利用光二聚化學作用的光致抗蝕劑和使用該光致抗蝕劑的有機發光二極管顯示器的制造方法技術

本發明專利技術涉及利用光二聚化學作用的光致抗蝕劑和使用該光致抗蝕劑的有機發光二極管顯示器的制造方法。本發明專利技術的光致抗蝕劑為高度氟化的光致抗蝕劑，包含由兩種不同的單體所形成的共聚物。當該共聚物用作光致抗蝕劑時，所述光致抗蝕劑具有以下特性：當用波長為365nm的紫外光進行曝光時，其變得不溶。

【技術實現步驟摘要】
利用光二聚化學作用的光致抗蝕劑和使用該光致抗蝕劑的有機發光二極管顯示器的制造方法相關申請的交叉引用本申請要求2012年11月30日遞交的韓國專利申請第10-2012-0138223號的優先權，其整體以引用的方式并入本文中。
本專利技術涉及利用光二聚化學作用的高度氟化的光致抗蝕劑和使用所述光致抗蝕劑的有機發光二極管顯示器的制造方法。
技術介紹
如今，為了克服陰極射線管諸如重量體積較大等諸多缺陷而開發出各種平板顯示裝置。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置（或LCD）、場發射顯示器（或FED）、等離子體顯示面板（或PDP）和電致發光器件（或EL）。圖1是描述現有技術的有機發光二極管顯示器（或OLED）的結構的平面圖，該顯示器具有薄膜晶體管等有源開關元件。圖2是描述圖1所示的現有技術的OLED沿截線I-I’的結構的截面圖。參考圖1和2，OLED顯示器包括具有薄膜晶體管ST和DT的薄膜晶體管(或TFT)基板，與薄膜晶體管ST和DT連接并由其驅動的有機發光二極管OLED，以及經其中的有機粘合劑POLY(未示出)而與TFT基板接合的上蓋ENC。TFT基板包括開關薄膜晶體管ST、與開關薄膜晶體管ST連接的驅動薄膜晶體管DT和與驅動薄膜晶體管DT連接的有機發光二極管OLED。在透明基板SUB上形成開關薄膜晶體管ST，其中柵極線GL與數據線DL相互交叉。開關薄膜晶體管ST選擇與開關薄膜晶體管ST連接的像素。開關薄膜晶體管ST包括由柵極線GL分枝出的柵極SG、與柵極SG重疊的半導體溝道層SA、源極SS和漏極SD。驅動薄膜晶體管DT驅動布置在由開關薄膜晶體管ST選定的像素處的有機發光二極管OLED的陽極ANO。驅動薄膜晶體管DT包括與開關薄膜晶體管ST的漏極SD連接的柵極DG、半導體溝道層DA、與驅動電流線VDD連接的源極DS和漏極DD。驅動薄膜晶體管DT的漏極DD與有機發光二極管OLED的陽極ANO連接。作為一個實例，圖2示出了具有頂柵結構的薄膜晶體管。在該情況中，在基板SUB上首先形成開關薄膜晶體管ST和驅動薄膜晶體管DT的半導體溝道層SA和DA，以及覆蓋它們的柵絕緣層GI，然后在其上通過與半導體溝道層SA和DA的中心部分重疊而形成柵極SG和DG。隨后，在半導體溝道層SA和DA的兩側，源極SS和DS以及漏極SD和DD通過穿透絕緣層IN的接觸孔而與其連接。在絕緣層IN上形成源極SS和DS以及漏極SD和DD。另外，在其中設置有像素區域的顯示區周圍的外部區域，排列有形成于柵極線GL一端的柵焊盤GP、形成于數據線DL一端的數據焊盤DP和形成于驅動電流線VDD一端的驅動電流焊盤VDP。設置鈍化層PAS以覆蓋具有開關薄膜晶體管ST和驅動薄膜晶體管DT的基板SUB的整個上表面。隨后，形成接觸孔以使柵極焊盤GP、數據焊盤DP、驅動電流焊盤VDP和驅動薄膜晶體管DT的漏極DD露出。在基板SUB內的顯示區上涂覆平面層PL。平面層PL使得基板SUB的上表面的粗糙度處于更平滑的狀態，從而在平滑且平坦的表面狀態的基板SUB上涂覆構成有機發光二極管的有機材料。在平面層PL上形成陽極ANO，以通過一個接觸孔與驅動薄膜晶體管DT的漏極DD連接。另一方面，在不具有平面層PL的顯示區的外部區域處形成分別與通過接觸孔而露出的柵焊盤GP、數據焊盤DP和驅動電流焊盤VDP連接的柵焊盤電極GPT、數據焊盤電極DPT和驅動電流電極VDPT。在基板SUB上形成覆蓋顯示區的除像素區之外的其他區域的岸壁(bank)BA。最后，在部分岸壁BA上可以形成間隔物SP。上蓋ENC與TFT基板接合。在該情況中，優選的是，通過使TFT基板和上蓋ENC之間存在有機粘合劑而使二者完全密封。柵焊盤電極GPT和數據焊盤電極DPT露出，并且可以經由各種連接手段而與外部裝置相連。隨著對有機發光二極管顯示器的需求增多，并且正開發出更為先進的制造技術，使得用于高分辨率和大面積的有機發光二極管顯示器的技術變得發展不足。迄今為止，已有了一些方法用于在大型玻璃基板上形成有機發光二極管，即，精細金屬掩模（或FMM）圖案化技術、噴墨印刷技術和激光圖案化技術。作為制造大面積有機發光二極管顯示器的替代性方法，還可以使用沉積一個大型白色有機發光二極管層并帶有圖案化濾色層的方法。使用這些圖案化技術或方法，可以制得具有大面積和高分辨率的有機發光二極管顯示器。不過，對于大規模生產而言，產率和/或成本則還不能接受。為了在大面積基板上制造高分辨率的像素區，最合理的方法是光刻法。在使有機發光材料圖案化時，使用光刻技術仍然存在嚴重的問題。例如，光致抗蝕劑本身以及用于使光致抗蝕劑顯影和/或除去光致抗蝕劑的溶劑可能容易損害有機發光材料。
技術實現思路
為了克服上述的缺陷，本專利技術的目的是提出一種與有機發光材料的相互作用較少的高度氟化的光致抗蝕劑，和使用所述光致抗蝕劑來制造有機發光二極管顯示器的方法。本專利技術的另一個目的是提出一種通過蒽的光二聚反應改變溶解性從而使有機發光二極管材料的損壞降至最低的高度氟化的光致抗蝕劑，和使用所述光致抗蝕劑來制造有機發光二極管顯示器的方法。在一個實施方式中，本專利技術公開了光致抗蝕劑用共聚物。所述共聚物通過以下方法形成，包括：提供由式(1)表示的第一單體和由式(2)表示的第二單體：其中，x:y是所述第一單體與所述第二單體的比率，并且x:y選自x:y=1:0.1至x:y=1:1的范圍。所述共聚物由第一單體和第二單體形成。當所述共聚物用作光致抗蝕劑時，該光致抗蝕劑具有如下特征：當用波長為365nm的紫外光進行曝光時其變得不溶。在一個實施方式中，x:y選自x:y=1:0.19至x:y=1:0.77的范圍。在一些實施方式中，x:y可以為1:0.19，x:y可以為1:0.25，x:y可以為1:0.38，x:y可以為1:0.58，或x:y可以為1:0.77。在一個實施方式中，本專利技術包括有機發光二極管顯示器的制造方法，所述方法包括：在基板上形成電極；在所述電極上沉積有機發光層；在所述有機發光層上沉積光致抗蝕劑，所述光致抗蝕劑包含上述的共聚物；通過掩模使所述光致抗蝕劑對紫外光曝光從而使所述光致抗蝕劑圖案化成為圖案化光致抗蝕劑；使用所述圖案化光致抗蝕劑使所述有機發光層圖案化成為圖案化有機發光層；和剝去所述圖案化光致抗蝕劑。在一個實施方式中，本專利技術包括有機發光二極管顯示器的制造方法，所述方法包括：在基板上形成電極；在所述電極上沉積光致抗蝕劑，所述光致抗蝕劑包含上述的共聚物；通過掩模使所述光致抗蝕劑對紫外光曝光從而使所述光致抗蝕劑圖案化成為圖案化光致抗蝕劑；在所述圖案化光致抗蝕劑和所述電極上沉積有機發光層；和除去所述圖案化光致抗蝕劑和所述圖案化光致抗蝕劑上的所述有機發光層部分。在一個實施方式中，所述紫外光的波長為365nm。在一個實施方式中，使用含氟溶劑對所述光致抗蝕劑進行圖案化。本專利技術的高度氟化的光致抗蝕劑具有以下特征：該光致抗蝕劑的溶解性通過蒽的光二聚反應而發生變化，并且其與有機發光材料的相互作用較少。當其不具有蒽時，在使光致抗蝕劑顯影時不會形成任何強酸材料。因此，通過使用與有機發光材料的相互作用較少的高度氟化的光致抗蝕劑，可以在大面積基板上制得具有高分辨率的有機發光二極管顯示器。此外，在本專利技術的有機發光二極管顯示器的制造方法中本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種光致抗蝕劑用共聚物，所述共聚物通過包括以下步驟的方法形成：提供由式(1)表示的第一單體和由式(2)表示的第二單體：由所述第一單體和所述第二單體形成所述共聚物，其中，x:y是所述第一單體與所述第二單體的比率，并且x:y選自x:y=1:0.1至x:y=1:1的范圍。

