一種具有高發光效率的二維光子晶體光學共振器和光學反射器；結構如下。一種二維光子晶體包括：呈板狀的主體（１１），由多個具有與主體（１１）不同折射率的周期性排布的區域（或孔）（１２）形成所述主體。通過提供不鉆孔（１２）的線性區域形成波導（１...

本發明提供一種在光信號放大３端子裝置，其中，將從來自輸入了第１波長（λ↓［１］）的第１輸入光（Ｌ↓［１］）和第２波長（λ↓［２］）的第２輸入光（Ｌ↓［２］）的第１光放大元件２６的光中選擇的第２波長（λ↓［２］）的光、和第３波長（λ↓［３...

一種發光元件裝置，其特征在于，在具有設置了利用氟化鈣結晶形成的窗板的窗口的容器內，配置了短波長發光元件。

一種二維光子晶體面發光激光器，其構成為在靠注入載流子發光的激活層（第１介質）（１２）或其附近以二維的周期排列由折射率不同的第２介質構成的光子晶體周期結構體（２１）。光子晶體（２０）的晶格結構是正方晶格或正交晶格，具有平移對稱性但不具有旋...

本發明提供一種新的玻璃組成物，其可得到源自鉍（Ｂｉ）的熒光，并且可改善熔融性。本發明的玻璃組成物含有鉍氧化物、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］以及ＳｉＯ↓［２］，ＳｉＯ↓［２］是玻璃網絡形成氧化物的主要成分，還含有從ＴｉＯ↓［２］，ＧｅＯ↓［２］...

提供了能在紅外區域進行寬帶放大的寬帶光放大裝置。在這種寬帶光放大裝置中，其特征是在以鉍為熒光素的玻璃或晶體中通過光激勵使光放大，放大的波長范圍為１０００～１６００ｎｍ。

提供一種半導體器件；為了消除布線延遲，取代長距離的金屬布線及通路孔連接，能夠由形成在半導體芯片上的發射偶極天線發射電磁波，并由設置在其他半導體芯片電路塊內部的接收天線接收。半導體器件中，將形成在半導體襯底（１）上的發射天線（３）所發射的...

一種阻抗匹配電路及利用了該電路的半導體元件及無線通信裝置，該阻抗匹配電路可通過減小占有面積來構成于半導體元件上，且可調整頻帶。電抗補償分布常數線路（３１）對負荷（６）的電抗（Ｂ↓［Ｌ］、Ｘ↓［Ｓ］）進行補償，１／４波長分布常數線路（３２...

在作為雙電層電容器的極化電極（３１）使用的碳復合電極上，采用具有特殊結構和非常大的表面積的單層碳納米角聚集體。單層碳納米角聚集體與酚醛樹脂進行混合并成形，且被熱處理而構成碳復合電極，再通過含浸在電解液中成為極化電極。使用了該極化電極的雙...

本發明涉及向木質素中導入酚化合物所得到的木質素衍生物的利用，尤其涉及在半導體薄膜電極、光電轉換元件以及使用此元件的太陽能電池中的利用。本發明的目的是提供不受碳資源制約的光電轉換元件半導體薄膜電極、光電轉換元件以及使用該元件的太陽能電池，...

通過利用碳納米管特有的結構敏感的性質以高度敏感的方式分離、濃縮或純化具有期望性質（直徑、手性矢量等）的均一性碳納米管的方法和設備。本發明提供分離、濃縮或純化樣品中含有的具有期望性質的碳納米管的方法，包括以下步驟：（ａ）用光照射含碳納米管...

本發明提供一種由用通式（Ⅰ）表示的并多苯芳烴衍生物而形成的光電轉換元件用材料、以及使用了該材料的光電轉換元件。該光電轉換元件用材料的加工性和生產率好、毒性低、易于柔性化、且光電轉換效率良好。在通式（Ⅰ）中，Ｒ↑［１］、Ｒ↑［２］、Ｒ↑［...

本發明提供一種能夠制造具有與塊晶同等的晶體完整性的薄膜、且制造成本低的固相熔劑外延生長法，其中，在基板上將外延生長的物質即目標物質和溶劑相混合的非晶形薄膜在低于共晶點溫度的低溫下進行堆積，在目標物質和熔劑的共晶點溫度以上的溫度下對該基板...

本發明是通過單電子動作可以得到高速穩定的動作的基于單電子電路的信息處理結構體，該信息處理結構體在微細的ＭＯＳＦＥＴ（１１）的柵極電極（１２）的正上方，形成納米級大小的多個量子點（１３），在量子點與柵極電極之間構成電子能夠直接穿過的能量勢...

一種量子干涉型磁通計的制造方法，其特征在于，具有以下工序：通過在第１圓筒形陶瓷基材的外表面使高溫超導微粒移動電沉積和燒結，形成與該輸入線圈一體型的拾起線圈的工序；在第２圓筒形陶瓷基材的外表面全面使高溫超導微粒移動電沉積和燒結，形成高溫超...

本發明公開了在介電常數低的晶體基質上形成結晶完整度高、結晶取向性優良的氧化物高溫超導體薄膜的氧化物高溫超導體，以及制備這樣的氧化物高溫超導體的方法。在制造在晶體基質上形成有含有Ｂａ作為其構成元素的氧化物高溫超導體薄膜的氧化物高溫超導體的...

本發明涉及一種使用用于選擇存儲單元的晶體管和固體電解質的開關。存儲單元中，在形成于半導體基片表面的場效應晶體管的漏擴散層上層疊金屬。在金屬上層疊金屬為載流子的固體電解質。固體電解質與金屬隔著空隙連接，金屬連接至共同接地線，場效應晶體管的...

本發明是通過單電子動作可以得到高速穩定的動作的基于單電子電路的信息處理結構體，該信息處理結構體在微細的ＭＯＳＦＥＴ（１１）的柵極電極（１２）的正上方，形成納米級大小的多個量子點（１３），在量子點與柵極電極之間構成電子能夠直接穿過的能量勢...

本發明是通過單電子動作可以得到高速穩定的動作的基于單電子電路的信息處理結構體，該信息處理結構體在微細的ＭＯＳＦＥＴ（１１）的柵極電極（１２）的正上方，形成納米級大小的多個量子點（１３），在量子點與柵極電極之間構成電子能夠直接穿過的能量勢...

本發明提供了一種用于生產能夠剛性安裝的應力阻抗效應元件的方法以及該元件。應力阻抗效應元件具有電極（４），其每一個都通過超聲波焊接在磁致伸縮非晶細絲（２）相應的相對末端上形成。