涉及窗型探針、等離子體監視裝置及等離子體處理裝置，目的在于：直接、簡單地檢測出因高頻或高電壓的施加而產生的等離子體的狀態。其構成為：至少設置在與等離子體相面對的面的至少一部分上設置了開口部的導電性支撐構件（５）、設置于所述導電性支撐構件...

本發明提供一種即使切斷電源也能保持導通或斷開狀態，能降低在導通狀態下的電阻，實現集成化，并且能夠再編程的固體電解質開關元件及使用其的ＦＰＧＡ、存儲元件及其制造方法。固體電解質開關元件（１０、１０′、２０、２０′），其特征在于具有：用絕緣...

針對目前揮發性存儲器的快閃存儲器由于寫入速度遲緩，改寫次數有界限的，而且電功消耗量較多；強介電體存儲器（ＦｅＲＡＭ）由于改寫次數為約１０↑［１２］次程度，未能保證使用１０年，加上此較難高密度化的問題，提出一種新型磁阻隨機存取存儲器裝置予...

一種信息存儲元件，其特征在于，　　　　在具有半導體襯底、源極、漏極、柵極和柵絕緣膜的半導體晶體管中，　　　　上述柵絕緣膜具有空腔；　　　　在此空腔內具有浮置柵極層，該浮置柵極層具有向上述晶體管的溝道側撓曲的穩定狀態和向柵極側撓曲的穩定狀...

在基片（１）上設定捕獲位置（３０），在基片（１）上形成電極圖形（２），其具有：沿對角方向的ｘ軸且夾著捕獲位置（３０）的位置形成的電極（２２）、（２３）組成的第１電極對（２１）；沿與ｘ軸正交的ｙ軸且夾著捕獲位置（３０）的位置形成的電極（２...

通過施加柵電壓Ｖ↓［ＧＳ］，強磁性源中的由金屬性質的自旋帶造成的肖特基勢壘寬度減少，來自該金屬性質的自旋帶的上自旋電子被隧穿注入到溝道區中。此時，由于有強磁性源（３ａ）的由半導體性質的自旋帶造成的能量壁壘，下自旋電子不從非磁性接觸（３ｂ...

提供一種自由空間配線的制造方法及其制造裝置，其能夠制造納米級的自由空間配線。基于預先存儲在計算機控制的繪制設備（９）中的三維位置數據以及射束的輻射位置、輻射方向和輻射時間來輻射射束以便利用射束激發反應，使用ＣＶＤ工藝制造該自由空間配線（...

按照將本發明的強磁性半導體用于溝道區的ＭＩＳＦＥＴ，具有作為可用柵電壓控制漏電流的晶體管的特性，與此同時，還一并具有其轉移電導可受強磁性溝道區與強磁性源（或強磁性漏，或強磁性源和強磁性漏雙方）的相對的磁化方向控制的特征性的特性。從而，可...

ＣＰＰ型巨磁電阻元件和磁部件及磁裝置，能通過膜面垂直方向的自旋相關電流顯現巨磁電阻效應，其中，ＣＰＰ型巨磁電阻元件（１０、２０、５０）具有反強磁性層（９）、強磁性固定層（１１、１１Ａ）、非磁性導電層（１２）和強磁性自由層（１３、１３Ａ）...

本發明提供壓電材料及其元件以及其制造方法。其是具有可動性的點缺陷的壓電材料，具有可動性的點缺陷被按照使其短程有序對稱與強介電相的晶體對稱性一致的方式配置，利用所述強介電體材料中的疇的電場下的可逆的轉換來實現較大的非線性壓電效應，即使在低...

本發明涉及一種超導膜及其制造方法，該超導膜包括基底以及在基底上形成的超導層，其中，在該基底表面形成了平行于電流方向的納米凹槽，并在位于該納米凹槽上的超導層中引入了二維晶體缺陷。本發明的超導膜以低成本獲得且具有很高的Ｊｃ，可應用于電纜、磁...

本發明的課題在于在通過激光燒蝕法、濺射法、電弧放電法等，產生薄膜形成成分的飛散微粒子束，使該飛散微粒子束附著于基板上的成膜裝置中，即使在用于俘獲小滴的過濾器呈容易制作形狀，價格低的情況下，仍容易實現俘獲，并且，確實地不再次釋放一度俘獲的...

液狀組合物，其特征是，至少含有金剛石微粒、分散介質及胺性物質。

本發明是有關非晶形氧化物和采用該氧化物的薄膜晶體管。具體來說，提供電子載流子濃度未滿１０↑［１８］／ｃｍ↑［３］的非晶形氧化物和采用該氧化物的薄膜晶體管。于具有源極電極６、汲極電極５、柵極電極４、柵極絕緣膜３和溝道層２的薄膜晶體管上，采...

本發明的目的在于提供一種可在空間均勻生成高密度等離子體的等離子體生成裝置，在真空容器（１１）的側壁設置多個天線（１６），相對３－４個天線（１６），經板狀導體（１９）并聯連接１個高頻電源。各天線（１６）的導體長度比在真空容器內生成的感應電...

本發明涉及具有自旋相關轉移特性的隧道晶體管及使用了它的非易失性存儲器。按照將本發明的鐵磁性半導體用于溝道區的ＭＩＳＦＥＴ，具有作為可用柵電壓控制漏電流的晶體管的特性，與此同時，還一并具有其轉移電導可受鐵磁性溝道區與鐵磁性源（或鐵磁性漏，...

本發明提供一種可通過簡單的裝置結構變更來設定靈敏度和時間分辨能力的中子檢測裝置。具備多個中子檢測元件部，該中子檢測元件部具有：超導元件（２０），其具有至少一個表面由電介質材料（１１）形成的基體材料（１０）、在表面上形成的超導材料的帶狀線...

本發明的目的是提供具有能夠同時達成高亮度和高分辨率的兩者的優良特性的微通道板，以及使用該微通道板的氣體比例計數管和攝像裝置。基于本發明的微通道板是，具備基體，該基體設置有多個貫通孔（１３）且具有絕緣性，是配置在主要包含不活潑氣體的氣體環...

本發明提供即使減少稀有的Ｄｙ等稀土類元素含量，也可以得到高矯頑磁力或者高剩余磁束密度的高性能的稀土類磁鐵。本發明的稀土類－鐵－硼系磁鐵的特征在于：Ｍ元素（其中，Ｍ是選自Ｐｒ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｈｏ的稀土類元素的一種或多種）從磁鐵表面擴散，從而...

提供作為催化劑能力高的光催化劑、同時具有電.光.磁功能的半導體材料及透明磁鐵有用的二氧化鈦.鈷磁性膜，該膜以化學式：Ｔｉ↓［１－ｘ］Ｃｏ↓［ｘ］Ｏ↓［２］表示，式中０＜ｘ≤０．３，同時Ｃｏ置換到Ｔｉ晶格位置上，且在單晶襯底上外延生長。其...