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本發明涉及一種制作穿硅通孔(Through?Silicon?Via，TSV)時采用的二次濕法腐蝕晶圓的分離工藝，其特點在于首先將裸支撐晶圓進行第一次KOH濕法腐蝕到一定厚度后，通過濺射TiW和Au層，與TSV晶圓進行Au-Au鍵合。待TSV...該專利屬于中國科學院上海微系統與信息技術研究所所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院上海微系統與信息技術研究所授權不得商用。
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本發明涉及一種制作穿硅通孔(Through?Silicon?Via，TSV)時采用的二次濕法腐蝕晶圓的分離工藝，其特點在于首先將裸支撐晶圓進行第一次KOH濕法腐蝕到一定厚度后，通過濺射TiW和Au層，與TSV晶圓進行Au-Au鍵合。待TSV...