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本發(fā)明公開了一種化合物半導(dǎo)體的金屬化結(jié)構(gòu)，包括：化合物半導(dǎo)體襯底，以及自襯底向上依次制備的第一層金屬薄膜、第二層金屬薄膜、第三層金屬薄膜和電極層金屬薄膜，形成金屬化層狀結(jié)構(gòu)；其中，各層金屬薄膜的厚度均小于1μm，且各層金屬薄膜的總厚度小于2...該專利屬于中國電子科技集團公司第十一研究所所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過中國電子科技集團公司第十一研究所授權(quán)不得商用。