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本發明提供一種多晶硅在離子注入后的快速熱退火（RapidThermalAnneal，RTA）方法，屬于半導體多晶硅的制備技術領域。該方法用于將晶圓上的多晶硅在離子注入摻雜后進行摻雜激活以獲得預定電阻范圍內的多晶硅層，其中，在快速熱退火的過程...
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