【技術實現步驟摘要】
本專利技術是有關于一種整合式磁場傳感器，且特別是有關于一種具有內建自我測試(Built-in-self-test，BIST)單元的整合式磁場傳感器。
技術介紹
磁阻組件中所包含的磁阻材料可因應磁場強度的變化而改變其電阻值，目前大量地應用于運動產品、汽車、馬達、通訊產品中。常見的磁阻材料可依其作用方式的差異以及靈敏度的不同而分為異向性磁阻(anisotropic?magnetoresistance，AMR)、巨磁阻(giant?magnetoresistance，GMR)及穿隧磁阻(tunneling?magnetoresistance，TMR)等類型。一般而言，磁阻組件所量測的磁場變化非常小，如果沒有精準的測試、設定、調校，結果會失之千里。然而，磁阻組件的微型化及復雜封裝趨勢將造成測試、調校上的困難，因此需要一種自我測試電路以解決此問題。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種整合式磁阻傳感器，此裝置中具有自我測試電路以滿足業界要求組件微型化與高精準度的需求。本專利技術提出一種整合式磁阻傳感器，其包含一基板、一磁阻傳感元件及一內建自我測試(BIST)單元。該基板具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面。該磁阻傳感元件，位于該基板的該第一表面上方，至少包含一不平行于該第一表面的磁阻層。該內建自我測試單元是位于該基板的該第一表面上方且至少包含對應至該磁阻層的一導電部。其中該導電部是用以產生垂直該基板的...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
2012.11.12 TW 1011419591.一種整合式磁阻傳感器，包含：
一基板，具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面；
一磁阻傳感元件，位于該第一表面上方，至少包含一不平行于該第一表
面的磁阻層；
一內建自我測試單元，位于該第一表面上方，至少包含對應至該磁阻層
的一導電部；
其中該導電部是用以產生垂直該第一表面的磁場，且該導電部在該第一
表面上的導電部投影與該磁阻層在該第一表面上的磁阻層投影不交迭。
2.如權利要求1所述的整合式磁阻傳感器，其特征在于，該磁阻層包含
異向性磁阻材料。
3.如權利要求1所述的整合式磁阻傳感器，其中該磁阻層的電阻值會隨
外在磁場變化而改變，其包含鐵磁材料、反鐵磁材料、非鐵磁性金屬材料、
穿隧氧化物材料之一或其組合。
4.如權利要求1所述的整合式磁阻傳感器，其特征在于，
該磁阻層具有一厚度、一寬度與一長度，該磁阻層的該長度大于該寬度，
該磁阻層的該寬度大于該厚度且該寬度的方向是不平行于該第一表面；及
該導電部亦具有一厚度、一寬度與一長度，該導電部的該長度大于該寬
度與該厚度，該導電部的長度方向是平行于該磁阻層的長度方向。
5.如權利要求4所述的整合式磁阻傳感器，其特征在于，該磁阻層的寬
度方向是實質上與該第一表面垂直。
6.如權利要求1所述的整合式磁阻傳感器，其特征在于，該導電部是略
高或略低于該磁阻層或實質上與該磁阻層共位準。
7.如權利要求1所述的整合式磁阻傳感器，其特征在于，該磁阻層還具
有一第一延伸部，此第一延伸部是實質上平行于該第一表面。
8.如權利要求7所述的整合式磁阻傳感器，其特征在于，該第一延伸部
的長度是與該磁阻層的該長度實質相等。
9.如權利要求8所述的整合式磁阻傳感器，其特征在于，該第一延伸部
\t是與多個導體條接觸，此些導體條的長度方向是不平行于該第一延伸部的長
度方向。
10.如權利要求9所述的整合式磁阻傳感器，其特征在于，該多個導體
條是位于該第一延伸部的上方或下方。
11.如權利要求7所述的整合式磁阻傳感器，其特征在于，該第一延伸
部的長度是大于該磁阻層的該長度。
12.如權利要求11所述的整合式磁阻傳感器，其特征在于，該第一延伸
部是與多個磁阻層電性連接。
13.如權利要求7所述的整合式磁阻傳感器，其特征在于，該第一延伸
部的長度是小于該磁阻層的該長度。
14.如權利要求13所述的整合式磁阻傳感器，其特征在于，
該磁阻層還具有一第二延伸部，此第二延伸部是實質上平行于該第一表
面；及
該第一延伸部與該第一平面間具有第一間距，該第二延伸部與該第一表
面間具有第二間距，其中該第一間距是大于該第二間距。
15.如權利要求14...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李乾銘，傅乃中，陳光鏡，
申請(專利權)人：宇能電科技股份有限公司，
類型：發明
國別省市：
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