【技術特征摘要】
2012.11.30 KR 10-2012-01382231.一種光致抗蝕劑用共聚物，所述共聚物通過包括以下步驟的方法形成：提供由式(1)表示的第一單元和由式(2)表示的第二單元：和由所述第一單元和所述第二單元形成所述共聚物，其中，x:y是所述第一單元與所述第二單元的比率，并且x:y選自x:y＝1:0.1至x:y＝1:1的范圍。2.如權利要求1所述的共聚物，其中，x:y選自x:y＝1:0.19至x:y＝1:0.77的范圍。3.如權利要求1所述的共聚物，其中，x:y為1:0.19。4.如權利要求1所述的共聚物，其中，x:y為1:0.25。5.如權利要求1所述的共聚物，其中，x:y為1:0.38。6.如權利要求1所述的共聚物，其中，x:y為1:0.58。7.如權利要求1所述的共聚物，其中，x:y為1:0.77。8.一種有機發光二極管顯示器的制造方法，所述方法包括：在基板上形成電極；在所述電極上沉積有機發光層；在所述有機發光層上沉積光致抗蝕劑，所述光致抗蝕劑包含共聚物，所述共聚物通過包括以下步驟的方法形成：提供由式(1)表示的第一單元和由式(2)表示的第二單元：和由所述第一單元和所述第二單元形成所述共聚物，其中，x:y是所述第一單元與所述第二單元的比率，并且x:y選自x:y＝1:0.1至x:y＝1:1的范圍；通過使用掩模使所述光致抗蝕劑對紫外光...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李鎮均，金英美，尹鐘根，許峻瑛，都義斗，李妍景，金秀炫，
申請(專利權)人：樂金顯示有限公司，仁荷大學博物館產學協力團，
類型：發明
國別省市：韓國;KR