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本發(fā)明屬于射頻功率器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種源漏非對稱自對準(zhǔn)的射頻功率器件及其制備方法。本發(fā)明采用先柵工藝制備射頻功率器件，利用柵極側(cè)墻來實現(xiàn)柵極與源極位置的自對準(zhǔn)，同時，由于柵極被鈍化層保護，可以在柵極形成之后通過離子注入工藝來形成器件的...該專利屬于復(fù)旦大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過復(fù)旦大學(xué)授權(quán)不得商用。