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本發明涉及一種通過鈉還原四氟化硅法制備太陽能級多晶硅的裝置和方法。該裝置包括上下兩室，上室為反應室，兩室由通道相連接；上室內置石墨反應坩堝，石墨坩堝外圍設有加熱元件；石墨坩堝內底部呈倒錐形，中心開孔供液體物料墜入下室；該孔上覆蓋一石墨雙錐臺...該專利屬于北京博大格林高科技有限公司;北京大學所有，僅供學習研究參考，未經過北京博大格林高科技有限公司;北京大學授權不得商用。
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本發明涉及一種通過鈉還原四氟化硅法制備太陽能級多晶硅的裝置和方法。該裝置包括上下兩室，上室為反應室，兩室由通道相連接；上室內置石墨反應坩堝，石墨坩堝外圍設有加熱元件；石墨坩堝內底部呈倒錐形，中心開孔供液體物料墜入下室；該孔上覆蓋一石墨雙錐臺...