的柵極的第一區域，
所述晶體管在與所述柵極重疊的區域的所述氧化物半導體層中包括溝道形成區，
所述液晶顯示裝置包括接觸于所述溝道形成區上的氧化物絕緣層，
所述氧化物絕緣層包括氧化硅，
所述第一導電膜包括超過在所述氧化物半導體層的溝道寬度方向上的端部的第二區域，
所述第一導電膜包括比所述被用作柵極的第一區域的寬度小的第三區域，
所述第三區域被用作掃描線，
所述第二導電膜被用作信號線，
所述信號線與所述晶體管的源極和漏極中的一個電連接，
所述晶體管的源極和漏極中的另一個與所述第三導電膜電連接，
所述第三導電膜與像素電極電連接，
所述第二導電膜及所述第三導電膜是通過對形成在所述氧化物半導體層上的導電層進行蝕刻工序而形成的，
所述氧化物半導體層包括其在溝道寬度方向上的長度大于從重疊于所述氧化物半導體層的所述第二導電膜的端部到重疊于所述氧化物半導體層的所述第三導電膜的端部為止的距離的區域，
并且，所述氧化物半導體層包括其在溝道長度方向上的長度大于所述第一導電膜的所述第三區域的寬度的區域。
3.?一種液晶顯示裝置，包括：
第一導電膜；
第二導電膜；
第三導電膜；
電容器；以及
晶體管,<...

【專利技術屬性】
技術研發人員：荒澤亮，宍戶英明，
申請(專利權)人：株式會社半導體能源研究所，
類型：發明
國別省市：日本;JP